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苹果试产 3D 堆叠技术 SoIC与先进封装清洗介绍

合明科技 👁 2040 Tags:3D堆叠技术 SoIC技术先进芯片封装清洗

苹果试产 3D 堆叠技术, SoIC未来半导体7月31日消息,台媒 MoneyDJ 援引业界消息称,继 AMD 后,苹果正小量试产最新的 3D 堆叠技术 SoIC(系统整合芯片),目前规划采用 SoIC 搭配 InFO 的封装方案,预计用在 MacBook,最快 2025~2026 年间有机会看到终端产品问世。


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台积电 SoIC 是业界第一个高密度 3D 堆叠技术,通过 Chip on Wafer(CoW)封装技术,可以将不同尺寸、功能、节点的晶粒进行异质整合,并于竹南六厂(AP6)进入量产。其中,AMD 是首发客户,其最新的 MI300 即以 SoIC 搭配 CoWoS。

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业界人士表示,不同于 AMD,苹果规划采用 SoIC 搭配 InFO 的解决方案,主要是基于产品设计、定位、成本等综合考量。若未来 SoIC 顺利导入大宗消费性电子产品,有望创造更多需求及量能,并大幅提升其他大客户的导入意愿。目前 SoIC 技术还刚起步,月产能近 2000 片,预期未来几年将持续翻倍成长。

先进芯片封装清洗:

合明科技研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。

推荐使用合明科技水基清洗剂产品。

 


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