电路板清洗_洗板水_水基清洗剂_工业清洗行业资讯-合明科技

公司资讯行业资讯技术资讯

IGBT模块助焊剂水基清洗剂合明科技分享：智能汽车是消费电子产业局部最具吸引力的一个方向

IGBT模块助焊剂水基清洗剂合明科技分享：智能汽车是消费电子产业局部最具吸引力的一个方向洗板水_水基清洗剂_电路板清洗_半导体清洗_治具清洗_芯片清洗_助焊剂_助焊剂清洗_锡膏清洗_合明科技专注精密电子清洗技术20多年，是SMT贴装/DIP封装，功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封装到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在，在同等的清洗力的情况下，合明科技的兼容性较佳. 先进封装包括倒装芯片、WLCSP晶圆级芯片封装、3D IC集成电路封装、SiP系统级封装、细间距封装等等。近年来，传统消费电子行业逐渐进入本轮产品创新周期的成熟阶段，现有产品市场空间增长速度放缓，产业链竞争加剧。以iPhone为例，在产品方面已多年未推出革命性的创新，每一代新机主要变化为性能提升以及屏幕、摄像头、外观等方面的小幅创新，销量在2015年达到最高的2.31亿部后也已多年未实现突破。2020年下半年以来，全球芯片产能持续紧缺，已经传导到了消费电子领域，上游基带芯片、射频芯片等多种芯片出现涨价或缺货，给消费电子产业链公司带来了成本负担。在消费电子逐渐进入成熟阶段时，市场整体增量逐渐缩小，行业内部竞争变得更为激烈。根据产业链调查，2021年上半年闻泰科技和领益智造均表示，自2020年起已有部分厂商开始恶性压价以抢夺订单。此外，随着中美贸易摩擦带来的不确定性，以及中国人口红利的逐渐减退，消费电子终端巨头苹果公司为寻求供应链的稳定、低成本，逐渐将部分订单从中国大陆抽离，转向越南、印度等新兴国家。对于没有海外产能布局能力的部分中国消费电子供应商而言，业务空间进一步被挤压。从2022年1月各大消费电子厂商发布的2021年业绩预告来看，多家核心公司盈利能力出现明显恶化，侧面印证了消费电子产业竞争加剧的现状。蓝思科技预计2021年归母净利润为20.0-24.0亿元，同比下滑51%-59%，对应第四季度大幅净亏损13.0-17.0亿元；长盈精密预计2021年归属于母公司净亏损为4.9-6.9亿元，同比大幅由盈转亏。为突破困境，消费电子产业链公司不断寻找汽车、VR、电子烟等新的发力点，智能汽车是其中最具吸引力的一个方向。以汽车为例，近年来随着电池、自动驾驶技术的持续进步，以及全球碳中和政策推动，新能源/智能汽车迎来高速成长期。到2025年，全球新能源乘用车销量年复合增长率有望达32%，中国汽车及车后市场规模高达10万亿元，是手机市场的10倍。2021年，中国新能源汽车销量达352万台，同比增长超过160%，预计未来几年仍将保持高速增长。目前L1/L2级智能汽车的新车渗透率约为45%，相当于2012年全球智能手机的渗透水平，预计2025年渗透率将达80%，提升空间较大。随着特斯拉通过垂直整合将造车难度降低，使得电动车产业更接近于电子产业，消费电子企业如苹果、小米开始生产汽车，带动消费电子零部件公司也向汽车业务拓展。例如，立讯精密已成为日产、英菲尼迪、蔚来、众泰、长城、博世的供应商；长信科技车载业务占比由2020年的20%迅速提升至2021年前三季度的40%，2022年有望提升至50%；欣旺达2021年8月发布200亿元动力电池扩产计划，拟于南昌建设生产基地。2月11日，立讯精密发布公告称，公司控股股东立讯有限以100.54亿元购买青岛五道口持有的奇瑞控股19.88%股权、奇瑞股份7.87%股权和奇瑞新能源6.24%股权；公司拟与奇瑞新能源拟共同组建合资公司，专业从事新能源汽车的整车研发及制造。此外，近年随着VR/AR、电子烟等新型消费电子产品逐渐迎来快速增长，消费电子厂商也在积极向此类领域进军。例如，歌尔股份在高端VR/AR设备整机代工领域中市占率接近80%，客户包括Meta(Facebook)、Sony、Pico等；长信科技为Meta（原Facebook）提供最新款VR Quest2显示模组，同时也为国内VR巨头提供VR头显模组；长盈精密取得了国际电子烟公司JUUL Labs的供应商资格并获得订单；科森科技2018年切入电子烟结构件业务。汽车电子核心分支国内消费电子厂商在汽车领域的Tier 1供应商、面板、FPC等环节纷纷发力。Tier 1供应商方面，近日立讯精密控股股东投资超过100亿元与奇瑞汽车进行股权合作，进军新能源汽车的整车制造。2月13日，立讯精密管理层在投资者交流会上表示，未来ODM模式将是新能源/智能汽车领域的重要生产模式，公司将专注于为市场提供产业链的零组部件解决方案，也致力于成为全球汽车零部件Tier 1领导厂商。车载面板方面，国内主要厂商为长信科技等。长信科技主营业务为超薄液晶显示面板、触摸屏用ITO导电玻璃、手机面板视窗材料等，广泛应用于车载屏、手机等场景。公司自2015年进入汽车电子业务，来自汽车电子的营收占比由2020年的20%迅速提升至2021年前三季度的40%，预计2022年将提升至50%以上，具体产品包括中控屏的显示模组、触控模组、盖板等，车载3D盖板产能在2021-2023年分别为50K/月、150K/月、250K/月。汽车FPC方面，国内主要供应商有鹏鼎控股、东山精密、弘信电子等。其中东山精密汽车FPC业务占比相对较大，公司提前五年布局汽车电子和AR/VR业务，目前两块业务的2021年利润占比已经占到公司利润的10%以上。东山精密旗下子公司MFLX自2016年通过特斯拉认证，为特斯拉Model 3提供结构件、冲压件、散热器等；此外东山精密也是特斯拉Model 3电池管理系统检测软板独家供应商，单车价值量约600元。文章来源：研讯社想了解更多关于IGBT功率模块器件清洗的内容，请访问我们的“IGBT功率模块器件清洗”产品与应用！针对电子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验，对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况，自主开发了较为完整的水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在，在同等的清洗力的情况下，合明科技的兼容性较佳，兼容的材料更为广泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多（测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，离子残留低、干净度更好。合明科技摄像模组感光芯片CMOS晶片镜片清洗剂，LED芯片焊后助焊剂锡膏清洗剂、CMOS焊接后清洗剂、FPC电路板清洗剂、SMT元器件封装工艺清洗剂、微波组件助焊剂松香清洗剂、车用IGBT芯片封装水基清洗方案，SMT电子制程水基清洗全工艺解决方案,汽车用 IGBT芯片封装焊后清洗剂,IGBT芯片清洗剂,IGBT模块焊后锡膏清洗剂,IGBT功率半导体模块清洗,SMT锡膏回流焊后清洗剂,PCBA焊后水基清洗剂，系统封装CQFP器件焊后助焊剂清洗剂、SIP芯片焊后清洗剂、BMS电路板焊后清洗剂，半导体分立器件除助焊剂清洗液、半水基清洗剂、IGBT功率模块焊后锡膏水基清洗剂、PCB组件封装焊后水性环保清洗剂、SMT封装焊后清洗剂、精密电子清洗剂、半导体分立器件清洗剂、SMT焊接助焊剂清洗剂、锡嘴氧化物清洗剂、PCBA清洗剂、芯片封装焊后清洗剂、水性清洗剂、FPC清洗剂、BGA植球后清洗剂、球焊膏清洗剂、FPC电路板水基清洗剂、堆叠组装POP芯片清洗剂、油墨丝印网板水基清洗全工艺解决方案、BMS新能源汽车电池管理系统电路板制程工艺水基清洗解决方案、储能BMS电路板水基清洗剂、PCBA焊后助焊剂清洗剂、组件和基板除助焊剂中性水基清洗剂、功率电子除助焊剂水基清洗剂、功率模块/DCB、引线框架和分立器件除助焊剂水基清洗剂、封装及晶圆清洗水基清洗剂、倒装芯片水基清洗、SIP和CMOS芯片封装焊后清洗剂、SMT钢网、丝网和误印板清洗除锡膏、银浆、红胶，SMT印刷机网板底部擦拭水基清洗剂、焊接夹治具、回流焊冷凝器、过滤网、工具清洗除被焙烤后助焊剂和重油污垢清洗剂，电子组件制程水基清洗全工艺解决方案。
FPC清洗剂软硬结合板助焊剂清洗合明科技分享：国内FPC电镀设备企业在大陆市场取得大的进步

FPC清洗剂软硬结合板助焊剂清洗合明科技分享：国内FPC电镀设备企业在大陆市场取得大的进步水基清洗剂,环保清洗剂,电路板清洗,助焊剂清洗剂,半导体清洗,丝网清洗,红胶清洗,治具清洗,功率器件清洗,电路板清洗剂_免洗助焊剂清洗剂合明科技专注精密电子清洗技术20多年，是SMT贴装/DIP封装，功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。近年来，国内FPC电镀设备公司凭借质量稳定可靠、售后服务优良等优势，已逐步进入多家国内外先进FPC制造企业的生产线，取得了一定的市场份额。随着本土企业持续的研发投入及市场开拓，国内FPC电镀设备企业在中国大陆市场上取得了非常大的进步，国内企业在FPC电镀设备的市占率已经超过国外企业。根据观研报告网发布的《2021年中国FPC电镀行业分析报告-产业格局现状与发展机会预测》显示。整体而言，我国FPC电镀设备行业的集中度较高，核心技术掌握在少数几家企业手中，尤其是近年来国内企业追赶脚步加快，加大研发力度，在某些细分领域已经超过国外同行。影响我国FPC电镀行业市场集中度因素分析1、规模经济水平：影响某产业市场集中度高低的基本因素是规模经济。在某一特定市场上，规模经济水平越高，大企业的效率越高，其竞争能力越强，在市场上所占市场份额也就越大，市场集中程度越高。2、市场容量：一般来说，市场容量越大，企业扩张的余地越大，新的企业也越容易进入，大企业所占份额就可能变小，从而市场集中度就会降低。反过来，市场越小，竞争越激烈，企业扩张的余地越小，新企业越难进入，而大企业会凭借雄厚的实力设法兼并挤垮弱小企业。3、进入壁垒：进入壁垒是指潜在进入者处于与已存在的企业相比不利的竞争地位和使已存在企业能长期获取正常利润的因素。若某行业的固定资产投资大，专用性强，技术复杂，老企业较之新企业具有较大的竞争优势，新企业进入要付出很大的代价，则新企业难于进入，市场集中度维持在较高水平。反之，若进入障碍低，新企业易于进入，则会导致集中度下降。观研报告网发布的资料显示，受到经济增长、国家政策与国际环境的多重影响，我国私营企业的发展速度超过了国民经济，我国的私营企业未来仍存在很大的发展空间。来源：观研天下整理针对电子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验，对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况，自主开发了较为完整的水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在，在同等的清洗力的情况下，合明科技的兼容性较佳，兼容的材料更为广泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多（测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，离子残留低、干净度更好。合明科技摄像模组感光芯片CMOS晶片镜片清洗剂，LED芯片焊后助焊剂锡膏清洗剂、CMOS焊接后清洗剂、FPC电路板清洗剂、SMT元器件封装工艺清洗剂、微波组件助焊剂松香清洗剂、车用IGBT芯片封装水基清洗方案，SMT电子制程水基清洗全工艺解决方案,汽车用 IGBT芯片封装焊后清洗剂,IGBT芯片清洗剂,IGBT模块焊后锡膏清洗剂,IGBT功率半导体模块清洗,SMT锡膏回流焊后清洗剂,PCBA焊后水基清洗剂，系统封装CQFP器件焊后助焊剂清洗剂、SIP芯片焊后清洗剂、BMS电路板焊后清洗剂，半导体分立器件除助焊剂清洗液、半水基清洗剂、IGBT功率模块焊后锡膏水基清洗剂、PCB组件封装焊后水性环保清洗剂、SMT封装焊后清洗剂、精密电子清洗剂、半导体分立器件清洗剂、SMT焊接助焊剂清洗剂、锡嘴氧化物清洗剂、PCBA清洗剂、芯片封装焊后清洗剂、水性清洗剂、FPC清洗剂、BGA植球后清洗剂、球焊膏清洗剂、FPC电路板水基清洗剂、堆叠组装POP芯片清洗剂、油墨丝印网板水基清洗全工艺解决方案、BMS新能源汽车电池管理系统电路板制程工艺水基清洗解决方案、储能BMS电路板水基清洗剂、PCBA焊后助焊剂清洗剂、组件和基板除助焊剂中性水基清洗剂、功率电子除助焊剂水基清洗剂、功率模块/DCB、引线框架和分立器件除助焊剂水基清洗剂、封装及晶圆清洗水基清洗剂、倒装芯片水基清洗、SIP和CMOS芯片封装焊后清洗剂、SMT钢网、丝网和误印板清洗除锡膏、银浆、红胶，SMT印刷机网板底部擦拭水基清洗剂、焊接夹治具、回流焊冷凝器、过滤网、工具清洗除被焙烤后助焊剂和重油污垢清洗剂，电子组件制程水基清洗全工艺解决方案。
