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    BGA芯片封装器件清洗剂合明科技分享:灌封工艺在BGA装联中的应用

    BGA芯片封装器件清洗剂合明科技分享:灌封工艺在BGA装联中的应用合明科技专注精密电子清洗技术20多年,是SMT贴装/DIP封装,功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基系列产品,精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端,包括有水基和半水基清洗剂,碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在,在同等的清洗力的情况下,合明科技的兼容性较佳. 先进封装包括倒装芯片、WLCSP晶圆级芯片封装、3D IC集成电路封装、SiP系统级封装、细间距封装等等。摘要:: 随着Flip-Chip,BGA等封装形式的器件越来越多,该种类器件的球形引脚数增加,迫使电路互连的焊点尺寸缩小,虽然使我们生产的电子产品体积越来越小,重量越来越轻,但器件和印制电路板的联接强度和引脚之间的绝缘变得越来越脆弱,。因此对BGA封装形式的器件底部进行灌胶或填胶对倒装芯片装配的长期可靠性是必须的。器件底部的灌胶或填胶可以减少焊接点的应力,将应力均匀地分散在倒装芯片的封装面上、同时可以增加器件的机械和电气性能绝缘强度。关键词:灌封工艺;BGA;可靠性;湿气敏感;应力;液体环氧封装料;热膨胀系数 在当今信息时代,随着电子工业的迅猛发展,计算机、移动电话等产品日益普及。人们对电子产品的功能要求越来越多、对性能要求越来越强,而体积要求却越来越小、重量要求越来越轻。这就促使电子产品向多功能、高性能和小型化、轻型化方向发展。为实现这一目标,IC芯片的特征尺寸就要越来越小,复杂程度不断增加,于是,电路的I/O数就会越来越多,封装的I/O密度就会不断增加。为了适应这一发展要求,一些先进的高密度封装技术就应运而生,BGA封装技术就是其中之一。集成电路的封装发展趋势如图所示。从图中可以看出,目前BGA封装技术在小、轻、高性能封装中占据主要地位。 BGA封装出现于90年代初期,现已发展成为一项成熟的高密度封装技术。在半导体IC的所有封装类型中,1996-2001年这5年期间,BGA封装的增长速度最快。在1999年,BGA的产量约为10亿只,在2008年预计可达80多亿只。但是,到目前为止该技术仅限于高密度、高性能器件的封装,而且该技术仍朝着细节距、高I/O端数方向发展。BGA封装技术主要适用于PC芯片组、微处理器/控制器、ASIC、门阵、存储器、DSP、PDA、PLD等器件的封装。 BGA封装虽然具有良好的性能和近乎理想的封装密度,但仍然存在一系列的问题长期未能很好解决的问题,如芯片贴装后的芯片焊球和焊盘联接的脆弱性、焊点应力、机械强度、防潮、返修等问题。 80年代IBM公司发明了底层填充技术,采用底层填充料充芯片和衬底之间的间隙,从而大大地增加了由芯片和衬底膨胀系数失配所产生的热疲劳焊点寿命。因此本文就是借鉴了芯片底部填充技术的思路,提出BGA器件在贴装后,对BGA底部进行灌胶处理,以改善芯片贴装后的芯片存在的焊球和焊盘联接的脆弱性、焊点应力、机械强度、防潮、返修等问题。以下我们就从BGA封装的特点、BGA封装结构类型、底部灌胶材料的特点和要求、如何进行底部灌胶等几个方面来阐述灌封工艺在BGA器件底部灌胶的应用。 1 BGA封装的特点 BGA(Ball Grid Array)封装,即元器件引脚排列形式为球栅阵列封装,它是在封装体基板的底部制作阵列焊球作为电路的I/O端与印刷线路板(PCB)互接的引脚。与传统的脚形贴装器件(Leaded Divce如QFP、PLCC等)相比,BGA封装器件具有如下特点。1) I/O数较多:通常,在引线数相同的情况下,封装体尺寸可减小30%以上。例如:CBGA-49、BGA-320(引脚间距1.27 mm)分别与PLCC-44(引脚间距为1.27 mm)和MQFP-304(节距为0.8 mm)相比,封装体尺寸分别缩小了84%和47%,如图所示。2) 提高了贴装成品率,潜在地降低了成本。3) BGA的阵列焊球与基板的接触面大、短,有利于散热。4) BGA阵列焊球引脚很短,缩短了信号传输路径,减小了引线电感、电阻,因而可改善电路的性能。5) 明显地改善了I/O端的共面性,极大地减小了组装过程中因共面性差而引起的损耗。6) BGA适用于MCM封装,能够实现MCM的高密度、高性能。7) BGA和CBGA都比细节距的脚形封装的IC牢固可靠。2 BGA封装的结构类型 BGA的封装类型多种多样,其外形结构为方形或矩形。根据其焊料球的排布方式可分为周边型、交错型和全阵列型BGA等。根据其基板的不同,主要分为三类:PBGA(Plastic Ball GridArray塑料焊球阵列)、CBGA(Ceramic BallGrid Array陶瓷焊球阵列)、TBGA (TapeBall Grid Array载带型焊球阵列)。如下图所示。