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先进芯片封装的其他创新设想与实现途径:异构和小芯片、混合键合

合明科技 👁 1954 Tags:混合键合先进芯片封装清洗 AP技术

异构和小芯片:彻底改变AP路线图

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异构和小芯片代表了半导体设计和封装的范式转变。异构概念涉及结合不同的材料、工艺和设备来创建一个统一的系统。这种方法可以将多种功能小芯片无缝集成在单个封装上,从而释放半导体设计和制造的新可能性。

另一方面,Chiplet 是异构的一个基本方面。根据我们在 Yole 的定义,小芯片方法代表了一种新兴的半导体设计理念,它将两个或多个分立芯片组合在分解的 SiP 设计中。与可能的单片替代方案相比,小芯片提供了更大的设计灵活性、更快的上市时间、更高的良率和经济效益。小芯片的功能涵盖典型处理器 SoC 中的基本知识产权 (IP) 块,包括中央处理单元 (CPU)、图形处理单元 (GPU)、神经处理单元 (NPU)、I/O 和内存控制器以及接口、高速缓存存储器和模拟功能(SerDes、PLL、DAC、ADC、PHY 等)。

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混合键合:弥合异构领域的差距

混合键合是一项新技术,可以实现半导体器件的垂直堆叠,从而可显著提高器件的性能、功能和可靠性。它是异构的关键推动者,可在键合过程中提供卓越的精度和可靠性。混合键合可确保小芯片之间牢固可靠的连接,从而增强它们在先进封装平台中的集成。这项技术开启了半导体设计的新可能性,使得开发曾经被认为不可能的尖端解决方案成为可能。
混合键合是一项尖端技术,可实现多种芯片架构,满足 HPC、人工智能、服务器和数据中心等高端应用的需求。随着该技术的成熟,受益于高性能芯片间连接,预计将进一步扩展到消费类应用、存储设备以及移动和汽车应用。异构的概念正在推动封装技术的创新,以满足特定的性能、尺寸、功耗和成本要求。混合键合成为高端异构应用的可行途径,将微小的铜焊盘嵌入电介质中,形成电介质到电介质和金属到金属的键合。这种接合技术具有许多优点,例如显着增加的 I/O 连接、最小的信号延迟、扩展的带宽、更高的存储密度以及改进的功率和速度效率。

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先进封装已成为半导体行业进步的关键,为人工智能、5G 和 HPC 铺平了道路。多样化的 AP 平台,包括扇出封装、WLCSP、fcBGA/CSP、SiP 和 2.5D/3D 堆叠封装,加上异构和小芯片的变革潜力,正在重塑半导体格局。

随着生成式人工智能时代的展开,AP技术将继续推动创新,实现更小、更强大的电子设备,推动我们进入充满无限可能的未来。半导体行业将继续发展,而 AP 将保持领先地位,释放新功能并塑造明天的技术。

随着 AP 技术的不断进步,可以预见更多突破性的应用程序和解决方案将在未来几年重新定义我们与技术交互的方式。该路线图体现了 AP 技术的演变,突出了小型化和密度增加的明显趋势。然而,它也强调了创新停滞不前的领域,表明未来需要突破或替代方法。

先进芯片封装清洗:

合明科技研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。

合明科技运用自身原创的产品技术,满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求,打破国外厂商在行业中的垄断地位,为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。

推荐使用合明科技水基清洗剂产品。

 


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