倒装芯片封装除助焊剂残留物清洗液合明科技分享：英特尔的先进封装技术介绍

倒装芯片封装除助焊剂残留物清洗液合明科技分享：英特尔的先进封装技术介绍水基清洗剂,环保清洗剂,电路板清洗,助焊剂清洗剂,半导体清洗,丝网清洗,红胶清洗,治具清洗,功率器件清洗,电路板清洗剂_免洗助焊剂清洗剂合明科技专注精密电子清洗技术20多年，是SMT贴装/DIP封装，功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。在之前的报道《先进封装最强科普》和《巨头们的先进封装技术解读》中，我们对高级封装的必要性和基本概述以及重点逻辑产品提供的主要类型、内存和图像传感器封装模式进行了介绍。在本文里，我们将讨论热压粘合 (thermocompression bonding：TCB) 以及该领域的 3 家主要工具厂商 ASM Pacific、Kulicke 和 Soffa 以及 Besi。热压键合是标准倒装芯片工艺的演变，但涉及许多优点和缺点，我们也将在此讨论。热压键合 (TCB) 用于所有当前形式的 HBM 存储器。英特尔的大部分封装技术也使用 TCB。英特尔对该技术压下了非常大的赌注，将其作为其封装需求的驱动力，而台积电根本没有效仿。我们将讨论这项技术如何以及英特尔在其开发中的独特作用，这使他们能够成为先进封装的领导者，但我们还将讨论一些缺点。英特尔希望继续在 TCB 工具上花费数亿美元的订单，用于在亚利桑那州、新墨西哥州的扩张以及在马来西亚新建的 70亿美元封装设施中。我们将首先解释该技术、英特尔在该技术开发中的主要作用，最后是工具生态系统。要了解TCB的优势，首先要说一下倒装芯片封装的弊端。如在《巨头们的先进封装技术解读》中所述，标准倒装芯片工艺从沉积助焊剂或非导电浆料开始。然后，芯片放置工具将芯片准确地放置在基板、中介层或载体上。这是在批处理过程中完成的，因此许多封装可以一次放置它们的裸片。然后将放置的模具组进入回流炉，这也是一个批处理过程。将数十个、数百个甚至数千个封装放入烤箱中，加热到使焊料熔化的温度以完成粘合，然后继续进行后续步骤，例如去除助焊剂残留物和底部填充。这个过程非常快，但也有一些主要缺点。最大的问题与热膨胀系数 (coefficient of thermal expansion：CTE) 有关。因为整个封装由许多不同的材料组成，在回流炉中加热会导致这些不同的材料以不同的速率膨胀。下面我们将举个例子，虽然这不是最好的类比，但还是有参考意义。如果你曾经烤过馅饼，你就会知道馅饼皮，馅饼的馅料不会以同样的速度膨胀。如果您对几个不同的因素不小心，您的馅料最终会在外壳的顶层沸腾并使外壳湿透。随着芯片和基板膨胀和冷却，CTE 的差异会导致翘曲。此外，由于芯片是放置后重新焊接的，焊球可能无法与每个铜焊盘完美接触，从而导致芯片间隙变化。最后，Die可能无法完全平整放置。随着时间的推移，这些小问题会累积起来，导致早期故障或更差的电气性能。业界只能关注许多原始的无源中介层技术。AMD 基于Fiji的 GPU 的故障率非常高，因为该过程没有产生完美的粘合，最终热循环导致产品无法正常工作。随着 TSMC 和 ASE/SPIL 学会了如何进行基于中介层的封装，这些可靠性问题随着时间的推移而有所改善，但尚未完全解决。在温度不稳定且封装频繁在高温和低温之间循环的环境中，这些问题仍然比较常见。来到热压粘合。虽然我们无需在批处理过程中放置芯片并将整个组件运送到回流炉，而是使用单一工具放置单个芯片，施加压力并加热它们以回流焊球。这种方式解决了标准倒装芯片的几个主要问题。从芯片顶部加热，因此只有芯片和 C4 焊接连接会发热。这避免了基板翘曲问题。该力确保均匀粘合，没有间隙变化或倾斜。最后，当施加该力时，会伴随着快速振动，从而破坏铜焊盘和焊球上的金属氧化。几乎没有空隙和污染的粘合。TCB 在相同的 IO 间距下实现更好的电气特性。TCB 允许 IO 间距缩放到更小的尺寸。TCB 还可以封装更薄的芯片和封装。后者是 HBM 使用 TCB 的原因，也是华为在移动芯片市场上尝试使用 TCB 的原因。与标准倒装芯片工艺流程相比，TCB 似乎是一种完全更好的技术，但这忽略了一个主要因素。再看成本，一个先进的 TCB 工具每小时可放置 500 到 1,000 个Die，成本约为 125 万美元。另一方面，先进的倒装芯片芯片放置工具每小时可放置 3,000 到 10,000 个芯片，成本约为 450k。这些数字差异很大，具体取决于精度与吞吐量的权衡以及工具可能附带的各种功能，但其明显的标准倒装芯片的吞吐量要高得多。回流炉非常便宜，可以处理许多贴片工具的输出，因此成本不值得担心。令人好奇的是，英特尔拥有近 300 种 TCB 工具，而在马来西亚的封装工厂，这些工具的数量翻倍。这 300 种工具远远超过了英特尔的先进封装用途。英特尔在许多非高级封装应用中使用 TCB，在这些应用中，标准的倒装芯片工艺非常适合。SemiAnalysis 私下与一位英特尔封装工程师进行了交谈，理由很有趣。鉴于英特尔在高功率和高利润应用中占有很大份额，产量损失和可靠性问题远远超过了每单位封装工具的微不足道的摊销成本。此外，这些工具在封装类型方面提供了很大的灵活性。英特尔可以对标准封装、2.5d 封装和高级 3d 封装使用相同的工具。上图来自der8auer，它展示了具有多种间距尺寸的 Intel Sapphire Rapids 服务器 CPU。EMIB 的间距为 55 微米，其余的Die与封装连接的间距为 100 微米。虽然理论上这在没有 TCB 的情况下是可能的，但考虑到焊盘和焊帽尺寸的差异，在现实世界中的实施要容易得多。当英特尔转向 Foveros Omni 时，TCB 的功能真正开始大放异彩。我们在上述文章中讨论了该技术，但铜柱和 ODI 裸片使 Foveros Omni 几乎无法使用标准倒装芯片工艺进行封装。第一款 Foveros Omni 产品将是英特尔的 Meteor Lake，这是一种大众市场客户端架构，专为 5W SOC 一直到高功率台式机而设计。尽管包含许多裸片，Omni 仍可大幅节省制造成本，为 IP 选择最佳工艺节点并最小化裸片尺寸以提高产量。该封装具有 130 微米、100 微米和 36 微米的各种凸块间距。高级 3D 逻辑封装不仅适用于高性能应用。台积电、三星和许多其他公司将无法进行这种封装，除非他们在 TCB 上投入巨资。十多年来，英特尔一直在共同开发 TCB 工具，因此竞争对手很难立即转向这项技术。台积电的 InFO 采用标准倒装芯片流程，同时由于基板更昂贵，可能是一种更昂贵的封装技术。台积电没有先进的封装，而是在商品标准的 ABF 基板上，这阻碍了他们在成本方面能够将先进封装降低多远。同时，InFO 确实具有我们在第 2 部分中讨论的一些主要优势，即与 RDL 内的复杂布线相关，无需使用硅片。混合键合的功能超出了倒装芯片 TCB 所能提供的任何功能，但该技术在成本和性能曲线上的运行点完全不同，这削弱了其在中期内增加产量的能力。这将在未来讨论。英特尔对 TCB 的支持使他们能够围绕各种 IP 创建可选性，并在许多不同的节点上制造许多不同的块，而不会对 die-to-die 连接造成很大的损失。设计方面的策略细节在这篇关于英特尔台积电晶圆供应协议的文章中进行了讨论。TCB 也已在 HBM 应用中采用。HBM die需要非常薄。上图只有 4 个堆栈，但随着行业扩展到 8 个堆栈甚至更多，三星、SKHynix 和美光必须使用 TCB。在 SKHynix 即将推出的 12 堆栈 HBM3 中，对裸片薄度的要求变得如此极端，每个裸片都被减薄到 30 微米。凹凸间距同样非常密集。目前启用 HBM 堆栈的唯一方法是使用 TCB 技术，但业界期待可能使用更奇特的封装形式，例如混合键合。由于 TCB 是封装极薄芯片的最佳技术，因此 TCB 还通过使用 OSAT 和 IDM 封装的旗舰设备中的手机应用进行了试验。三星、高通/Amkor 和华为/ASE 在一些与封装上封装 (PoP) DRAM 相关的应用中使用了 TCB。OSAT 开始订购越来越多的 TCB 工具，但最大的订单仍然来自英特尔及其定制的共同开发的 TCB 平台。关于这些其他用例需要注意的重要一点是，它们与英特尔的工具不同，它们也不是为高功率或高性能应用而设计的。ASM Pacific、Kulicke 和 Soffa 以及 Besi 之间的市场对 TCB 来说是非常活跃的，并且每家都在不同的领域表现出色。这导致每个人都有自己的利基市场。订单簿正在大幅上升，但由于它们各自占据的利基市场，这三个方面并不一致。文章来源：半导体行业观察针对电子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验，对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况，自主开发了较为完整的水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在，在同等的清洗力的情况下，合明科技的兼容性较佳，兼容的材料更为广泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多（测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，离子残留低、干净度更好。合明科技摄像模组感光芯片CMOS晶片镜片清洗剂，LED芯片焊后助焊剂锡膏清洗剂、CMOS焊接后清洗剂、FPC电路板清洗剂、SMT元器件封装工艺清洗剂、微波组件助焊剂松香清洗剂、车用IGBT芯片封装水基清洗方案，SMT电子制程水基清洗全工艺解决方案,汽车用 IGBT芯片封装焊后清洗剂,IGBT芯片清洗剂,IGBT模块焊后锡膏清洗剂,IGBT功率半导体模块清洗,SMT锡膏回流焊后清洗剂,PCBA焊后水基清洗剂，系统封装CQFP器件焊后助焊剂清洗剂、SIP芯片焊后清洗剂、BMS电路板焊后清洗剂，半导体分立器件除助焊剂清洗液、半水基清洗剂、IGBT功率模块焊后锡膏水基清洗剂、PCB组件封装焊后水性环保清洗剂、SMT封装焊后清洗剂、精密电子清洗剂、半导体分立器件清洗剂、SMT焊接助焊剂清洗剂、锡嘴氧化物清洗剂、PCBA清洗剂、芯片封装焊后清洗剂、水性清洗剂、FPC清洗剂、BGA植球后清洗剂、球焊膏清洗剂、FPC电路板水基清洗剂、堆叠组装POP芯片清洗剂、油墨丝印网板水基清洗全工艺解决方案、BMS新能源汽车电池管理系统电路板制程工艺水基清洗解决方案、储能BMS电路板水基清洗剂、PCBA焊后助焊剂清洗剂、组件和基板除助焊剂中性水基清洗剂、功率电子除助焊剂水基清洗剂、功率模块/DCB、引线框架和分立器件除助焊剂水基清洗剂、封装及晶圆清洗水基清洗剂、倒装芯片水基清洗、SIP和CMOS芯片封装焊后清洗剂、SMT钢网、丝网和误印板清洗除锡膏、银浆、红胶，SMT印刷机网板底部擦拭水基清洗剂、焊接夹治具、回流焊冷凝器、过滤网、工具清洗除被焙烤后助焊剂和重油污垢清洗剂，电子组件制程水基清洗全工艺解决方案。
引线框架清洗陶瓷基板水基清洗合明科技分享：军用塑封元器件可靠性研究