通过对BGA封装特点和结构的分析和比较,BGA器件的优缺点如下:1) 优点:体积小、重量轻、功能强。2) 缺点:对湿度敏感度高、结构脆弱、焊点的抗疲劳能力差、焊点的剪切应力差、可靠性降低。现阶段主流BGA封装结构示意图 随着Flip-Chip,BGA等封装形式的器件越来越多,该种类器件的球形引脚数增加,迫使电路互连的焊点尺寸缩小,虽然使我们生产的电子产品体积越来越小,重量越来越轻,但器件和印制电路板的联接强度和引脚之间的绝缘变得越来越脆弱,。因此对BGA封装形式的器件底部进行灌胶或填胶对倒装芯片装配的长期可靠性是必须的。器件底部的灌胶或填胶可以减少焊接点的应力,将应力均匀地分散在倒装芯片的封装面上、同时可以增加器件的机械和电气性能绝缘强度。 所以对焊接后的BGA器件进行底部灌胶,降低BGA器件对湿度的敏感度、增强BGA器件结构、提高焊点的抗疲劳能力、改善焊点的剪切应力、提高产品的可靠性,这项工艺是十分必要和必须的工作。 因此在选择底部灌胶材料也是一项很重要的工作,对于CSP和BGA的底部灌胶材料,应易于使用、储存和运输,同时应满足所需的可靠性要求。对生产工艺方面而言,如:胶水的储存条件、使用寿命、灌胶性、胶水在芯片底部的流动速度和固化时间都是应当考虑的参数。如果线路板的价值较高,则应使用可维修底部灌胶材料,因此在这种情况下,芯片灌胶后易维修性就显得尤其重要;就灌胶可靠性方面而言,无气泡、跌落寿命试验和热冲击寿命试验对于电子设备是很重要的几个因素。汽车和军事电子产品对抗冲击性、防震和剧烈的热冲击等要求更为苛刻。本文以下着重分析CSP/BGA的底部灌胶的材料选择和可操作工艺的实现。 3 底部灌胶封料 大多数底部灌封胶是单组分热固化的环氧胶。可快速固化,具有高粘接性能、低模量和可修复性强。耐温性佳,贮存稳定性好。3.1 环氧树脂灌封料的主要组份及作用 环氧树脂灌封料的作用是强化电子器件的整体性,提高对外来冲击、震动的抵抗力;提高内部元件、线路间绝缘,有利于器件小型化、轻量化;避免元件、线路直接暴露,改善器件的防水、防潮性能。 单组分环氧树脂灌封料是一多组分的复合体系,它由树脂、固化剂、增韧剂、填充剂等组成,对于该体系的粘度、反应活性、使用期、放热量等都需要子配方、工艺、铸件尺寸结构等方面作全面的设计,做到综合平衡。 目前使用的灌胶封料种类繁多,有韩国产的DU901,DU902,DU986,DU902N,以及美国产品乐泰的3513等型号(山东烟台制造),德邦的部分产品(山东烟台制造)。以及部分JIAPAN的三箭,住友和北京联合钛得公司生产的CSP/BGA底部灌封胶3113等等。但目前使用量最大的应该还是乐泰的3513。 在实验过程中,我们选择了LOCTITE公司生产的CSP/BGA底部灌封胶3513做实验,下表为这种材料的性能表。 3513胶水材料性能表化学类型环氧树脂外观淡黄色液体比重@25℃1.15粘度@25℃.mPa.s4000使用寿命@23℃48小时储存条件2-10℃阴凉干潮处标准条件:温度23 ℃±2 ℃ 相对湿度:50±5% 3.2 产品性能要求 环氧树脂灌封料应满足如下基本要求:性能好,适用期长,适合大批量自动生产线作业;粘度小,浸渗性强,可充满元件和线间;灌封和固化过程中,填充剂等粉体组分沉降小,不分层;固化放热峰低,固化收缩小;固化物电气性能和力学性能优异,耐热性好,对多种材料有良好的粘接性,吸水性和热膨胀系数小;某些场合还要求灌封料具有难燃、耐候、导热、耐高低温交变等性能。 3.3 储存条件 BGA/CSP的底部灌封胶如果能在±5℃下储存三个月,则只需一台低成本的冰箱,就可满足±5℃的要求。底部灌封胶在±5℃的最低储存条件下也可满足。 3.4 底部灌封胶的使用寿命 使用寿命是指底部填充剂从冷冻条件下取出后可有效使用的时间。有效使用是指在一定的点胶速度下可保证的点胶量的连续性及一致性,因此在整个使用寿命中其粘度必须稳定。 3.5 底部灌封胶的性能 底部灌封胶的灌封方式是否简便易操作,将对产品的产量和成本产生影响。低粘度低密度的胶水可以在较小压力下,便可以从针头出胶,速度也很快。倒装芯片的底部填充剂粘度有15 000 cps或更高,由于此类填充剂含有硅质填充物,比重达1.8,故在高速和高精度的点胶要求下,需要采用压力系统的设备,如螺旋泵和活塞泵。许多CSP和所有BGA在尺寸上都大于倒装芯片,故需要胶水具有更高的流动速度,才能满足产量的要求。3513和北京联合钛得公司生产的CSP/BGA底部灌封胶3113底部灌封胶都是为CSP/BGA特别研发,其粘度低于4 000 cps,由于改型号的胶水未加填料,比重通常在1.17,故可使用较经济简易点胶机来实现。 3.6 流动速度 如上所述,CSP/BGA底部灌封胶相对于倒装芯片底部填充剂粘度和密度较低。这使得CSP/BGA底部灌封胶流动更快,对于灌封更大的面积来说更为理想。在实验过程中,我们对3513胶的流动做了分析,如下图所示。 底部灌封胶的流速对胶水是否能够完全填满BGA芯片的底部是至关重要的一项性能参数指标,以下是我们通过对ZYMET公司的倒装芯片底部填充剂X6-82-5LV和LOCTITE公司生产的CSP/BGA底部灌封胶3513对芯片灌胶后的X光对比图例,可见底部灌封胶3513的流动性比倒装芯片底部填充剂要好。