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为什么不使用SiC来制造IGBT的原因分析及IGBT功率模块清洗介绍

合明科技 👁 2090 Tags:半导体材料IGBT功率器件清洗SiC器件

IGBT芯片是IGBT器件的主要部分,通常由硅制成。它由四个区域组成:N+型集电极、P型漏极、N型沟道和P+型栅极。IGBT芯片中使用的重要技术是沟道控制、载流子注入和处理高电压的结构设计。IGBT芯片集IGBT的驱动电路、控制电路、保护电路于一体。

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SiC其实是可以做IGBT的,而我们看不到的原因是:因制备成本太高,且性能“过剩”,因此在大多数应用场合都“毫无竞争力”,因此目前无存活空间,所以你就基本看不到商业化的SiC IGBT了。

Si材料的Mosfet存在一个问题,即耐受电压能力高了芯片就会相应地变厚,导通损耗也就很高,所以硅材料的Mosfet一般只能做低压器件。

SiC是一种宽禁带半导体材料,可以做到很高的耐压下芯片还很薄,而现在SiC的Mosfet可以做到6500V耐压,已经能覆盖现在的IGBT耐压水平了,且Mosfet的芯片结构比IGBT简单,所以目前没有必要用SiC来做IGBT浪费成本。除非以后需要10kV级别的器件才有可能考虑SiC的IGBT。

不过其实SiC IGBT已经有了,但是只是在高耐压开关的场合小范围内使用,例如某些换流站和牵引站,目前还没有大规模的推广碳化硅的IGBT。

未来是否会大规模的使用SiC来做IGBT呢?

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目前全球都对碳化硅寄予厚望,认为SiC是一种具有巨大潜力和优势的半导体材料,可以用于高压大功率领域,提高电力电子技术的效率和密度。也是一种战略性新材料,对于提升国家科技实力和能源安全有重要意义。

国际上有很多公司和机构在研究和开发SiC器件和应用,如Infineon, Creei, Rohm, STMicroelectronics等。国内如中科院半导体所、中电科、中电49所、中微半导体、华大半导体等。

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但是想用MOSFET完全取代IGBT并没有明确的肯定答案。分析下MOSFET和IGBT各自的优缺点就可知道原因。

MOSFET可以取代低压低电流的IGBT,因为MOSFET有更低的导通损耗和更快的开关速度。但是MOSFET不能取代高压高电流的IGBT,因为MOSFET的耐压能力和电流承受能力都比IGBT低,而且MOSFET的导通损耗会随着电压和电流的增加而急剧增加。

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IGBT可以取代大部分的MOSFET,但是这样做可能会造成性能的浪费和成本的增加,因为IGBT有更高的导通压降和更慢的开关速度。

IGBT功率器件清洗

为应对能源危机和生态环境恶化等问题,世界各国均在大力发展新能源汽车、高压直流输电等新兴应用,促进了大功率电力电子变流装置的广泛应用。大功率变流装置的可靠性对这些应用而言十分重要。装置的可靠性与其核心器件IGBT密切相关。

目前,大量的IGBT仍在采用传统的正溴丙烷等溶剂清洗清洗,随着对环保的管控和对产品可靠性的要求不断提高,原有的传统溶剂清洗已不能满足IGBT清洗。对此,合明提出新型的IGBT清洗方案。

合明科技半水基清洗工艺解决方案,采用合明科技专利配方,可在清洗IGBT凹槽内存在大量的锡膏残留的同时去除金属界面高温氧化膜,更含有保护芯片独特的材料;配方材料亲水性强,清洗后易于用水漂洗干净。

欢迎使用合明科技半水基清洗剂清洗IGBT功率器件。

以上便是IGBT功率器件清洗剂厂,IGBT功率器件的DCB衬底功能介绍,希望可以帮到您!

合明科技运用自身原创的产品技术,满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求,打破国外厂商在行业中的垄断地位,为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。

推荐使用合明科技水基清洗剂产品。

 


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