引线框架清洗陶瓷基板水基清洗合明科技分享：军用塑封元器件可靠性研究水基清洗剂,环保清洗剂,电路板清洗,助焊剂清洗剂,半导体清洗,丝网清洗,红胶清洗,治具清洗,功率器件清洗,电路板清洗剂_免洗助焊剂清洗剂合明科技专注精密电子清洗技术20多年，是SMT贴装/DIP封装，功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。摘要：在气密性陶瓷封装、金属封装元器件在体积、重量、性能等方面无法满足使用要求时，设计师不得不选用塑封元器件，且军用塑封器件多是来自国外进口。航空航天等高可靠领域对塑封器件的使用日益广泛，但尚缺乏统一的标准规范指导选用，用户单位需要根据塑封器件常见的故障模式和失效机理，采用X光、声扫、高温高压蒸煮试验以及老炼筛选等手段，评价塑封器件的可靠性，增加使用塑封器件的信心。 0 引言塑封材料的升级改进和生产工艺技术的日渐提高，可以有力提升塑封器件的可靠性水平。武器系统朝着高性能、小型化、轻型化和高集成化的方向发展，陶瓷和金属封装的元器件在小型化和轻型化方面不能满足要求，随着塑封器件可靠性的提高，军用领域已经逐步大量接受并使用进口塑封元器件，国产塑封器件在材料和工艺方面相比国外差距较大，存在不容忽视的使用可靠性问题。本文介绍了塑封元器件的故障模式和机理，研究采用针对性的可靠性评价技术（鉴定试验），以提高用户在高可靠领域使用塑封器件的信心。 1 塑封料与引线框架介绍 1.1 塑封料的组成与作用塑封料是一种多组分的高分子复合材料，主要由一种高分子热固性树脂所组成，其中包括多种有机成分和无机成分。塑封料的基本构成包括：聚合物：主要作用是无机物和有机物的桥梁；催化剂：主要作用是加快交联反应速度；填充剂：主要作用是提高物理性能，降低膨胀系数、吸水性和成本；添加剂：主要作用是提高脱模性能，改善流动性、提高材料的阻燃性能、染色、降低杂质含量等。 1.2 引线框架的基本性质引线框架的主要作用是承托芯片和外引管脚，连接器件与印刷电路板，实现器件功能与印制板金属介质的互通，目前市场上的基材主要分为铜质和铁质两种。一般选用铁质引线导线框架，表面镀铜，铜的特点为导电性与导热度都极佳。在工程应用中，一方面应尽量寻找膨胀系数接近的引线框架和塑封料，另一方面增加塑封料与框架间的粘合力，用来消除温度变化过程中不同材料之间产生的不平衡应力。 2 塑封元器件失效分析 2.1 温度失效军用元器件的温度一般介于 -55℃ ~125℃之间，工业级塑封元器件工作温度介于 -40℃ ~85℃之间，而商用塑封器件温度在 0℃ ~70℃之间。对于塑封元器件在高可靠领域的应用，必须考虑其温度范围。并且，塑封器件相对于陶封、金封器件，散热性能较差，这也是需要充分考虑，降额设计的关键因素。由于军用塑封器件相比民用产品要经历更为严苛的环境条件，比如机械振动、低气压、高低温差、盐雾、砂尘、辐照等，其中严酷温差的变化引起的热胀冷缩效应，导致器件内部结构之间产生内部应力。内部应力作用在塑封器件的管芯、引线框架、引线及塑封材料等结构处，可能在薄弱环节处产生裂纹、变形、拉扯、扭曲等可靠性问题，尤其容易造成键合引线的断裂；如果支撑管芯的框架因为内部应力而产生裂纹，将导致器件散热性能下降，对管芯造成损伤，影响器件的长期使用可靠性等。 2.2 潮气入侵失效一系列文献研究表明湿气侵入封装是造成该失效的主要原因。塑封体本身吸湿特性和塑封料与引线框架的界面浸入是湿气侵入塑封器件的主要两种方式。塑封元器件潮气侵入往往是上述两种方式综合作用的结果。潮气的侵入往往伴随着杂质离子的污染，这是导致塑封器件失效的重要因素，随着塑封器件生产工艺的提高，塑封材料的改进以及钝化层技术的发展，塑封器件的可靠性水平逐步提升，降低了杂质离子污染管芯的几率。潮气入侵严重威胁塑封元器件的可靠性，通过HAST（高加速应力试验）试验发现，潮气入侵塑封元器件内部出现的故障模式主要有以下三种： (1) 第一种为钝化层开裂，潮气及其附带的杂质离子可以通过钝化层裂纹侵入芯片内部，威胁内部芯片金属系统； (2) 第二种为键合点退化，潮气及其附带的杂质离子对键合点产生腐蚀作用，导致键合力下降，接触不良影响电性能； (3) 第三种是芯片开裂，芯片结构遭到破坏，极可能引发功能失效。为了定量评价塑封集成电路耐潮气影响的能力，IPC/JEDEC 制定了一套关于潮气敏感度的标准（详情搜索J-STD-020），该标准主要用于帮助 IC 制造商用以确认并定义其所生产的元器件到底符合哪种潮湿敏感度等级，不同敏感度等级的元器件有相应的使用贮存要求，用户也应将其做为一个重要考核项目，作为选择器件的重要参考。 2.3 内部分层失效塑封体的分层主要由于内应力造成 , 内部分层将导致钝化层开裂、管芯开裂、电路键合性能退化等现象，是导致电路失效的重要原因。内应力产生的主要原因有两种：一是塑封料在高温下会发生液化再固化的过程，在这个过程中塑封料会产生收缩，而塑封料和接触界面的不同材料的热膨胀系数不一致所产生的应力，当不同部位的应力差达到一定值，将造成器件损伤。不同材料拥有不同的热膨胀系数，因此在温度变化条件下，不可避免的会产生内部应力，当内部应力足够大时有可能在薄弱环节产生裂纹、变形等可靠性问题，内部水分和杂质离子的不断积累，容易造成塑封元器件内部电化学腐蚀，对塑封器件的长期使用可靠性造成隐患。在焊接期间，塑封器件上的热源主要来自以下三种：气相回流焊加热、红外回流焊加热和波峰焊加热。峰值温度在220℃ ~265℃左右，持续时间在 5~40s 左右。湿气容易在塑封料和引线框架结合不好处扩散，焊接期间的高温将会使水汽变成高压蒸汽，造成塑封器件内部产生应力导致开裂，从而引发“爆米花现象”。 3 相关标准及指南 3.1 PEM-INST-001《塑封微电路选择、筛选和鉴定指南》 PEM-INST-001《塑封微电路选择、筛选和鉴定指南》是由美国 NASA 发布，该指南对塑封器件的选择和使用给出了指导性建议，需要强调的是该文件不是标准，而是指导使用方降低塑封器件使用风险的指南。选择塑封器件是基于其功能优势和可用性，而不是为了节省成本，保证塑封器件可靠性所必需的步骤通常会抵消任何初始明显的成本优势。该指南中指出塑封器件质量水平难以表征的原因主要有以下三个方面 : (1) 对塑封器件制造商的专有设计、材料、芯片的追溯以及生产工艺和程序了解不足； (2) 没有权威机构对塑封器件的产品质量进行监督，制造商内部建立的可靠性保障体系没有得到保证和控制，使得同一制造商的不同批次的产品不可以同等接收； (3) 良性环境下工作的塑封器件能否在恶劣的环境下提供可接受的性能和可靠性没有评估。要严格控制塑封器件的来源，塑封器件市场鱼龙混杂，良莠不齐，要选用来源正规的生产厂家，杜绝假冒伪劣塑封产品；其次还需要对塑封器件进行全面测试和老炼筛选试验，以剔除早期失效，并在鉴定中进行全参数电测试、环境适应性试验、封装特性评价试验、稳态寿命试验等来评估塑封器件的质量可靠性。该指南指出通过筛选和鉴定试验，对具体的热、机械和辐射影响进行全面评估，增加了未知可靠性的塑封器件应用在高可靠领域用户的使用信心。塑封器件的使用仅在性能需求、军用高可靠性领域无替代产品、项目愿意接受高风险的前提下选用。该指南提出塑封元器件典型鉴定试验流程如图 1 所示。（该指南中指出：若不是考虑到经济因素，HTOL 试验与温度循环试验可采用不同样品进行。）3.2 GJB 7400-2011《合格制造厂认证用半导体集成电路通用规范》国内塑封半导体集成电路鉴定检验主要依据 GJB 7400-2011《合格制造厂认证用半导体集成电路通用规范》进行，标准包括了器件应满足的质量和可靠性保证要求，并规定了塑封半导体器件质量保证等级：N 级。 GJB 7400-2011 中 4.4 节鉴定检验中描述“鉴定检验应按附录 B 中 B.2.4.2 和 B2.4.3 的规定进行”，但附录 B 中并无相应条款，国内大多数单位按规范“表 6 塑封 QML 器件 D 组检验”来完成塑封器件的鉴定考核，作者认为 D 组项目中最为核心的为 D3 和 D4 分组试验项目，如表 1 所示。3.3 比较分析图 1 和表 2 比较，可以明显看出 GJB 7400-2011 给出的塑封器件鉴定项目及条件比 PEM-INST-001 提出的鉴定项目严酷的多。目前国产塑封器件按 N 级进行鉴定试验，大多数是无法通过 D4a）组试验，主要原因 4a）组中的热冲击和温度循环试验样品 22 只是叠加进行的，且 -65℃ ~+150℃的温度范围也十分严苛。热冲击主要考察塑封材料在温度急剧变化，热胀冷缩可能造成材料的开裂、接触不良、性能变化等现象；而温度循环侧重在测定器件承受极端高低温的能力，以及极端高低温交替变化对器件的影响，当样品经受极端温度循环时，塑封内部各材料热膨胀系数不匹配，缺陷部位会受应力不断扩大，从而导致失效。同一组样品经受 100次热冲击和 1000 次温度循环后，大多数产品会失效，进行S-CAM 检查时，经常会发现芯片与塑封料的大面积分层。国内一些单位无法通过 GJB 7400-2011 的 N 级考核，又苦于无其他标准指导，只能降低 N 级项目的考核要求，改变样品分组和降低试验条件形成所谓的 N1 级考核，典型条件如表 2 所示。4 结束语塑封器件在高可靠领域的应用是科技发展的必然趋势，高可靠性塑封产品的研制和生产需求越发紧迫。目前 GJB7400-2011 为塑封器件主要的军用参考标准，其提出的鉴定项目及条件过于严苛，个人认为不适用于实际需要，推动塑封产品的应用不仅要从产品设计、工艺改进着手，还需要器件生产厂家、鉴定机构与标准化院所三方共同努力：一方面，军用元器件使用主机厂所要为器件生产厂家提供需求牵引；一方面，三方应协调沟通主动作为，促进具有权威且结合实际具有指导意义的标准体型的建立，为器件生产厂家和器件使用单位提供参考依据。作者：何冰（中国空空导弹研究院）针对电子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验，对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况，自主开发了较为完整的水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在，在同等的清洗力的情况下，合明科技的兼容性较佳，兼容的材料更为广泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多（测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，离子残留低、干净度更好。合明科技摄像模组感光芯片CMOS晶片镜片清洗剂，LED芯片焊后助焊剂锡膏清洗剂、CMOS焊接后清洗剂、FPC电路板清洗剂、SMT元器件封装工艺清洗剂、微波组件助焊剂松香清洗剂、车用IGBT芯片封装水基清洗方案，SMT电子制程水基清洗全工艺解决方案,汽车用 IGBT芯片封装焊后清洗剂,IGBT芯片清洗剂,IGBT模块焊后锡膏清洗剂,IGBT功率半导体模块清洗,SMT锡膏回流焊后清洗剂,PCBA焊后水基清洗剂，系统封装CQFP器件焊后助焊剂清洗剂、SIP芯片焊后清洗剂、BMS电路板焊后清洗剂，半导体分立器件除助焊剂清洗液、半水基清洗剂、IGBT功率模块焊后锡膏水基清洗剂、PCB组件封装焊后水性环保清洗剂、SMT封装焊后清洗剂、精密电子清洗剂、半导体分立器件清洗剂、SMT焊接助焊剂清洗剂、锡嘴氧化物清洗剂、PCBA清洗剂、芯片封装焊后清洗剂、水性清洗剂、FPC清洗剂、BGA植球后清洗剂、球焊膏清洗剂、FPC电路板水基清洗剂、堆叠组装POP芯片清洗剂、油墨丝印网板水基清洗全工艺解决方案、BMS新能源汽车电池管理系统电路板制程工艺水基清洗解决方案、储能BMS电路板水基清洗剂、PCBA焊后助焊剂清洗剂、组件和基板除助焊剂中性水基清洗剂、功率电子除助焊剂水基清洗剂、功率模块/DCB、引线框架和分立器件除助焊剂水基清洗剂、封装及晶圆清洗水基清洗剂、倒装芯片水基清洗、SIP和CMOS芯片封装焊后清洗剂、SMT钢网、丝网和误印板清洗除锡膏、银浆、红胶，SMT印刷机网板底部擦拭水基清洗剂、焊接夹治具、回流焊冷凝器、过滤网、工具清洗除被焙烤后助焊剂和重油污垢清洗剂，电子组件制程水基清洗全工艺解决方案。
BGA器件植球焊膏清洗液合明科技分享：CBGA 器件焊接工艺与焊点失效分析