倒装芯片底部填充剂X6-82-5LV 底部灌封胶3513 另外,CSP/BGA芯片的底部灌胶,一定要保证底部无气泡,才能够实现器件的高可靠性,如何避免在灌胶的过程中产生气泡,主要要避免:线路板或元器件湿气、灌胶时的流动形态、助焊剂是否影响灌封胶。以下图示为使用3513底部灌封胶灌封BGA器件后X-RAY视图。烘干后的器件和未烘干器件底部的灌胶。 未烘干灌胶后产生了很多气泡 烘干后灌胶3.7 灌封胶的强度 BGA底部灌封一个很重要的目的就是增加其强度,这样灌封胶本身的强度变化对其灌封后的效果有很大的影响。3513胶的强度变化见下表。热强度:在特定温度下测试 热老化:在特定条件下老化,在室温下测试3.8 灌胶后的可维修性 灌胶后的产品在加热到200~220℃时,灌封材料应变软,粘接力也降低;灌封材料变软的温度应高于焊锡的熔点,此时元器件才很容易拆卸,以实现返修。在相同温度下,使用工具可刮掉芯片周边的胶。3.9 实验用的3513材料特性 3513底部灌封材料为达到CSP/BGA底部灌胶的要求,材料性能有了一些变化,粘度和比重降低,从而使灌胶更容易,流动速度更快;CTE有一定增长,为78 ppm/℃。 3.10 在我们做实验中3513底部灌封材料使用方法将胶从冰箱取出,室温放置1h~2 h,使胶液温度达到室温水平。预热电路板,沿元器件边缘呈“I”或“L”形针头施胶,利用毛细现象让胶液自动填充满元件底部。加温至工艺要求温度,加热固化。未用尽的胶应密封保存于用冰箱中。 4 如何实施CSP/BGA底部灌封1) 以下视图为BGA芯片焊接过程图刚贴装后的BGA示意→焊接温度达到熔点时BGA示意图→回流后的BGA示意图 通过以上BGA焊接流程示意图我们可以发现,BGA芯片在焊接后,PCB和芯片的底部有足够的空间可以使液体流过其底部,也就是说我们可以通过使用灌胶的方式,去改善我们在前文中谈到的BGA芯片焊接后存在的对湿度敏感度高、结构脆弱、焊点的抗疲劳能力差、焊点的剪切应力差、可靠性降低等缺点,来提供我们生产的电子产品的可靠性。2) 具体的实施方法根据我们选择的底部灌封胶的特性,我建议使用以下几种方式:*计量泵灌胶计量泵能将计量好的灌封胶,定量灌注到CSP/BGA芯片和基板之间,计量泵可以保证连续一致的吐胶量。胶水是以灌注的方式在芯片四条边进行灌注,这样的方式可提供良好的圆角成型,而且比单边或L形灌注更快速。对芯片四周进行灌注,如果产量较小,可用光学放大设备来定位涂胶头在芯片的每条边的位置,减少吐胶嘴不能准确地灌胶的机会;如果产量很大,可以使用三轴自动灌封设备来实现量产。使用计量泵灌胶,前期的投入较大,一般投入为十几万到几十万之间,但是可以节约人力劳动成本和保证产品的一致性。*手动点胶机灌胶手动点胶机是通过控制时间和气压的大小,实现胶水的吐出,无法保证连续一致的吐胶量。如果对产品的吐胶的一致性不需要严格的控制和产量不大情况下,以及节约生产成本的角度出发,我建议使用手动点胶机来实现底部灌胶。因为一台手动点胶机的投入资金从一千多到三四千不等,前期投入相对较低。特别事项:在正式生产前,我建议最好每只芯片底部需要灌注胶水的量进行仔细的评估,这样可以实现对产品的量化管理,既可避免胶水的浪费,又可避免对PCB的污染。不同的公司企业单位,可以根据自己的实际情况,选择不同的灌胶方式,已到达生产成本最优化。 5 思考和建议 面对世界蓬勃发展的电子装联技术,分析我国目前的电子装联产业现状,一些问题值得我们深思。(1)电子装联技术与电子产品密不可分,已经成为电子产品乃至电子系统的制造的核心技术,是电子行业先进制造技术之一,谁掌握了它,谁就将掌握电子产品和电子系统制造的未来。(2)电子装联技术与时俱进才能发展。国际上大的电子产品制造公司证明了这一点,国外生产的电子产品在稳定性和可靠性上领先于我国。我国电子装联技术如何与时俱进?尽管我国已经被国外冠以“世界工厂”的“美名”,但是我国现阶段还处在一个初级加工的阶段,因此当务之急是研究我国电子装联的发展战略,制订发展规划。二是优化我国电子装联工艺的科研生产体系。三是积极倡导和大力发展属于我国自主知识产权的原创技术。(3)重视不同领域和学科技术的交叉和融合。重视研发、试制、工艺、生产等多科学多部门联合和协调,实现过去我们经常提到的产学研一体发展的思路。(4)我们的观念、技术和管理必须与国际接轨,走国际合作之路,与世界溶为一体,共同发展。我们坚信,中国是个充满希望的国家,中国可以成为电子装联的生产大国,也一定能够成为电子产品研发的技术强国,也一定能够制度出中国特色的《IPC标准》。