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华天科技披露已掌握毫米波雷达产品相关封装技术

合明科技 👁 2188 Tags:存储芯片封装毫米波雷达TSV工艺

华天科技在互动平台表示,公司存储芯片封装产品已经量产。此外,华天科技披露已掌握毫米波雷达产品相关封装技术。

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据了解,华天科技基于3D Matrix3D晶圆级封装平台开发的系统集成封装技术eSinC SiP,通过集成硅基扇出封装,bumping技术,TSV技术,C2W和W2W技术,可以实现多芯片高密度高可靠性3D异质异构集成。

eSinC最大的优势还在于用硅基取代塑封料。以硅基作为载体,其热膨胀系数、杨氏模量及热导率均优于塑封料,且硅载体与芯片材质相同,因此eSinC的晶圆翘曲会明显小于InFo-PoP,且eSinC产品的散热性能要明显好于InFo-PoP产品;同时,由于使用了硅基作为载体,兼容成熟的硅工艺,可以通过TSV工艺实现高密度3D互联,并通过硅刻蚀工艺制备出用于嵌入芯片的硅基凹槽结构,从而实现芯片的3D集成。

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在eSinC晶圆上贴装芯片或两个eSinC晶圆进行堆叠,就成为了3D FO SiP封装技术,可以实现不同结构的SiP封装。而该技术与TSV和eSiFo一起,还构成了华天科技的3D Matrix晶圆封装平台。

先进芯片封装清洗:

合明科技研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。 

合明科技运用自身原创的产品技术,满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求,打破国外厂商在行业中的垄断地位,为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。

推荐使用合明科技水基清洗剂产品。

 


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