BGA器件植球焊膏清洗液合明科技分享：CBGA 器件焊接工艺与焊点失效分析水基清洗剂,环保清洗剂,电路板清洗,助焊剂清洗剂,半导体清洗,丝网清洗,红胶清洗,治具清洗,功率器件清洗,电路板清洗剂_免洗助焊剂清洗剂合明科技专注精密电子清洗技术20多年，是SMT贴装/DIP封装，功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。摘要：陶瓷球栅阵列(CBGA)封装由于其优异的电性能和气密性等优点而被广泛应用于军事、航空和航天电子制造领域中。CBGA 陶瓷基板与印制电路板(PCB)之间的热失配一直是 CBGA 封装可靠性研究主要关心的问题。对 CBGA 器件装配工艺进行研究，并对焊点在温度循环(-55~+100 ℃)和随机振动条件下的失效机理进行分析。结果表明，焊点在温度循环和随机振动等综合应力作用下发生开裂，器件四角处的焊点最先发生开裂，开裂位置为焊料与陶瓷器件焊盘接触位置。温度循环试验后CBGA 器件焊点形成的 IMC 层厚度略有增加。1 引言随着集成电路封装技术向小型化、高密度和高可靠性等方向发展，阵列封装形式成为当前电子行业的主流技术。陶瓷球栅阵列（Ceramic Ball Grid Array，CBGA）封装作为一种高密度面阵列排布的表面贴装封装形式，近年来被广泛应用于航空航天等高可靠电子产品中。CBGA 封装通过陶瓷基板上的焊球连接电路 I/O 端与印制电路板（Printed Circuit Board，PCB），具有高互连密度、优异的热性能和电性能，且由于其气密性好、抗湿气性能高，封装后的器件长期可靠性较高。然而，CBGA 器件焊点由于其材料和结构特性，陶瓷基板热膨胀系数为 7.5×10 -6 /℃，与 FR4 基板热膨胀系数（17.5×10 -6 /℃）严重不匹配，在温度循环等环境试验中焊点容易发生开裂，导致器件失效。这也是CBGA 封装可靠性研究主要关心的问题。CBGA 器件的组装是一个复杂的工艺过程，对印制板设计、焊膏印刷工艺和再流曲线设置等都有严格要求，任何工艺环节的疏漏都可能影响其最终可靠性。本文采用板级高密度组装生产线开展 CBGA 器件装配工艺研究，通过温度循环、振动等环境试验和金相切片、扫描电子显微镜（SEM）等质量分析手段对CBGA 器件焊点进行分析，并对环境试验后的焊点失效模式进行分析。2 试验方案本试验研究采用的陶瓷球栅阵列封装形式为CBGA272，尺寸为 27 mm×27 mm×3.35 mm，焊球直径为 0.76 mm，焊盘节距为 1.27 mm，焊球成分为90Pb10Sn。表贴用 PCB 选用 FR4 为基材，尺寸为160 mm×100 mm×2.35 mm，焊盘表面处理采用热风整平锡铅工艺。回流焊接所用焊膏成分为62Sn36Pb2Ag，其熔点为 179 ℃。采用板级高密度组装生产线开展 CBGA 器件装焊工作。表贴完成后采用 X-Ray 设备和微间隙设备检查 CBGA 器件贴装精度，确保装配满足要求后进行回流焊接。试验共导入 2 条焊接曲线，具体参数如表 1 所示。1# 曲线设置除满足 CBGA 器件焊接外，同时考虑无铅 PBGA 器件有铅化焊接，2# 曲线设置除满足CBGA 器件焊接外，还考虑无铅 PBGA 器件混装焊接。CBGA 器件焊接完成后四角采用环氧胶进行加固。焊接完成后采用 X-ray 设备检查 CBGA 器件焊点是否存在桥连、空洞等。采用微间隙设备检查 CBGA器件焊点形态有无偏移等问题，进而对比分析 2 条焊接曲线焊点质量。试验完成后，选取最优回流曲线焊接 CBGA 器件，并对 CBGA 焊点开展可靠性试验，分析经历过环境试验后焊点的内部结构和开裂形式。温度循环和振动试验条件依据标准 ECSS-Q-ST-70-38C《高可靠表贴及混装焊接技术》执行，具体试验条件如表 2 所示。环境试验后，借助金相切片方法，通过显微镜观察焊点截面情况，检查焊点是否存在虚焊、桥连等缺陷，分析焊点失效模式。依据 GB/T16594-2008 标准通过扫描电子显微镜（SEM）观察器件侧和印制板侧焊点金属间化合物（IMC）变化情况。IMC 层厚度平均值通过 SEM 确定成分界面，借助图像分析软件获得IMC 面积然后除以界面长度所得。 3 结果与讨论3.1 CBGA 器件回流焊接试验结果采用多通道实时温度测试仪对 FR4 基板进行温度测试，热电偶探头分别监测空气、CBGA 器件、塑封BGA（PBGA）器件和表贴焊盘等区域的温度点。其中，CBGA 和 PBGA 器件主要监测器件中心点的温度，热电偶位置如图 1 所示。上述测试点的实测温度曲线如图 2 所示。以 62Sn36Pb2Ag 液相线 179 ℃为基准线，对 2 条回流焊接工艺曲线进行温度-时间定量分析，其中 PBGA 器件为有铅无铅混装焊接，以Sn+Pb+Ag 3 Sn+Cu 6 Sn 5 四元共晶结构重熔混合焊点的熔化起始温度 204 ℃为基准线进行温度-时间定量分析，分析结果如表 3 所示。多次实测温度曲线并进行分析，CBGA 器件焊点较表贴焊盘升温慢，降温慢，液相线时间较表贴器件长；CBGA 器件焊点温度比表贴焊盘温度低 15 ℃左右；保温段结束后，陶瓷器件焊点与表贴焊盘温差基本为零；CBGA 器件与大尺寸 PBGA 实测温度曲线基本一致，峰值温度相差不大。2# 曲线 PBGA 混合焊点混沌区起始温度（204 ℃）以上时间为 70 s，符合混装工艺曲线要求。采用 1# 曲线焊接的 CBGA 器件及 PBGA 器件焊点，未见桥连、虚焊等缺陷。CBGA 器件焊点微间隙典型图片如图 3 所示，焊料润湿焊球一圈，焊球略有偏移。采用 2# 曲线焊接的 CBGA 和 PBGA 器件 X-Ray照片如图 4 所示，采用微间隙设备对器件四周焊点进行检查，发现焊点润湿饱满，满足欧空局等相关标准要求，焊点典型图片如图 5 所示。对比焊接 1# 曲线和2# 曲线，2# 曲线焊点外观形貌较 1# 曲线润湿饱满，排除焊球氧化和贴片误差导致的偏移，分析认为 2# 曲线较 1# 曲线峰值温度升高，保温段和液相线以上时间增长，实际焊接过程中陶瓷器件受热更加均匀，焊料润湿均匀。考虑项目需求和整板焊接时所有器件的热容，优选 2# 曲线进行后续环境试验。3.2 环境试验结果 3.2.1 微间隙设备检查采用 2# 曲线焊接试验板，焊点检验满足要求后，对制备得到的试验板进行环境试验。环境试验先开展50 次温度循环，然后进行随机振动，随后继续进行 50次温度循环摸底。通过微间隙设备、金相切片以及SEM 测试等方法对 CBGA 器件焊点进行分析。焊接完成后，采用微间隙设备检查所有 CBGA 器件外围焊点外观情况，焊点润湿良好，无偏移等缺陷。环境试验后部分焊球开始发生偏移。由于陶瓷基板与FR4 基板存在热失配，在温度循环作用下，大部分焊球发生偏移，焊球偏移量与器件中心距离成正比，中间焊球偏移最少，越靠近器件四角焊球偏移越严重，偏移方向朝器件中心偏移，同一焊球在不同阶段的外观情况如表 4 所示。振动试验后，焊球偏移量无明显变化；随着温度循环次数的继续增加焊球偏移量愈加严重。 3.2.2 金相切片及 SEM 分析 3.2.2.1 温度循环 + 振动试验结果选取所有试验件中焊点外观质量最差的一个器件进行金相切片，切片位置为器件焊点外观最差的一边及斜对角。CBGA 器件斜对角焊点代表性金相切片图片如图 6 所示，图 6(a)为焊点整体外观图，图 6(b)~(d)分别为左侧焊点、中间焊点、右侧焊点金相图片。金相切片结果表明焊球形态与微间隙设备观察一致，焊球偏移量与器件中心距离越大，偏移程度越大，偏移方向朝器件中心偏移。观察所有焊点图片发现 CBGA器件焊点润湿良好，环境试验后焊点无明显开裂等异常。 CBGA 器件所用陶瓷基板与 FR4 基板存在热失配，在周期性的温度循环过程中，两者变形程度不同，导致焊点产生应力集中。CBGA 器件安装到 FR4 基板上应变随温度变化计算公式为：Δx=D NP ×ΔT×(C TE1 -C TE2 )。Δx 为热失配材料应变量；D NP (Distance from Neutral Point)为距器件中心点的距离；ΔT 为温度变化范围；C TE1 、C TE2 分别为 2 种材料的热膨胀系数。可见，应变量与 2 种材料的热失配程度和服役温度差呈正相关，且器件尺寸越大，D NP 越大，应变量越大。从文献中可知，该尺寸 CBGA 器件在该应用环境下需谨慎应用。陶瓷基板与 FR4 基板热膨胀系数相差较大，温度循环过程中，FR4 基板在高温的作用下发生延伸，温度降低时，基板来不及收缩导致焊球朝向器件中心挤压，低温时 FR4 基板发生收缩，温度升高时，基板恢复导致焊球仍呈挤压状态，造成应力集中。在周期性的温度循环作用下，焊球偏移量加大。中间焊球偏移量最小或者不偏移，距器件中心点距离越大，焊球偏移越严重，偏移方向朝向器件中心。 SEM 结果表明，CBGA 器件焊点在元件侧以及PCB 焊盘侧均形成了较为均匀连续的 IMC 层，测量结果如表 5 所示，SEM 代表性照片见图 7。3.2.2.2 温度循环 + 振动 + 温度循环试验结果振动试验后继续进行温度循环摸底，试验完成选取所有试验件中焊点外观质量最差的一个器件进行金相切片，切片位置为器件焊点外观最差的一边及斜对角。CBGA 器件斜对角焊点代表性金相切片图片如图 8 所示，图 8(a)为焊点整体外观图，图 8(b)~(d)分别为左侧焊点、中间焊点、右侧焊点金相图片。金相切片结果表明随着温度循环次数的增加，四角焊球进一步偏移，焊料随着焊球偏移出现严重不均匀分布，中间焊球基本无偏移，焊料分布变化不大；四角焊点出现开裂，开裂位置出现在锡铅焊料与器件焊盘之间。温度循环所导致的焊球偏移进一步造成焊点在振动试验过程中受力不均匀，焊点存在损伤风险，可能诱发裂纹产生。随着温度循环的继续，周期性的温度应力造成焊球偏移加剧，促使焊点裂纹产生、扩展。由于 90Pb10Sn 焊球的弹性模量（E=19.10 GPa）远低于 62Sn36Pb2Ag 焊料（与 63Sn37Pb 共晶焊料E=43.25 GPa 相近），延伸率高，在温度载荷和机械载荷交互作用的环境下，62Sn36Pb2Ag 焊料与陶瓷器件焊盘接触位置产生较大的应力集中，首先萌生裂纹，随着温度循环的继续，裂纹沿焊料与器件焊盘接触界面一直扩展，最终导致焊点失效。 SEM 结果表明，随着温度循环的继续，不论是元件侧还是 PCB 焊盘侧 IMC 厚度均有一定程度的增加，测量结果如表 6 所示。这是因为温度循环过程中，随着多次高温停留时间的累积，Sn 和 Cu 之间的固态反应使 IMC 层继续生长变厚。但 SEM 分析可知（如图 9 所示），IMC 层并未发生明显变质，其厚度仍在行业所接受的合理范围 0.5~4 μm 之间。4 结束语本文采用板级高密度组装生产线开展 CBGA 器件焊接工艺研究，获得满足标准要求的焊点。通过温度循环和振动等环境试验考核，借助金相切片、SEM等工艺质量分析手段研究得出：热失配致使焊球在温度循环作用下发生偏移，四角焊球偏移最严重，中间焊球偏移最少。焊球在温度循环和随机振动等综合应力作用下发生开裂，器件四角处的焊点最先发生开裂，开裂位置为焊料与陶瓷器件焊盘接触位置。温度循环试验后 CBGA 器件焊点在元件侧以及 PCB 焊盘侧形成的 IMC 层厚度略有增加。文章作者：李苗孙晓伟宋惠东程明生 (中国电子科技集团公司第三十八研究所)针对电子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验，对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况，自主开发了较为完整的水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在，在同等的清洗力的情况下，合明科技的兼容性较佳，兼容的材料更为广泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多（测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，离子残留低、干净度更好。合明科技摄像模组感光芯片CMOS晶片镜片清洗剂，LED芯片焊后助焊剂锡膏清洗剂、CMOS焊接后清洗剂、FPC电路板清洗剂、SMT元器件封装工艺清洗剂、微波组件助焊剂松香清洗剂、车用IGBT芯片封装水基清洗方案，SMT电子制程水基清洗全工艺解决方案,汽车用 IGBT芯片封装焊后清洗剂,IGBT芯片清洗剂,IGBT模块焊后锡膏清洗剂,IGBT功率半导体模块清洗,SMT锡膏回流焊后清洗剂,PCBA焊后水基清洗剂，系统封装CQFP器件焊后助焊剂清洗剂、SIP芯片焊后清洗剂、BMS电路板焊后清洗剂，半导体分立器件除助焊剂清洗液、半水基清洗剂、IGBT功率模块焊后锡膏水基清洗剂、PCB组件封装焊后水性环保清洗剂、SMT封装焊后清洗剂、精密电子清洗剂、半导体分立器件清洗剂、SMT焊接助焊剂清洗剂、锡嘴氧化物清洗剂、PCBA清洗剂、芯片封装焊后清洗剂、水性清洗剂、FPC清洗剂、BGA植球后清洗剂、球焊膏清洗剂、FPC电路板水基清洗剂、堆叠组装POP芯片清洗剂、油墨丝印网板水基清洗全工艺解决方案、BMS新能源汽车电池管理系统电路板制程工艺水基清洗解决方案、储能BMS电路板水基清洗剂、PCBA焊后助焊剂清洗剂、组件和基板除助焊剂中性水基清洗剂、功率电子除助焊剂水基清洗剂、功率模块/DCB、引线框架和分立器件除助焊剂水基清洗剂、封装及晶圆清洗水基清洗剂、倒装芯片水基清洗、SIP和CMOS芯片封装焊后清洗剂、SMT钢网、丝网和误印板清洗除锡膏、银浆、红胶，SMT印刷机网板底部擦拭水基清洗剂、焊接夹治具、回流焊冷凝器、过滤网、工具清洗除被焙烤后助焊剂和重油污垢清洗剂，电子组件制程水基清洗全工艺解决方案。
IGBT助焊剂环保清洗液合明科技分享：IGBT-电力电子行业的“CPU”