END来源:网络针对电子制程精密焊后清洗的不同要求,合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验,对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况,自主开发了较为完整的水基系列产品,精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端,包括有水基和半水基清洗剂,碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在,在同等的清洗力的情况下,合明科技的兼容性较佳,兼容的材料更为广泛;在同等的兼容性下,合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多(测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌;测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分),清洗速度更快,离子残留低、干净度更好。 合明科技摄像模组感光芯片CMOS晶片镜片清洗剂,LED芯片焊后助焊剂锡膏清洗剂、CMOS焊接后清洗剂、FPC电路板清洗剂、SMT元器件封装工艺清洗剂、微波组件助焊剂松香清洗剂、车用IGBT芯片封装水基清洗方案,SMT电子制程水基清洗全工艺解决方案,汽车用 IGBT芯片封装焊后清洗剂,IGBT芯片清洗剂,IGBT模块焊后锡膏清洗剂,IGBT功率半导体模块清洗,SMT锡膏回流焊后清洗剂,PCBA焊后水基清洗剂,系统封装CQFP器件焊后助焊剂清洗剂、SIP芯片焊后清洗剂、BMS电路板焊后清洗剂,半导体分立器件除助焊剂清洗液、半水基清洗剂、IGBT功率模块焊后锡膏水基清洗剂、PCB组件封装焊后水性环保清洗剂、SMT封装焊后清洗剂、精密电子清洗剂、半导体分立器件清洗剂、SMT焊接助焊剂清洗剂、锡嘴氧化物清洗剂、PCBA清洗剂、芯片封装焊后清洗剂、水性清洗剂、FPC清洗剂、BGA植球后清洗剂、球焊膏清洗剂、FPC电路板水基清洗剂、堆叠组装POP芯片清洗剂、油墨丝印网板水基清洗全工艺解决方案、BMS新能源汽车电池管理系统电路板制程工艺水基清洗解决方案、储能BMS电路板水基清洗剂、PCBA焊后助焊剂清洗剂、组件和基板除助焊剂中性水基清洗剂、功率电子除助焊剂水基清洗剂、功率模块/DCB、引线框架和分立器件除助焊剂水基清洗剂、封装及晶圆清洗水基清洗剂、倒装芯片水基清洗、SIP和CMOS芯片封装焊后清洗剂、SMT钢网、丝网和误印板清洗除锡膏、银浆、红胶,SMT印刷机网板底部擦拭水基清洗剂、焊接夹治具、回流焊冷凝器、过滤网、工具清洗除被焙烤后助焊剂和重油污垢清洗剂,电子组件制程水基清洗全工艺解决方案。

  • 倒芯封装清洗剂合明科技分享:高性能高可靠性倒装芯片的互连新技术

    倒芯封装清洗剂合明科技分享:高性能高可靠性倒装芯片的互连新技术

    倒芯封装清洗剂合明科技分享:高性能高可靠性倒装芯片的互连新技术合明科技专注精密电子清洗技术20多年,是SMT贴装/DIP封装,功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基系列产品,精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端,包括有水基和半水基清洗剂,碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在,在同等的清洗力的情况下,合明科技的兼容性较佳. 先进封装包括倒装芯片、WLCSP晶圆级芯片封装、3D IC集成电路封装、SiP系统级封装、细间距封装等等。电子器件的市场趋势当前,电器和移动AV设备市场上,智能手机和平板PC成长迅猛。智能手机的全球销量从2012年的6.5亿部增加到2013年的7.9亿部。预计2015年将达到10亿部。类似地,PC的全球销量从2011年的1.2亿台增加到2013年的1.6亿台。预计2017年将达到4.2亿台。这些移动设备要求一年比一年更高的性能、更多的功能和更低的价格。所以,用在CPU、GPU、DSP、AP和RF中的半导体产品规模更大,速度更高、更加密集。为此晶圆工艺技术正通过加大晶圆尺寸(即从150mm扩大到300mm或400mm)减少成本,并通过更细的工艺图形(即从90nm到65nm、45nm、40nm、32nm和28nm)改善至更高的集成度、功能性和速度。故与此同时要求更高的电路密度、更高的性能和更低的价格。对于集成度较大和速度较高的LSI的成熟技术,有必要开发采用低k材料的隔离技术。但为了满足这些高性能,由于用多孔和多层结构,隔离变得越来越薄。结果,LSI就变得易脆。另一方面,为了满足高速要求,LSI的电流不断增加。除了芯片尺寸不断缩小外,热密度和功耗也不断增加。所以,对于未来的半导体封装,要求解决这些问题,即层间介质的易脆性、高热、高速和低价格。半导体工艺未来的设计规则将进入20nm一代或其下,这将更加脆弱得多。20nm一代要求的封装技术下一代20nm要求的规范为:低应力,为了易脆低k层高热辐射≥5W,为了高性能LSI高速度≥10GHz,为了高功能性半导体封装趋势为了适应包括移动设备在内的电器设备的功能提高和成本下降,晶圆设计规则朝着大尺寸和细设计规则发展。为此以及为了降低成本,半导体封装技术正迅速从最标准键合技术的金线键合转移到铜线键合,以减少金的使用量。此外,倒装芯片键合技术的使用大大地满足了LSI的更高集成度和性能。