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芯片先进封装之异构集成混合键合是未来吗?

合明科技 👁 1993 Tags:3D NAND闪存混合键合先进芯片封装清洗

混合键合即是未来?芯片提升性能以往看制程,如今看封装,封装看向异构集成,而异构集成的过往难点就是键合,如今铜─铜混合键合日趋成熟,背后环环相扣的工艺就有望实现芯片性能的下一步飞跃,我们深信这一天已不再遥远。

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目前imec的研究已经证明了在7微米间距实现混合键合的可行性。利用这项技术,芯片之间或芯片与硅中介层之间的 3D 互连密度比现有技术高出十六倍以上其开发间距小至3μm且具有高公差拾放精度的芯片间混合键合。


是混合键合的集大成者,其SoIC 封装技术依靠混合键合,在芯片 I/O 上实现了强大的接合间距可扩展性,实现了高密度的芯片到芯片互连,其键合间距从 10 微米以下开始,表示与目前业界最先进的封装解决方案相比,短芯片到芯片连接具有外形尺寸更小、带宽更高、电源完整性和信号完整性更好以及功耗更低的优点。此前,已经展示了其第四代混合键合技术的研究成果,该技术可实现每平方毫米 100,000 个接点数量。


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2021年底,宣布Ryzen 7 5800X3D 也采用了Hybrid Bonding 技术,将7nm SRAM 叠接在7nm 处理器之上,铜─铜混合键合能提升200 倍的接点密度,而且每个讯号传递所需的能量降低至三分之一以下。


值得一提的是,推出的Xtacking架构,即采用了W2W的混合键合技术,利用不同的工艺,先后制作Memory晶圆和CMOS晶圆,在后道制程中构建两者的触点。通过混合键合,这些触点被链接导通,Memory和CMOS在垂直方向实现了互联。

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混合键合在3D NAND闪存上实现数十亿根金属通道的连接,随着层数的不断增高,基于晶栈Xtacking所研发制造的3D NAND闪存将更具成本和创新优势。

先进芯片封装清洗:

合明科技研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。

合明科技运用自身原创的产品技术,满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求,打破国外厂商在行业中的垄断地位,为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。

推荐使用合明科技水基清洗剂产品。

 


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