IGBT助焊剂环保清洗液合明科技分享：IGBT-电力电子行业的“CPU”水基清洗剂,环保清洗剂,电路板清洗,助焊剂清洗剂,半导体清洗,丝网清洗,红胶清洗,治具清洗,功率器件清洗,电路板清洗剂_免洗助焊剂清洗剂合明科技专注精密电子清洗技术20多年，是SMT贴装/DIP封装，功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。1. 功率半导体：电子装置电能转换与电路控制的核心功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心。功率半导体是一种广泛用于电力电子装置和电能转换和控制电路的半导体元件，可通过半导体的单向导电性实现电源开关和电力转换的功能。功率半导体具有能够支持高电压、大电流的特性，主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功率控制等。除保障电路正常运行外，因其能够减少电能浪费，功率半导体还能起到节能、省电的作用。图表1. 功率半导体原理图表2. 功率半导体功能2. 功率半导体=功率器件+功率 IC 功率半导体按器件集成度可以分为功率分立器件和功率 IC 两大类。功率分立器件包括二极管、晶体管和晶闸管三大类，其中晶体管市场规模最大，常见的晶体管主要包括 IGBT、MOSFET、BJT（双极结型晶体管）。功率 IC 是指将高压功率器件与其控制电路、外围接口电路及保护电路等集成在同一芯片的集成电路，是系统信号处理部分和执行部分的桥梁。图表3. 功率半导体产品范围示意图3. IGBT：电力电子行业的“CPU” 兼具 MOSFET 及 BJT 两类器件优势，IGBT 被称为电力电子行业的 “CPU”。IGBT 全称绝缘栅双极晶体管，是由 BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。 IGBT 具有电导调制能力，相对于 MOSFET 和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降，因此兼具有 MOSFET 的高输入阻抗 MOSFET 器件驱动功率小、开关速度快、BJT 器件饱和压降低、电流密度高和 GTR 的低导通压降的优点。图表4：3种类型英飞凌 IGBT 结构示意图图表 5. IGBT 结构图4. IGBT发展史：历经七代技术演进，产品性能逐代提升历时超 30 年，IGBT 已经发展至第七代，各方面性能不断优化。目前为止，IGBT 芯片经历了七代升级：衬底从 PT 穿通，NPT 非穿通到 FS 场截止，栅极从平面到 Trench 沟槽，最后到第七代的精细 Trench 沟槽。随着技术的升级，芯片面积、工艺线宽、通态功耗、关断时间、开关功耗均不断减小，断态电压由第一代的600V升至第七代7000V。图表 6. IGBT 技术演进图表 7. IGBT 芯片技术发展5. 下游应用：新能源汽车、轨交等新兴领域打开市场空间低压 IGBT 多用于消费、汽车、家电领域，中高压 IGBT 多用于轨交、智能电网领域。IGBT 下游应用领域广泛，按电压等级划分，超低压（400-500V）IGBT 主要应用于消费电子领域，低压（600-1350V）IGBT 多应用于电动汽车、新能源、智能家电领域，中压（1400-2500V）IGBT 多应用于轨道交通、新能源发电领域，高压（2500-6500V）IGBT 多应用于轨道牵引、智能电网领域。目前，IGBT 作为新型功率半导体器件的主流器件，其应用领域包含工业、 4C（通信、计算机、消费电子、汽车电子）等传统产业领域，以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。图表8. IGBT的主要应用领域图表9. IGBT 芯片技术发展6. 市场规模：2022 年全球 IGBT 市场规模有望达到 57 亿美元2017-2022 年全球 IGBT 市场规模 CAGR 达 7.04%，中国市场主要应用包括新能源汽车、工控、消费电子。受益于工业控制及电源行业市场的逐步回暖，以及下游的变频家电、新能源汽车等领域的迅速发展，全球及中国 IGBT 市场规模持续增长。根据 WSTS 数据，预计 2022 年全球 IGBT 市场规模将达到近 57 亿美元，2017-2022 年 CAGR 达到 7.04%。从下游应用领域规模占比来看，2020 年中国 IGBT 市场应用以新能源汽车、工业控制及消费电子类为主，占比分别为 30%、27%及 22%。图表10. 全球 IGBT 市场规模（单位：亿美元）图表11. 2020 年中国 IGBT 市场下游应用占比7. 市场格局：海外大厂占据主要市场，中国企业追赶空间大 IGBT 市场英飞凌市占率全面领先，2020 年斯达半导跻身 IGBT 模块市场前六。根据 Omdia 数据，2020 年 IGBT 分立器件市场及 IGBT 模块市场规模前三的企业均为英飞凌、富士电机及三菱。其中英飞凌 IGBT 市场市占率全面领先，IGBT 分立器件和 IGBT 模块的市占率分别为 29.3%和 36.5%。在 IGBT 分立器件市场中，中国企业士兰微进入全球前十，2020 年市场份额为 2.6%；在 IGBT 模块市场中，2020 年斯达半导跻身全球第六，市场份额为 3.3%。图表12. 2020 年全球 IGBT 分立器件市场格局图表13. 2020年全球 IGBT 模块市场格局8. 国内外重点公司布局情况（1）中国 IGBT 产业链图表15. 中国 IGBT 产业链①斯达半导：国内 IGBT 龙头企业，全球 IGBT 模块市占率第六嘉兴斯达半导体股份有限公司成立于 2005 年 4 月，主要从事功率半导体芯片和模块尤其是 IGBT 芯片和模块研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业。公司在全球 IGBT 模块市场市占率为 3.3%，全球排名第六，国内排名第一，是国内 IGBT 领军企业。公司的产品广泛应用于工业控制和电源、可再生能源、新能源汽车、白色家电等领域。 2021 年前三季度，公司实现营收 11.97 亿元，同比增长 79.11%，归母净利润 2.67 亿元，同比增长 98.71%。图表16. 斯达半导发展历程斯达半导在中高压 IGBT 产品全面布局，定增加码车规 SiC 芯片研发。公司第六代 FS-Trench 650V/750V IGBT 芯片及在新能源汽车行业使用比率持续提升；1200V IGBT 芯片在 12 寸产线上开发成功并开始批量生产; 1700V IGBT 芯片及配套的快恢复二极管芯片在风力发电行业、高压变频器行业规模化装机应用。汽车级 IGBT 模块合计配套超过 20 万辆新能源汽车；同时，公司在车用空调，充电桩等领域的布局将助力公司在新能源汽车半导体市场占有率进一步提高。 2021 年公司发布增发预案，募集资金总额不超过 35 亿元，主要用于高压特色工艺功率芯片及 SiC 芯片的研发。未来，公司将持续加大在下一代IGBT芯片、车规级 SiC 芯片以及 3300V-6500V 高压 IGBT 的研发力度。图表17.各类 IGBT 产品应用②时代电气：轨交电气龙头，高压 IGBT 产品实现国产替代中车时代电气是中国中车旗下股份制企业。公司于 2006 年在香港联交所主板上市，2021 年科创板上市，实现 A+H 股两地上市。功率半导体领域，公司建有 6 英寸双极器件、8 英寸 IGBT 和 6 英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。公司全系列高可靠性 IGBT 产品打破了轨道交通核心器件和特高压输电工程关键器件由国外企业垄断的局面。目前正在解决新能源汽车核心器件自主化问题。2021 年前三季度公司实现营收 85.3 亿元，同比下降 13.7%。归母净利润 12.02 亿元，同比下降 19.7%。图表18. 时代电气发展历程公司的产品包括 IGBT 芯片、 IGBT 模块、双极功率组件、晶闸管、 IGCT、 SiC SBD、SiC MOSFET、SiC 模块等。在 IGBT 领域，公司产品已从 650V 覆盖至 6500V，在电压范围上可完美对标英飞凌。公司高压 IGBT 产品大量应用于我国轨交核心器件领域；中低压 IGBT 产品主要应用于新能源汽车领域，目前公司最新一代产品已向包括一汽、长安在内的国内多家龙头汽车整车厂送样测试验证，未来看好公司车规级 IGBT 发展。图表19. 时代电气功率产品应用③士兰微：产能持续落地，产品高端化进程顺利士兰微成立于 1997 年 9 月，2003 年 3 月公司在上交所上市。目前已发展成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体（IDM）的企业之一。公司被国家发展和改革委员会、工业和信息化部等国家部委认定为 “国家规划布局内重点软件和集成电路设计企业”，且陆续承担了国家科技重大专项“01 专项”和“02 专项”多个科研专项课题。公司主要产品包括集成电路、半导体分立器件、LED（发光二极管）产品。公司拥有 5、6、8 英寸芯片生产线和正在建设的 12 英寸芯片生产线和先进化合物芯片生产线。产品方面，公司完成了国内领先的高压BCD、超薄片槽栅 IGBT、超结高压 MOSFET、高密度沟槽栅 MOSFET、快恢复二极管、 MEMS 传感器等工艺的研发，形成了较完整的特色工艺制造平台。2020 年 MOSFET 市场公司排名全球第十，中国大陆第三，市占率 2.2%。IGBT 分立器件市场公司排名全球第十，中国大陆第一，市占率 2.6%。2021 年前三季度营收 52.22 亿元，同比增长 76.18%；实现归母净利润 7.28 亿元，同比增长 1543.4% 。图表20. 士兰微发展历程④华润微：国内功率 IDM 龙头，积极布局第三代半导体华润微成立于 2003 年，自 2004 年起连续被工信部评为中国电子信息百强企业。公司是国内领先的掌握芯片设计、制造、封测一体化运营能力的 IDM 企业。主营产品包括MOSFET 、IGBT 、FRD 、SBD等功率器件。在MOSFET领域中，公司是国内少数能够提供100V至1500V范围内低、中、高压全系列 MOSFET产品的企业。同时，公司成功研发1200V和650VSiC肖特基二极管产品。此外，公司国内首条6英寸商用SiC 晶圆生产线正式量产。 2020年MOSFET市场公司排名全球第八，中国大陆第一，市占率达到3.9%。 2021年前三季度营收69.28亿元，同比增长41.70%；实现归母净利润16.84亿元，同比增长145.20% 。图表21. 华润微发展历程⑤新洁能：全面布局 MOS、IGBT 产品，设计龙头技术高端化优势明显新洁能成立于 2013 年，目前已成长为国内 8 英寸及 12 英寸芯片投片数量最大的功率半导体公司之一，公司连续四年名列“中国半导体功率器件十强企业”。目前公司已经掌握 MOSFET、IGBT 等多款产品的研发核心技术。是国内最早同时拥有沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET 及 IGBT 四大产品平台的本土企业之一。产品电压覆盖 12V~1700V 的全系列产品，是国内 MOSFET、IGBT 等半导体功率器件市场占有率排名领先的企业。此外，公司在 SiC/GaN 第三代半导体器件亦有所布局。2021 年前三季度公司营收 10.99 亿元，同比增长 65%，归母净利润 3.11 亿元，同比增长 208%。图表22. 新洁能发展历程⑥扬杰科技：产品高端化布局开启第二成长曲线扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于 2006 年，于 2014 年 1 月 23 日在深交所上市。公司是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化（IDM）的杰出厂商。公司已连续数年入围"中国半导体功率器件十强企业"前三强。公司主营产品为包括分立器件芯片、整流器件、保护器件、小信号、MOSFET、IGBT 等。其中二极管、整流桥类产品在国内占据领先地位。产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源、家电等领域。IGBT：8 英寸工艺的 1200V Trench FS IGBT 芯片及对应模块开始风险量产，IGBT 高频系列模块、IGBT 变频器系列模块等也取得批量订单。MOSFET ：公司持续优化提高 Trench MOSFET 和 SGT MOS 系列产品性能，扩充产品品类。公司 2021 年前三季度公司营收 32.41 亿元，同比增长 75.76%，归母净利润 5.65 亿元，同比增长 115.17%。图表23. 扬杰科技发展历程⑦闻泰科技：以半导体为核心，安世引领国产功率半导体闻泰科技于 2006 年创立，2008 年主营业务转型升级为 ODM，2016 年借壳中茵股份“曲线上市”。