2010年,全球半导体封装技术中,倒装芯片键合的份额为15%,引线键合的份额为85%。而到2015年,预计倒装芯片键合的份额将达25%,引线键合的份额将为75%。特别是对于要求高热辐射和高信号速度的高集成度高性能LSI,正积极地采用倒装芯片键合技术。常规倒装芯片技术的问题对低k的适应性通常使用的倒装芯片技术:● 焊接连接,主要结构是C4(可控塌陷芯片连接)● 对于Au凸点和ACF一类的压力键合连接● 对Au-Au一类连接的超声键合连接压力和超声键合有高压力和机械振动加于LSI,所以这些方法不能用于低k LSI。因此,在上述方法中,C4是可以采用的,因为比较这三种方法,键合时C4对芯片的损伤最小。C4技术是40年前为通用计算机发明的,一直使用至今。随着低k晶圆的不断增加,通过替代UBM(凸点下金属)结构、材料和及其改进,将C4用于低k。最近开发的Cu柱凸点(类似C4的发展)是适应直列或错开焊盘版图,不是对低k 晶圆的。有报道说,Cu柱结构封装可能破坏低k层,这是由于Cu的弹性模量高(130GPa)。热膨胀系数(CTE)不匹配是其加速因素。此外,C4技术起初是通过焊剂和焊剂的高弹性模量(50GPa)采用熔融金属结,所以,在对母板键合和安装时,由于热膨胀的差异而加到LSI 大量应力。故C4技术不能用于未来更为脆弱的LSI。热辐射目前,用于倒装芯片封装的主要是有机基板。有机基板的热导率很小,为0.5 W/mk,很难应用于高功耗的LSI。如果为了改善热辐射而附加散热或冷却系统,封装的成本、面积和高度都将增加。实际上,由于热辐射低,有一些LSI限制了其潜能以便不产生大量的热。此外,由于热辐射不良,结温度升高,使得漏电流增加,这进一步使功耗增加,功耗的增加又使其温度上升。这是一个危险的恶性循环。所以,改善热辐射是一个重要问题。信号的高速度有机基板核心层介质损耗高(0.02),核心层通孔(T/H)的阻抗高,结果,在高频范围的插入损耗高。但是,使用传统有机基板相同材料的无芯基板不是根本的对策。此外,组合层材料可以各式各样,所以,用户选择最佳材料就更为困难,整个设计要求考虑高速性能。而由于基板薄,需要改变一系列的设备。这就成了生产的障碍。由于这一问题,转移到无芯基板是有高风险的,仅能适应部分产品。传统的技术难以满足未来20nm一代。所以迫切要求以新的核心技术开发全新的半导体封装。MonsterPAC-typeC及工艺要点为了满足传统封装技术难以适应的20nm工艺,我们开发了MonsterPAC-typeC。这是与传统封装工艺与结构完全不同的封装。封装结构我们的封装结构,基板是陶瓷的,半导体芯片用凸点倒装,芯片与基板之间填充NCP(不导电浆料)。没有用环氧树脂一类的模塑。所以芯片背面是暴露的。再流焊一类的高温翘曲是小的,低于30-50μm,所以这种封装是没有焊球的LGA(触点阵列封装),不是BGA(球栅阵列封装)。含银导电浆料用作凸点,这些凸点印刷在基板上,故在焊盘上不再制作板块。不需要晶圆凸点工艺,仅在芯片的Al焊盘上非电镀镍和金(图1-3)。与上述的类似,我们的封装仅由4种材料组成(芯片、凸点、陶瓷和NCP)。这一简单结构实现了尺寸小、薄而重量合适的封装。可用的陶瓷基板材料主要有二种:HTCC(高温共烧陶瓷)和LTCC(低温共烧陶瓷)。陶瓷的特性(如电特性、温度传导性、CTE和翘曲性)及倒装芯片键合,使我们的封装能满足从电器产品到半导体芯片广泛要求的最佳解决方案。MonsterPAC-typeC结构的特点特点如下:● 无损伤键合● 高热辐射● 低插入损耗● 高可靠性将每一个主要优势结合起来,MonsterPAC-typeC能实现20nm一代LSI的最好性能。无损伤键合我们的封装的核心技术是无损伤倒装芯片键合技术,此技术对尖端精细工艺制造的半导体芯片实现无损伤和高可靠性键合。半导体芯片无损伤指的是:低压力键合我们的键合压力能达到0.12g/凸点,是常规C4的2.4g/凸点的1/20。通过使键合负载减少到这个极限,可防止键合引起的层间介质的损伤。凸点固化过程中的回缩应力低凸点固化过程中的回缩应力低于10MPA/凸点,非常小。通过最大限度减少加于易脆介质中间层(如低k和Al焊盘及线条等等)的温度、负载和回缩应力,防止线条的断裂与裂缝,从而实现高良率和可靠的倒装芯片键合。从这些优势可见,其是唯一具有防止脆弱低k层损伤的结构的封装。高热辐射认识到半导体芯片的热量是通过封装基板辐射的,替代常规的有机基板(热导率0.5W/mk),我们选择陶瓷基板,因为其热导率超过有机基板,为14W/mk。当封装尺寸是21×21mm,用陶瓷基板时,功率耗散达到6W,比功率耗散为3.6W的有机基板提高1.7倍。低插入损耗电子设备要求在高频范围有高水平性能。陶瓷基板的插入损耗是0.42dB(@20GHz,L=5mm),而有机基板的是0.62dB,陶瓷基板允许的频率在10GHz以上,而有机基板是3GHz。抗潮湿的高可靠性和高耐受性一般的抗回流焊(MSL:湿度敏感等级)是Level 3(@30deg/60%RH192Hr)。MonsterPAC-typeC对半导体芯片是无损伤的,凸点用非熔材料制成。