2018 年收购功率半导体 IDM 企业安世半导体打通了产业链上下游从芯片设计、晶圆制造、半导体封装测试全流程，并拥有自建模具厂和完善的智能化生产线。安世半导体是全球领先的功率半导体制造商。据安世数据显示，公司全球整体市占率达到 8.4%，其中在小信号二极管和晶体管、ESD 保护器件全球排名第一，PowerMOS 汽车领域、逻辑器件全球排名第二，小信号 MOSFET 排名第三。 2021 年前三季度公司营业收入 386.5 亿元，同比增长 0.8%。归母净利润 20.4 亿元，同比下降 9.64%。图表24. 闻泰科技发展历程业务方面，公司主要业务为通信（ODM）、半导体、光学模组业务。其中公司在收购安世半导体后，经营整合的协同效应逐步显现。未来，公司将以半导体业务为核心，完成产能、产品中远期布局，同时打造半导体与产品集成业务创新互动的协同格局，业绩实现放量增长。2020 年公司半导体业务实现营收 98.92 亿元，同比增长 522%，营收占比提升至 19%。产能方面，公司在全球各地设有工厂，其中今年完成了对英国 NEWPORT 厂的收购，月产能增加3.2万片8寸等效晶圆。同时，在上海临港新建的12寸晶圆厂目前建设进展顺利，预计明年三季度投片，年产能达40万片12寸晶圆。产品方面，公司目前超100V的MOSFET 料号数超过100种，IGBT 第一批料号目前也已进入流片阶段。图表25. 闻泰科技&安世半导体产能文章来源：智能汽车电子与软件想了解更多关于IGBT功率模块器件清洗的内容，请访问我们的“IGBT功率模块器件清洗”产品与应用！针对电子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验，对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况，自主开发了较为完整的水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在，在同等的清洗力的情况下，合明科技的兼容性较佳，兼容的材料更为广泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多（测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，离子残留低、干净度更好。合明科技摄像模组感光芯片CMOS晶片镜片清洗剂，LED芯片焊后助焊剂锡膏清洗剂、CMOS焊接后清洗剂、FPC电路板清洗剂、SMT元器件封装工艺清洗剂、微波组件助焊剂松香清洗剂、车用IGBT芯片封装水基清洗方案，SMT电子制程水基清洗全工艺解决方案,汽车用 IGBT芯片封装焊后清洗剂,IGBT芯片清洗剂,IGBT模块焊后锡膏清洗剂,IGBT功率半导体模块清洗,SMT锡膏回流焊后清洗剂,PCBA焊后水基清洗剂，系统封装CQFP器件焊后助焊剂清洗剂、SIP芯片焊后清洗剂、BMS电路板焊后清洗剂，半导体分立器件除助焊剂清洗液、半水基清洗剂、IGBT功率模块焊后锡膏水基清洗剂、PCB组件封装焊后水性环保清洗剂、SMT封装焊后清洗剂、精密电子清洗剂、半导体分立器件清洗剂、SMT焊接助焊剂清洗剂、锡嘴氧化物清洗剂、PCBA清洗剂、芯片封装焊后清洗剂、水性清洗剂、FPC清洗剂、BGA植球后清洗剂、球焊膏清洗剂、FPC电路板水基清洗剂、堆叠组装POP芯片清洗剂、油墨丝印网板水基清洗全工艺解决方案、BMS新能源汽车电池管理系统电路板制程工艺水基清洗解决方案、储能BMS电路板水基清洗剂、PCBA焊后助焊剂清洗剂、组件和基板除助焊剂中性水基清洗剂、功率电子除助焊剂水基清洗剂、功率模块/DCB、引线框架和分立器件除助焊剂水基清洗剂、封装及晶圆清洗水基清洗剂、倒装芯片水基清洗、SIP和CMOS芯片封装焊后清洗剂、SMT钢网、丝网和误印板清洗除锡膏、银浆、红胶，SMT印刷机网板底部擦拭水基清洗剂、焊接夹治具、回流焊冷凝器、过滤网、工具清洗除被焙烤后助焊剂和重油污垢清洗剂，电子组件制程水基清洗全工艺解决方案。
裸芯片组装助焊剂清洗剂合明科技分享：裸芯片封装和晶圆级封装技术

裸芯片组装助焊剂清洗剂合明科技分享：裸芯片封装和晶圆级封装技术水基清洗剂,环保清洗剂,电路板清洗,助焊剂清洗剂,半导体清洗,丝网清洗,红胶清洗,治具清洗,功率器件清洗,电路板清洗剂_免洗助焊剂清洗剂合明科技专注精密电子清洗技术20多年，是SMT贴装/DIP封装，功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。裸芯片封装/晶圆级封装（WLP）裸芯片封装和晶圆级封装技术：覆晶（倒装）技术FC覆晶技术是一种裸芯片组装技术，TFT-LCD驱动芯片常用的COF封装可以认为是典型的覆晶案例。在传统微电子组装技术中，芯片一般使用外部封装壳，芯片通过线焊方式与封装壳连接，芯片一般以晶背朝下，管脚朝上的方式放置。将封装壳与PCB板焊接后，这一放置方式延续不变，即芯片的晶背靠近PCB板。但是，在覆晶技术中芯片不需要与外部封装壳进行线焊，转而使用焊接方式将芯片与封装壳或PCB板相连，所以芯片的晶背朝上，管脚朝向PCB板，因此与传统方式中芯片的放置方式相反，故被称为覆晶，也称为倒装。基板芯片连接技术COB基板芯片连接技术（Chip on Board，COB）是一种常用的裸芯片组装形式。在实际应用案例中，COB形式大量出现于芯片早期试验阶段及低端产品中。由于某些芯片功能较单一，所需的输入输出管脚数较少，使用COB方式可以节省封装成本，最典型的例子应属手机SIM卡。COB制作时一般先将晶圆切片粘贴在目标板表面，然后采用Wire bonding的方式将晶圆切片的管脚与目标板上相应的管脚连接。制做完成后将芯片、金属连接线、目标板上的管脚均用液态胶覆盖，用以隔离外界污染和保护线路。由于COB方式直接将晶圆切片组装在PCB板上，使得采用该种方式的PCB板损坏后不可维修，且COB方式组装工序较多，使用较为不便。基于上述原因，裸芯片组装技术在应用中多以覆晶技术为主。COF/COG在塑料封装体中，引线框与芯片之间通过银胶进行物理连接，还与塑封料直接接触，在产品塑封、回流焊及使用中，受热时各种材料均会膨胀，所以，要求各种材料间要有良好的热膨胀匹配性。晶圆级封装技术WLP晶圆级封装是裸芯片封装的主要技术之一，主要涉及扇入型（fan-in）和扇出型（fan-out）两种封装类型。WLP封装时裸片还在晶圆上。一般来说，WLP是一种无基板封装。WLP利用由布线层（routing layers）或重新布线层（RDL）构成的薄膜来代替基板，该薄膜在封装中提供电气连接。RDL不会直接与电路板连接。相反，WLP会在封装体底部使用锡球，从而将RDL连接到电路板。水基清洗剂,环保清洗剂,电路板清洗,助焊剂清洗剂,半导体清洗,丝网清洗,红胶清洗,治具清洗,功率器件清洗,电路板清洗剂_免洗助焊剂清洗剂合明科技专注精密电子清洗技术20多年，是SMT贴装/DIP封装，功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。裸芯片封装/组装目前伴随芯片功能的提升，芯片的工作频率大幅增加。从MHz到GHz，芯片的工作频率有了质的飞跃。芯片对外围电路的要求也越严苛。微秒，纳秒级的延迟都会使数据传输出现严重错误。如何消除信号在外部电路传输时的延迟效应是设计人员不能回避的问题。在传统封装中晶圆切片与封装壳的连接方式会引入新的负面因素—Wire bonding金属线和封装壳引脚，过长的信号线会使信号传输时受寄生RC的影响出现延迟，同时也易受到干扰。而使用裸芯片技术减少了芯片传输线的长度，从而使芯片信号的延迟大大减少。裸芯片技术在减小封装体体积的同时，还将大大提高信号传输品质，这也是与其他封装技术相比裸芯片封装技术的重要优势。但是，裸芯片技术由于在封装中没有封装壳的保护，芯片晶背暴露在外，存在被损坏的风险。所以裸芯片虽然能在绝大多数应用领域取代传统封装形式的芯片，但是绝对不能百分之百点对点可代替。现有的芯片封装技术在面对封装尺寸进一步缩小，封装成本进一步下降的需求时，有些力不从心。在现有封装技术中晶圆切片的实际尺寸已经很小，制约封装尺寸缩小的因素是封装方式本身（即便是使用CSP封装，封装比为1.14，仍然有14%的空间被浪费）。而适时引入裸芯片技术则可很好的解决上述问题。若将裸芯片组装于新的封装基材上，则称为裸芯片封装，若将裸芯片直接组装在PCB板上，则称为裸芯片组装。裸芯片封装/组装是指在芯片与目标板（封装基板或PCB板）的连接过程中，裸芯片为原始的晶圆切片形式，芯片没有经过预先的封装而直接与目标板连接。引入裸芯片封装，可以减少由封装壳产生的额外的体积，将标准的半导体封装芯片直接更换成无封装的裸芯片，可使研发人员直接获得该芯片理论上的最小尺寸，从而提高PCB板布线空间的利用率。如图中所示，18M的同步SRAM在使用不同的封装形式时，至少可以节省70%的空间。裸芯片封装是一个独特的类别，包括COB(主板芯片:直接连接到主PCB上的芯片线编解码器)和COF/COG(Flex或玻璃上的芯片)，后者是将芯片直接翻转到显示器的玻璃或弯曲电路上。晶圆级封装（WLP）晶圆级封装（WLP）就是在封装过程中大部分工艺过程都是对晶圆（大圆片）进行操作，对晶圆级封装（WLP）的需求不仅受到更小封装尺寸和高度的要求，还必须满足简化供应链和降低总体成本，并提高整体性能的要求。针对电子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验，对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况，自主开发了较为完整的水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在，在同等的清洗力的情况下，合明科技的兼容性较佳，兼容的材料更为广泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多（测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，离子残留低、干净度更好。合明科技摄像模组感光芯片CMOS晶片镜片清洗剂，LED芯片焊后助焊剂锡膏清洗剂、CMOS焊接后清洗剂、FPC电路板清洗剂、SMT元器件封装工艺清洗剂、微波组件助焊剂松香清洗剂、车用IGBT芯片封装水基清洗方案，SMT电子制程水基清洗全工艺解决方案,汽车用 IGBT芯片封装焊后清洗剂,IGBT芯片清洗剂,IGBT模块焊后锡膏清洗剂,IGBT功率半导体模块清洗,SMT锡膏回流焊后清洗剂,PCBA焊后水基清洗剂，系统封装CQFP器件焊后助焊剂清洗剂、SIP芯片焊后清洗剂、BMS电路板焊后清洗剂，半导体分立器件除助焊剂清洗液、半水基清洗剂、IGBT功率模块焊后锡膏水基清洗剂、PCB组件封装焊后水性环保清洗剂、SMT封装焊后清洗剂、精密电子清洗剂、半导体分立器件清洗剂、SMT焊接助焊剂清洗剂、锡嘴氧化物清洗剂、PCBA清洗剂、芯片封装焊后清洗剂、水性清洗剂、FPC清洗剂、BGA植球后清洗剂、球焊膏清洗剂、FPC电路板水基清洗剂、堆叠组装POP芯片清洗剂、油墨丝印网板水基清洗全工艺解决方案、BMS新能源汽车电池管理系统电路板制程工艺水基清洗解决方案、储能BMS电路板水基清洗剂、PCBA焊后助焊剂清洗剂、组件和基板除助焊剂中性水基清洗剂、功率电子除助焊剂水基清洗剂、功率模块/DCB、引线框架和分立器件除助焊剂水基清洗剂、封装及晶圆清洗水基清洗剂、倒装芯片水基清洗、SIP和CMOS芯片封装焊后清洗剂、SMT钢网、丝网和误印板清洗除锡膏、银浆、红胶，SMT印刷机网板底部擦拭水基清洗剂、焊接夹治具、回流焊冷凝器、过滤网、工具清洗除被焙烤后助焊剂和重油污垢清洗剂，电子组件制程水基清洗全工艺解决方案。
倒片封装Flip-Chip芯片助焊剂清洗液合明科技分享：Plasma清洗在 Flip-Chip工艺中的重要作用

倒片封装Flip-Chip芯片助焊剂清洗液合明科技分享：Plasma清洗在 Flip-Chip工艺中的重要作用水基清洗剂,环保清洗剂,电路板清洗,助焊剂清洗剂,半导体清洗,丝网清洗,红胶清洗,治具清洗,功率器件清洗,电路板清洗剂_免洗助焊剂清洗剂合明科技专注精密电子清洗技术20多年，是SMT贴装/DIP封装，功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。摘要: 随着半导体芯片封装技术的发展，倒装芯片封装技术，其杰出的电气和热性能，高 I/O 引脚数，以及其封装集成较高的优势，使其在芯片封装行业中得到了快速的发展。芯片的高密度引脚封装也其对封装可靠性也提出了更高的要求，而在 Flip-Chip 工艺过程中基板上的污染物和氧化物是导致封装中基板与芯片 Bump 键合失效的主要因素。为使芯片与基板能达到有效的键合，在 Bond 之前将基板进行 plasma 清洗，以提高其键合的可靠性。通过介绍 plasma 清洗原理、过程，以及水滴角，推力测试等实验，论证了在 Flip-Chip Bond 之前对基板进行 plasma 清洗能有效的提高产品键合的可靠性。随着现代电子制造技术的发展，Flip – Chip Bond 封装技术得到了广泛的应用，但问题也随之而来，因前端工艺的需要，生产过程中避免不了在基板上残留一些有机物或其他污染物，而且在烘烤工艺中也会使基板 pad 金手指镀金层下的 Ni 元素上移到表面。如不能有效的去除这些污染物，会使随后在 Flip– Chip Bond 工艺中导致芯片上 Bump 与基板 pad 键合不佳、分层，甚至出现键合焊接不上(漏焊，少焊)的情况。而传统清洗工艺中的湿法清洗如 CFC 清洗、ODS 类清洗等因环境、成本的限制以及现代电子组装技术、精密机械制造的进一步发展，对清洗技术提出更的要求。相对于传统的湿法清洗，干法清洗特别是以等离子清洗技术为主的清洗技术在这些方面有较大优势。 1 Plasma清洗原理通常物质以固态、液态、气态 3 种状态存在，而 Plasma 是物质存在于 3 种物质状态之外的另一种状态，及在一些特殊的情况下物质原子内的电子脱离原子核的吸引，使物质呈为正负带电粒子状态。它的清洗原理就是在一组电极施以射频电压，区域内的气体被电极之间形成的高频交变电场激荡下，形成等离子体。活性等离子对被清洗物进行物理撞击或化学反应作用，使被清洗物表面物质变成粒子和气态物质，然后在经过抽真空排出，以达到清洗目的。 Plasma 清洗过程中与材料表面产生的反应主要有两种方式，一种是靠等离子对被清洗件表面作纯物理撞击作用。常用的气体有不活泼气体如氩气(Ar)、氮气(N 2 )等。另一种则是靠等离子中的自由基来做化学反应，常用的活泼气体有氢气(H 2 )、氧气(O 2 )等。 a)图示 1，表示氩气(Ar)等离子体以纯物理撞击方式来打破有机物的化学键并使表面污染物脱离基板。研究表明在压力较低时，离子的能量越高，因而在物理撞击时，离子的能量越高，撞击作用越强，所以若要以物理反应为主时，应在较小压力下来进行反应，这样清洗效果较好。b) 图示 2 表示活性气体 O 2 在电离情况下，其等离子体里的高活性自由基与材料表面做化学反应，且在压力较高时，对自由基的产生较有利，所以若要以化学反应为主时，应选择在高压下进行反应。2 实验验证在选取氧气和氩气作为 plasma 清洗条件时，综合考虑产品元件，以及氧气 plasma 清洗过程中容易在清洗元件表面产生新的氧化物，造成二次污染，而氩气等离子清洗的机理是通过粒子动能产生的物理清洗且氩气是惰性气体，在等离子清洗中不会与产品元器件发生化学反应，可以保持元件表面的化学纯净性，不会造成二次污染。所以以下实验只选用单一气体氩气作为 plasma 清洗的工艺气体。 2． 1 水滴角实验方案:本实验通过对未清洗，传统(超声波 + 电子氟化液)湿清洗、plasma 清洗的三种状态下的基板分别进行水滴角测试，对水滴角大小来判定清洗效果。实验条件:10 等级无尘室，传统清洗与 plasma 清洗分别在清洗后 30 分钟进行水滴角测量。实验设备:运用 Phoenix-Pico/Nano 型号的接触角测定仪进行水滴角大小进行测定。实验材料:基于 AL 2 O 3 的陶瓷基板。实验结果:从图 3 和表 1 的实验数据显示未清洗基板水滴角最大，其次是传统清洗，水滴角最小的是经过 plasma 清洗后的基板，表明 plasma 清洗效果明显优于传统清洗的效果。 2． 2 键合后推力 test 验证实验方案:本实验通过对所需 Bond 的基板在未清洗、传统清洗、plasma 清洗三种状态的基板分别在进行 Filp – Chip Bond，且在 Bond 后进行推力实验，以及键合的状态进行比较分析来判断清洗方式对键合的影响。实验条件:10 等级无尘室，对三种状态的基板 Filp – Chip Bond。实验设备: 用型号 Nordson DAGE ( DAGE-SEＲIES-4000PXY)多功能焊接强度测试仪进行推力测试;推力治具在受到持续加大的推力时芯片分离基板，测试仪记录芯片分离时所用的最大推力。实验结果:通过表 2 的实验结果表明基板通过 plasma 清洗之后芯片上的 Bump(Au)与基板上的 pad 之间的键合程度明显优于未清洗和传统清洗的基板。说明 plasma 清洗能有效的清除 Bond pad上的污染物等，从而使 Bump(Au)与 Bond pad 产生更多的键结使之得到充分的焊接。 2． 3 比较分析芯片分离基板之后基板 pad 上的 Bump 状态将芯片分离之后观察分析芯片上的 Bump 是否保留在基板Pad 上，从而判定 Bump(Au)与基板 pad 键合的有效性。通过试验可以比较基板在三种状态下分别进行 Flip-Chip Bond，并对制品进行 Push out 测试，比较分析基板上保留的 Bump 数量。测试结果: (1)从图 6 可以看出在基板未清洗状态下，Bond 后将芯片与基板分离，有较大部分 Bump 并没有键合到基板 pad 上(少球率:(32/72)* 100% =47%)，虽然金球(Au)经 Flip-Chip Bond后芯片 bump 已变形但是在少球的基板 pad 上并没有 Bump 的残留物，未得到有效键合此状态为失效。 (2) 从图 7 显示在基板传统清洗状态下并经。Flip-Chip Bond 后将芯片分离，任有部分 Bump 并没有有效的键合到基板pad 上(少球率:(10/72)* 100% =13%}，虽然 Bump 经压合后已变形且可以看出基板 pad 上有少量金球(Au)的残留，但从前面的推力实验可以看出其平均推力为:1363． 78gf;而芯片 Bump的最小剪切力大于 72* 19 = 1389gf 此推力较低，其 Bond 键合可靠性较低。 (3) 基板在 plasma 清洗状态下并经过 Bond 后将芯片分离，芯片上的 Bump 全部转移到基板的 Bond pad 上(少球率:0%)，芯片 Bump 与 pad 得到了充分的焊接，完全达到了倒装工艺对产品焊接的要求，提高了键合的可靠性。4 成分比较分析将基板在未清洗、传统清洗、plasma 清洗三种状态下，对基板 pad 的提取物进行成分分析，通过杂质的含量多少来判断清洗的效果。测试条件与设备: Model2100 Trift II TOF-SIMS (Physical Electronics，USA) TOF-SIMSAnalysis Conditions: Primarylon Beam: Gallium LMIG (bunched) PrimaryBeam Energy: 15KeV Testregion: 100* 100(um 2 )200* 200(um 2 ) ChargeNeutralization: used 测试结果:a)在为进行清理的基板 pad 上提前物有较多的杂质且含量最高。b)在进行传统清洗之后基板 pad 上提取物杂质含量有所降低，但杂质种类任然较多，影响键合质量。 c)在进行 plasma 清洗之后基板 pad 上提取物杂质明显得到了降低。测试结果表明未清洗与传统清洗中基板 pad 上的杂质含量明显多于 plasma 清洗之后的杂质含量。而基板 bond pad 上杂质含量是影响基板与芯片 bump 键合质量的主要因素。 5 结论本文验证了 plasma 清洗在 Flip-Chip Bond 工艺中起的重要作用，通过对基板进行 plasma 清洗能够有效的清除基板因前端工艺而残留的杂质，从而在 Flip-Chip Bond 工艺中使芯片的Bump 与基板上的 Pad 更能够有效的键合，提高其键合的可靠性。而且相对于传统湿法清洗工艺来说更为绿色环保，成本更低。文章来源：陈天虎姚泽鑫李键城东莞高伟(COWELL)光学电子有限公司针对电子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验，对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况，自主开发了较为完整的水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在，在同等的清洗力的情况下，合明科技的兼容性较佳，兼容的材料更为广泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多（测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，离子残留低、干净度更好。合明科技摄像模组感光芯片CMOS晶片镜片清洗剂，LED芯片焊后助焊剂锡膏清洗剂、CMOS焊接后清洗剂、FPC电路板清洗剂、SMT元器件封装工艺清洗剂、微波组件助焊剂松香清洗剂、车用IGBT芯片封装水基清洗方案，SMT电子制程水基清洗全工艺解决方案,汽车用 IGBT芯片封装焊后清洗剂,IGBT芯片清洗剂,IGBT模块焊后锡膏清洗剂,IGBT功率半导体模块清洗,SMT锡膏回流焊后清洗剂,PCBA焊后水基清洗剂，系统封装CQFP器件焊后助焊剂清洗剂、SIP芯片焊后清洗剂、BMS电路板焊后清洗剂，半导体分立器件除助焊剂清洗液、半水基清洗剂、IGBT功率模块焊后锡膏水基清洗剂、PCB组件封装焊后水性环保清洗剂、SMT封装焊后清洗剂、精密电子清洗剂、半导体分立器件清洗剂、SMT焊接助焊剂清洗剂、锡嘴氧化物清洗剂、PCBA清洗剂、芯片封装焊后清洗剂、水性清洗剂、FPC清洗剂、BGA植球后清洗剂、球焊膏清洗剂、FPC电路板水基清洗剂、堆叠组装POP芯片清洗剂、油墨丝印网板水基清洗全工艺解决方案、BMS新能源汽车电池管理系统电路板制程工艺水基清洗解决方案、储能BMS电路板水基清洗剂、PCBA焊后助焊剂清洗剂、组件和基板除助焊剂中性水基清洗剂、功率电子除助焊剂水基清洗剂、功率模块/DCB、引线框架和分立器件除助焊剂水基清洗剂、封装及晶圆清洗水基清洗剂、倒装芯片水基清洗、SIP和CMOS芯片封装焊后清洗剂、SMT钢网、丝网和误印板清洗除锡膏、银浆、红胶，SMT印刷机网板底部擦拭水基清洗剂、焊接夹治具、回流焊冷凝器、过滤网、工具清洗除被焙烤后助焊剂和重油污垢清洗剂，电子组件制程水基清洗全工艺解决方案。
芯片封装助焊剂锡膏水基清洗液合明科技分享：嵌入式芯片EPC封装技术介绍

芯片封装助焊剂锡膏水基清洗液合明科技分享：嵌入式芯片EPC封装技术介绍水基清洗剂,环保清洗剂,电路板清洗,助焊剂清洗剂,半导体清洗,丝网清洗,红胶清洗,治具清洗,功率器件清洗,电路板清洗剂_免洗助焊剂清洗剂合明科技专注精密电子清洗技术20多年，是SMT贴装/DIP封装，功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。嵌入式封装技术-基于基板的封装嵌入式芯片（Embedded Component Packaging EPC），封装与大多数封装类型并不相同。一般来说，在许多集成电路封装中，器件位于基板的顶部，基板充当器件与封装板间“桥梁”的角色。“嵌入式封装”一词有着不同的含义，在嵌入式芯片封装的世界中，指采用多步骤制造工艺将元器件嵌入到基板中。单芯片、多芯片、MEMS或无源元器件均可以并排式（side-by-side）方式嵌入到有机层压基板（Organic Laminate Substrate）之中。这些元器件均通过镀铜的通孔（via）连接起来。总而言之，通过嵌入式封装，就可以释放系统中的空间。在TDK的工艺中，器件被嵌入四个极薄的基板叠层中，以微互连和通孔为主要特点，总高度为300µm。封装尺寸是将有源芯片嵌入基板中的驱动因素。在‘x’和‘y’轴上，会显著地整体收缩。当考虑版图布线更大化时，这种微型化可让设计多一些灵活性。如今嵌入式有源元器件的市场，主要围绕着功率模拟器件领域。蓝牙无线模块（Bluetooth WiFi modules）的微型化特点，已成为嵌入式芯片封装的主要应用领域。其他应用还包括手机市场的射频模块。嵌入式封装的优劣势通常情况下，IC会被封装在电路板上，但这样有时会占用系统中宝贵的电路板空间，因此考虑把芯片嵌入到基板中以节省空间和成本，这就是嵌入式芯片封装的用武之地，并不会与晶圆级封装中的扇出型封装相混淆。扇出型封装中，裸片会被嵌入到环氧模压树脂（molded epoxy compound）填充的重新建构晶圆（reconstituted wafer）中。