高温回流焊时,凸点是不熔化的,所以它不重复再熔化和再固化,陶瓷基板不吸收湿气。结果,MonsterPAC-typeC是MSL Level 1(@85deg/85%RH192Hr),它不需要预烘烤去湿和防潮包装,MonsterPAC-typeC的车间寿命是无限的。工厂效率高替代焊接凸点,我们开发了易于生产的环氧凸点结构。结果,很多晶圆凸点工艺用的设备就不必要了,消耗大量能量的焊接连接用回流焊也不必要了。所以,与同等规模的常规C4工艺工厂比较,工厂面积能减少69%,工厂的能耗减少85%。能实现节能和低环境负荷工厂。MonsterPAC-typeC工艺的特点陶瓷技术凸点MonsterPAC-typeC采用含银的导电浆料作为凸点材料。采用普通焊接印刷SMD零件的印刷技术在陶瓷基板上形成凸点。凸点处理前陶瓷基板表面的预处理、清洗处理和凸点形成后凸点的表面电镀都没有必要了。而常规有机FCBGA需要在半导体晶圆芯片的Al焊盘上长凸点,如焊剂、Au和Cu凸点。但基于陶瓷技术的凸点不需要这些晶圆长凸点工艺,而是在半导体芯片上制作非电镀Ni和Au。基于陶瓷技术的凸点实现了处理简易且成本低的工艺。此外,与常规技术中使用的焊剂、Au和Cu凸点等硬凸点(硬度≥10Hv)不同,开发了在低硬度下能保持形状的软凸点(≤1Hv)。关于含银软凸点导电浆料,我们开发的关注点是低应力、低连接电阻和细节距印刷能力。我们目前凸点形成的生产能力是面阵列焊盘:节距150μm;周边焊盘:节距75μm。但是,此焊盘节距是实际设计规则所考虑的,所以,对于仅创建凸点来说,面阵列节距60μm是可以使用的。无损伤键合用软倒装芯片键合技术,以前的NCP分配给用陶瓷上凸点技术形成的软凸点,然后,半导体芯片用倒装芯片键合。键合过程中,凸点的导电浆料和NCP同时固化,结果,连接性与可靠性二者均得以实现。键合时,FCB设备的温度在200℃以下,此温度比常规键合技术低40℃以上,键合压力低于0.12g/凸点,是常规键合技术的1/20。用这些低温低压力的热压键合,半导体芯片在键合及键合后固化时没有受到应力和外力。采用新开发的导电浆料和NCP,实现了1.0 秒以下的高速键合时间。在NCP中含有填充剂,倒装芯片键合时,填充剂存在于芯片焊盘和凸点的二侧。不过,用低压力倒装芯片键合时,填充剂埋藏在凸点内,所以不影响芯片焊盘与凸点间的连接。这是软凸点的一个优点。又通过倒装芯片焊接前NCP的分配,NCP很容易填充在凸点窄隙间,用低负载键合时芯片与基板的对准就不会发生。所以,这种键合技术适用于窄焊盘节距。常规键合技术的问题是,在焊接凸点的倒装芯片键合情况下,焊剂从熔化到固化时,很大的回缩应力(约200-500MPa/凸点)加于半导体芯片的凸点和Al焊盘上。但是,由于非熔化凸点材料及低弹性模量使得回缩应力非常小(低于10MPa/凸点),结果就实现了低应力键合技术。由于上述工艺的这些基础技术的进展,实现了无损伤倒装芯片键合。图4是倒装芯片键合后凸点视图和连接的截面图。可靠性封装级可靠性可靠性测试以下列条件评估,表1显示测试结果。被测试封装规格:芯片尺寸:5×5mm2凸点规格:150μmP/784凸点(28×28)面阵列菊花链基板尺寸:15×15mm2终端规格:0.65mmP/468针脚(22×22)样品尺寸:22pkg/批×3批电测试方法可靠性测试采用菊花电路测试工具。在某一段间隔和调节周期或小时数时的可靠性测试后测量电阻。增加超过5%时认为是失效,以此为准则。图5是1500个TC测试后凸点的截面图,没有检测到会引起断开连接的裂缝和剥层。板级可靠性测试具有某些封装尺寸和焊盘节距组合的DUT安装在母板上,此板以热循环测试方法进行测试。热循环条件是:-40℃/15分钟~125℃/15分钟循环。不管封装尺寸和焊盘节距如何,经1000个热循环测试后,没有发现任何失效。表2中,首次失效的原因是BGA焊球连接。表3比较了影响MonsterPAC-typeC,C4和C4柱封装可靠性的因素。采用低弹性模量材料,MonsterPAC-typeC实现了低翘曲结构和对温度的稳定翘曲。所以,凸点与芯片Al焊盘之间连接的应力非常小,MonsterPAC-typeC是具有易脆低k层的高可靠性封装。产品举例采用MonsterPAC-typeC的产品例子如下:APIC(应用处理器IC)现今APIC的加工正向使用低k材料的精细加工转移,这需要高温度耐受性和高速度。MonsterPAC-typeC以下列优势能满足这些要求。● 无损伤键合● 高热辐射● 高速度一些APIC客户正对MonsterPAC-typeC进行评估,准备规模生产(图6)。作为在同样条件(同样的服装,同样的芯片和同样的焊盘节距)下,有机FCBGA和MonsterPAC-typeC之间实际评估结果,MonsterPAC-typeC的温度Tj比有机封装的温度低10℃。通过精确比较Tj,其差异将为约20℃。RF模块当前对于高速通讯LSI,模块封装不断增长。这些模块要求下列特性:● 适用于高速和高频● 尺寸小对于高速高频应用,如上所述,采用陶瓷基板后可改善插入损耗,可用于10GHz。此外,由于可获得封装小、细节距倒装芯片键合,所以,多芯片和高数量的SMD零件可用于小封装内。与一些RF模块客户合作,开发了一些样品,其性能已被客户认可,正准备规模生产(图7)。对于这些模块封装,基板的湿度控制是很重要的。MonsterPAC-typeC的MSL是Level 1,所以无湿度控制。可见,MonsterPAC-typeC是最适合用于模块封装的,对于常规有机封装的SMD和倒装芯片这种模块封装需要多次再流焊。结论对于即将到来的20nm工艺一代,封装要求适应更高的热辐射和更高的速度。但是,常规的封装技术难以满足这些要求。所以需要开发能适应20nm工艺一代的新封装技术。我们开发的MonsterPAC -typeC能适应即将来到的20nm工艺一代,能使LSI性能最大化。它具有的高性能就像是一个令人惊奇的怪异产物。我们开发的MonsterPAC使C4技术成为过时的东西,成了贡献给未来下一代半导体的主要技术。用于下一代的技术开发新陶瓷基板的开发陶瓷基板的技术开发很长时间进展不明朗。目前,精细而高密度作图远落后于有机基板。为了解决作图的这一弱点以向前进步,我们开始开发精细的高密度陶瓷基板,而又不影响成本。我们的目标是20μm线条节距,达到采用精细图形的更灵活设计,通孔节距也需要更精细,目标是50μm。目前陶瓷基板的制造工艺是采用冲孔和掩膜印刷。现有的这些工艺对于精细作图的局限性很大。我们正考虑用激光和直接印刷法工艺替代它们。成功实现这一技术将提供比有机基板好得多的性能。到目前为止,陶瓷基板一般用于高端产品,不过,这种新基板将面向消费产品。而这种基板也的确需要高性能消费产品来壮大自己。这一基板与MonsterPAC技术的结合将为世界提供最佳性能和高可靠性的产品。END作者:Eiji Yamaguchi、Mutsuo Tsuji、Nozomi Shimoishizaka、Takahiro Nakano、Katsunori Hirata,CONNECTEC JAPAN Corporation针对电子制程精密焊后清洗的不同要求,合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验,对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况,自主开发了较为完整的水基系列产品,精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端,包括有水基和半水基清洗剂,碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在,在同等的清洗力的情况下,合明科技的兼容性较佳,兼容的材料更为广泛;在同等的兼容性下,合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多(测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌;测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分),清洗速度更快,离子残留低、干净度更好。 合明科技摄像模组感光芯片CMOS晶片镜片清洗剂,LED芯片焊后助焊剂锡膏清洗剂、CMOS焊接后清洗剂、FPC电路板清洗剂、SMT元器件封装工艺清洗剂、微波组件助焊剂松香清洗剂、车用IGBT芯片封装水基清洗方案,SMT电子制程水基清洗全工艺解决方案,汽车用 IGBT芯片封装焊后清洗剂,IGBT芯片清洗剂,IGBT模块焊后锡膏清洗剂,IGBT功率半导体模块清洗,SMT锡膏回流焊后清洗剂,PCBA焊后水基清洗剂,系统封装CQFP器件焊后助焊剂清洗剂、SIP芯片焊后清洗剂、BMS电路板焊后清洗剂,半导体分立器件除助焊剂清洗液、半水基清洗剂、IGBT功率模块焊后锡膏水基清洗剂、PCB组件封装焊后水性环保清洗剂、SMT封装焊后清洗剂、精密电子清洗剂、半导体分立器件清洗剂、SMT焊接助焊剂清洗剂、锡嘴氧化物清洗剂、PCBA清洗剂、芯片封装焊后清洗剂、水性清洗剂、FPC清洗剂、BGA植球后清洗剂、球焊膏清洗剂、FPC电路板水基清洗剂、堆叠组装POP芯片清洗剂、油墨丝印网板水基清洗全工艺解决方案、BMS新能源汽车电池管理系统电路板制程工艺水基清洗解决方案、储能BMS电路板水基清洗剂、PCBA焊后助焊剂清洗剂、组件和基板除助焊剂中性水基清洗剂、功率电子除助焊剂水基清洗剂、功率模块/DCB、引线框架和分立器件除助焊剂水基清洗剂、封装及晶圆清洗水基清洗剂、倒装芯片水基清洗、SIP和CMOS芯片封装焊后清洗剂、SMT钢网、丝网和误印板清洗除锡膏、银浆、红胶,SMT印刷机网板底部擦拭水基清洗剂、焊接夹治具、回流焊冷凝器、过滤网、工具清洗除被焙烤后助焊剂和重油污垢清洗剂,电子组件制程水基清洗全工艺解决方案。

  • SiP系统级封装助焊剂清洗剂合明科技分享:SiP系统级封装技术的应用与挑战

    SiP系统级封装助焊剂清洗剂合明科技分享:SiP系统级封装技术的应用与挑战