嵌入式芯片封装是不同的。这些元器件被嵌入到多层基板中，IC会被嵌入基板的核心部位。核心部位是用特殊的树脂做的，其他基板层均是标准的PCB材料。裸片通常是并排放置的，如果是标准的4层基板，所有裸片都会被放置于2层与3层之间，且裸片不会堆叠。嵌入式封装的主要优点有：促进尺寸微型化、互连可靠、性能更高，并改善了对集成元器件的保护。ECP还支持模块化的趋势，通过降低其他封装技术的成本来实现。隐身的电子器件（嵌入式芯片）可有效防止逆向工程和造假。嵌入式封装也有缺点。由于它结合了用于先进封装和印刷电路板（PCB）的技术，因此面临一些制造方面的挑战。此外，生态系统还相对不成熟。嵌入式芯片的成本仍然过高，且有时良率太低。嵌入式封装是将多个芯片集成到单个封装体中的几种方法之一，但并不是唯一选择。系统级封装是最受欢迎的选择，但由于成本原因，扇出型封装也有很大的发展潜力。正是这些封装解决方案为市场提供价格更低、技术更好的解决方案。嵌入式封装分类基板从材料上可分为有机基板和无机基板两大类；从结构上可分为单层（包括挠性带基）、双层、多层、复合基板等。多层基板包括通用制品（玻璃-环氧树脂）、积层多层基板、陶瓷多层基板、每层都有埋孔的多层基板。按基板类型的嵌入式封装分类陶瓷基板陶瓷基板是基于氧化铝、氮化铝和其他材料制成。基于陶瓷基板的封装通常用于表面贴装器件（surface-mount devices）、CMOS图像传感器和多芯片模块（Multi-chip Module）。有机层压基板有机层压基板通常用于2.5D/3D、倒装芯片和系统级封装（SiP）中,这类封装的器件位于基板之上。有机基板的材料通常是FR-4或其他材料。FR-4是一种由环氧树脂组成的玻璃纤维布。这些基板使用类似或相同的材料作为PCB。所以在某些圈子里，有机基板有时就被称为PCB。有机基板也是多层技术，其中至少有两层有机层被金属层隔开。金属层在封装中充当电迁移阻挡层（electromigration shield）。有机基板封装(BGA,CSP)使用小型刚性(有时弯曲)基板，其上的模具是金属丝粘结或倒装芯片。大多数这样的封装使用一组球或地与主机PCB接口。一个允许这些包容纳多达4000个外加I/O！针对电子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验，对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况，自主开发了较为完整的水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在，在同等的清洗力的情况下，合明科技的兼容性较佳，兼容的材料更为广泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多（测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，离子残留低、干净度更好。合明科技摄像模组感光芯片CMOS晶片镜片清洗剂，LED芯片焊后助焊剂锡膏清洗剂、CMOS焊接后清洗剂、FPC电路板清洗剂、SMT元器件封装工艺清洗剂、微波组件助焊剂松香清洗剂、车用IGBT芯片封装水基清洗方案，SMT电子制程水基清洗全工艺解决方案,汽车用 IGBT芯片封装焊后清洗剂,IGBT芯片清洗剂,IGBT模块焊后锡膏清洗剂,IGBT功率半导体模块清洗,SMT锡膏回流焊后清洗剂,PCBA焊后水基清洗剂，系统封装CQFP器件焊后助焊剂清洗剂、SIP芯片焊后清洗剂、BMS电路板焊后清洗剂，半导体分立器件除助焊剂清洗液、半水基清洗剂、IGBT功率模块焊后锡膏水基清洗剂、PCB组件封装焊后水性环保清洗剂、SMT封装焊后清洗剂、精密电子清洗剂、半导体分立器件清洗剂、SMT焊接助焊剂清洗剂、锡嘴氧化物清洗剂、PCBA清洗剂、芯片封装焊后清洗剂、水性清洗剂、FPC清洗剂、BGA植球后清洗剂、球焊膏清洗剂、FPC电路板水基清洗剂、堆叠组装POP芯片清洗剂、油墨丝印网板水基清洗全工艺解决方案、BMS新能源汽车电池管理系统电路板制程工艺水基清洗解决方案、储能BMS电路板水基清洗剂、PCBA焊后助焊剂清洗剂、组件和基板除助焊剂中性水基清洗剂、功率电子除助焊剂水基清洗剂、功率模块/DCB、引线框架和分立器件除助焊剂水基清洗剂、封装及晶圆清洗水基清洗剂、倒装芯片水基清洗、SIP和CMOS芯片封装焊后清洗剂、SMT钢网、丝网和误印板清洗除锡膏、银浆、红胶，SMT印刷机网板底部擦拭水基清洗剂、焊接夹治具、回流焊冷凝器、过滤网、工具清洗除被焙烤后助焊剂和重油污垢清洗剂，电子组件制程水基清洗全工艺解决方案。
引线框架封装助焊剂水基清洗液合明科技分享：从芯片支撑材料角度来看半导体封装技术分类

引线框架封装助焊剂水基清洗液合明科技分享：从芯片支撑材料角度来看半导体封装技术分类水基清洗剂,环保清洗剂,电路板清洗,助焊剂清洗剂,半导体清洗,丝网清洗,红胶清洗,治具清洗,功率器件清洗,电路板清洗剂_免洗助焊剂清洗剂合明科技专注精密电子清洗技术20多年，是SMT贴装/DIP封装，功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。封装基板已经是半导体封装中价值量最大的耗材封装基板是IC芯片封装的新兴载体传统的半导体封装,是使用引线框架作IC导通线路与支撑IC的载具,它连接引脚于引线框架的两旁或四周。随着半导体封装技术的发展,当引脚数增多(超过300个引脚),传统的QFP等封装形式已对其发展有所限制。这样,在20世纪90年代中期,以BGA、CSP为代表的新型半导体封装形式问世,随之也产生了一种半导体芯片封装必要的新载体，这就是半导体封装基板(IC Package Substrate,又称为半导体封装载板)。IC封装基板起到在芯片与常规印制电路板(多为主板、母板、背板)的不同线路之间提供电气连接(过渡)的作用，同时为芯片提供保护、支撑、散热的通道,以及达到符合标准安装尺寸的功效。可实现多引脚化、缩小封装产品面积、改善电性能及散热性、实现高密度化等是它的突出优点。因此以BGA、CSP以及倒装芯片(FC，FpilChpi)等形式的半导体封装基板,在近年来的应用领域得到迅速扩大,广为流行。基于在半导体封装中充分运用高密度多层基板技术方面,以及降低封装基板的制造成本方面(封装基板成本以BGA为例约占40%~50%,在FC基板制造成本方面它约70%~80%)的需求,半导体封装基板已成为一个国家、一个地区在发展微电子产业中的重要“武器”之一。从芯片支撑材料角度来看半导体封装技术分类目前普遍使用的封装技术有很多，可分为以下几类:芯片的封装种类太过繁杂，为了方便理解，我们将分类方式简化，以封装过程中使用的承载晶圆或芯片的耗材的不同来份额里，半导体封装技术可以分为引线框封装、裸芯片封装/晶圆级封装和嵌入式封装三类。一、芯片封装技术分类引线框架+封装壳我们把使用传统封装壳的封装技术和使用封装基材的封装技术归为一类，总体称为封装中使用封装壳的封装技术。嵌入式封装嵌入式芯片（Embedded Component Packaging EPC），封装与大多数封装类型并不相同。一般来说，在许多集成电路封装中，器件位于基板的顶部，基板充当器件与封装板间“桥梁”的角色。裸芯片封（组）装装技术/晶圆级封装（WLP）二级封装是印刷电路板的封装和装配，将一级封装的元器件组装到印刷电路板（PCB）上，包括板上封装单元和器件的互连，包括阻抗的控制、连线的精细程度和低介电常数材料的应用。除了特别要求外，这一级封装一般不单独加封装体，具体产品如计算机的显卡，PCI数据采集卡等都属于这一级封装。如果这一级封装能实现某些完整的功能，需要将其安装在同一的壳体中，例如Ni公司的USB数据采集卡，创新的外置USB声卡等。引线框架封装（LeadframePackages）传统的IC封装是采用导线框架作为IC导通线路与支撑IC的载具，它连接引脚于导线框架的两旁或四周。随着IC封装技术的发展，引脚数量的增多(超过300以上个引脚)、、线密度的增大、基板层数的增多，使得传统的QFP等封装形式在其发展上有所限制。我们把使用传统引线框架和封装管壳的封装技术称为引线框架式封装技，多用于如方形扁平无引脚封装（QFN）和方型扁平式封装（QFP）。封装管壳内部结构示意图引线框架封装工艺使用引线框架和外部封装管壳的芯片封装制作工艺十分相似。基本流程为：首先使用充银环氧粘结剂将晶圆切片粘附于引线框架上，然后使用金属线将晶圆切片的管脚与引线框架上相应的管脚连接，再将引线框架与封装壳组合在一起，最后使用模塑包封或者液态胶灌封，以保护晶圆切片、连接线和管脚不受外部因素的影响。引线框架主要性能半导体封装引线框架大多采用铜材或铁镍合金（A42）两种材质，在封装中，引线框架主要有如下作用：二、引线框架封装中引线的功能良好的导电性能引线框架在塑封体中主要作用是芯片的功能通过引线与框架上的外引脚连接，集成电路芯片还常用引线将芯片的地线连接到框架的底座上，所以，要求引线框架有良好的导电性。良好的导热性产品在使用时，芯片会产生热量，特别是大功率产品，工作电流较大，产生的热量更大。热量主要通过引线框架和塑封料向外散热。如果散热性能不好，则可能“烧坏”芯片。PN结一般设计温度为150℃，温度过高，可能在工作中造成PN结热击穿。大功率产品的引线框架个别还设计有专门的散热片以提高引线框架的散热能力。良好的热膨胀匹配性在塑料封装体中，引线框与芯片之间通过银胶进行物理连接，还与塑封料直接接触，在产品塑封、回流焊及使用中，受热时各种材料均会膨胀，所以，要求各种材料间要有良好的热膨胀匹配性。良好的结合强度引线框架与芯片通过银胶连接，与塑封树脂直接接触。在生产过程及使用中不可避免的要受热，各种材料间的热膨胀虽然尽可能的匹配，但总会有热应力存在。所以要求引线框架与各材料之间要有良好的结合强度。引线框架封装(如SO、QFP、QFN)仍然是I/O小于200的半导体中最常见的。模具通常采用金属丝连接，封装也很简单，虽然使用倒装芯片、多模和模/无源组合的变体也在批量生产中。陶瓷封装在很大程度上可以被看作是遗留技术。虽然它们过去在IC上很常见，但现在几乎只用于军事和航空电子等高可靠性应用，不愿在封装技术上做出改变。想了解更多关于半导体芯片封装清洗的内容，请访问我们的“半导体芯片封装清洗”应用与产品。针对电子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验，对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况，自主开发了较为完整的水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在，在同等的清洗力的情况下，合明科技的兼容性较佳，兼容的材料更为广泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多（测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，离子残留低、干净度更好。合明科技摄像模组感光芯片CMOS晶片镜片清洗剂，LED芯片焊后助焊剂锡膏清洗剂、CMOS焊接后清洗剂、FPC电路板清洗剂、SMT元器件封装工艺清洗剂、微波组件助焊剂松香清洗剂、车用IGBT芯片封装水基清洗方案，SMT电子制程水基清洗全工艺解决方案,汽车用 IGBT芯片封装焊后清洗剂,IGBT芯片清洗剂,IGBT模块焊后锡膏清洗剂,IGBT功率半导体模块清洗,SMT锡膏回流焊后清洗剂,PCBA焊后水基清洗剂，系统封装CQFP器件焊后助焊剂清洗剂、SIP芯片焊后清洗剂、BMS电路板焊后清洗剂，半导体分立器件除助焊剂清洗液、半水基清洗剂、IGBT功率模块焊后锡膏水基清洗剂、PCB组件封装焊后水性环保清洗剂、SMT封装焊后清洗剂、精密电子清洗剂、半导体分立器件清洗剂、SMT焊接助焊剂清洗剂、锡嘴氧化物清洗剂、PCBA清洗剂、芯片封装焊后清洗剂、水性清洗剂、FPC清洗剂、BGA植球后清洗剂、球焊膏清洗剂、FPC电路板水基清洗剂、堆叠组装POP芯片清洗剂、油墨丝印网板水基清洗全工艺解决方案、BMS新能源汽车电池管理系统电路板制程工艺水基清洗解决方案、储能BMS电路板水基清洗剂、PCBA焊后助焊剂清洗剂、组件和基板除助焊剂中性水基清洗剂、功率电子除助焊剂水基清洗剂、功率模块/DCB、引线框架和分立器件除助焊剂水基清洗剂、封装及晶圆清洗水基清洗剂、倒装芯片水基清洗、SIP和CMOS芯片封装焊后清洗剂、SMT钢网、丝网和误印板清洗除锡膏、银浆、红胶，SMT印刷机网板底部擦拭水基清洗剂、焊接夹治具、回流焊冷凝器、过滤网、工具清洗除被焙烤后助焊剂和重油污垢清洗剂，电子组件制程水基清洗全工艺解决方案。