    SiP系统级封装助焊剂清洗剂合明科技分享:SiP系统级封装技术的应用与挑战合明科技专注精密电子清洗技术20多年,是SMT贴装/DIP封装,功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基系列产品,精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端,包括有水基和半水基清洗剂,碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在,在同等的清洗力的情况下,合明科技的兼容性较佳. 先进封装包括倒装芯片、WLCSP晶圆级芯片封装、3D IC集成电路封装、SiP系统级封装、细间距封装等等。系统级封装(system in package,SIP)是一种新型的封装技术,在IC封装领域,SIP是最高级的封装。在ITRS2005中对SIP的定义是:“SIP是采用任何组合,将多个具有不同功能的有源电子器件与可选择的无源元件,以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件,组装成为可以提供多种功能的单个标准封装件,形成一个系统或者子系统”。对于SIP而言,在单一的模块内需要集成不同的有源芯片和无源元件、非硅器件、MEMS元件甚至光电芯片等,更长远的目标则考虑在其中集成生物芯片等。目前在无线通讯领域内特别是在3G领域内,SIP是非常有潜力的技术。1. SIP的应用SIP是IC封装领域的最高端的一种新型封装技术,目前已经被广泛应用在手机、蓝牙、Wi-Fi和交换机等无线通讯领域,在汽车电子、医疗电子、消费类电子、军事电子等领域内都有一定的市场。虽然当前其份额还不是很大,但已经成为一种人们关注和发展迅速的封装技术。(1)无线通讯领域SIP的应用领域比较广泛,在无线通讯应用与研究方面最为突出。特别是在射频范围内SIP技术是一种理想的系统解决方案。其中,最早商业化的SIP模块电路是手机中的功率放大器,这类模块中可集成多频功放、功率控制及收发转换开关等功能。手机PA模组(2)汽车电子目前,SIP技术已经在汽车电子领域得到了广泛的应用,如发动机控制单元(ECU)、汽车防抱死系统(ABS)、燃油喷射控制系统、安全气囊电子系统、方向盘控制系统、轮胎低气压报警系统等。此外,SIP技术在快速增长的车载办公系统和娱乐系统中也获得了成功的应用。(3)医疗电子医疗电子注重产品的可靠性、尺寸、功能和寿命,如何在更小的体积内实现更多的功能和更好的性能是其面临的经典问题。在医疗电子领域,SIP的典型应用产品主要为可植入式电子医疗器件,如心脏起博器、心脏除颤器、输药泵、助听器等。当人体心脏持续快速跳动或电子脉冲紊乱时,医学上称之为心脏纤维性颤动,心脏除颤器可以及时产生高压脉冲对心脏进行电击,从而消除心脏纤维性颤动,使心律恢复正常。Valtronic SA使用折叠理念,将逻辑电路、存储器和无源组件结合到单独的SIP中,应用于助听器和心脏起博器。胶襄内窥镜(4)计算机和网络技术在计算机/网络技术等应用方面,往往要求将ASIC或微控制器和存储器集成在一起。例如在PC中的图形处理模块内,通常包括图形控制IC和两片SDRAM。现在绝大多数图形处理模块在生产中都采用标准的塑封焊球阵列多芯片组件方式封装。这种方式从封装角度考虑成本低,但对于存储器却不合适。因为SDRAM器件需要100%地进行动态老化。SIP减少了母板布线层数和复杂性,同时提高了母板的空间利用率,可在有限的空间中集成更多的功能块。AMDs Massive Fiji GPU with HBM(5)消费类电子消费类电子产品是SIP的主导产品,应用对象主要包括数码相机、摄像机、笔记本电脑、PDA、掌上游戏机、MP3、MP4以及各种玩具等。三星电子公司采用SIP技术开发出业界第一个集ARM处理器、NAND闪存和SDRAM于一体的组件,其在单一封装结构内,将基于ARM的应用处理器芯片、256兆字节NAND闪存芯片和256兆字节SDRAM内存芯片垂直叠装在一起,尺寸仅为17×17×1.4mm,明显地减小了产品外形尺寸,使得掌上电脑和智能手机设计人员可以灵活地创造出支持多媒体等先进功能的更加小巧的产品设计方案。图像传感器是数码相机、扫描仪、摄像头、玩具等电子产品的核心器件,其通过光电转换,将光学信号转换成数字信号,然后实现图像的处理、显示和存储。图像传感器包括一系列不同类型的元器件,如CCD、COMS图像传感器、接触图像传感器、电荷载入器件、光学二极管阵列、非晶硅传感器等,SIP技术无疑是一种理想的封装技术解决方案。 蓝牙系统一般由无线部分、链路控制部分、链路管理支持部分和主终端接口组成,SIP技术可以使蓝牙做得越来越小迎合了市场的需求,从而大力推动了蓝牙技术的应用。例如,蓝牙半导体解决方案BGB202系统级封装,为移动设备设计人员带来了真正意义上的技术突破,它在一个封装内集成了多种技术,将整体蓝牙解决方案的尺寸降低到56。BGB202是对面市的BGB102 RF SIP的改进,它在一个超小型封装内集成了蓝牙无线技术功能所需的全部元件(无线电、基带、ROM、滤波器及其它分立元件)。SiP蓝牙模组(6)军事电子技术军事电子产品具有高性能、小型化、多品种和小批量等特点,SIP技术顺应了军事电子的应用需求,因此在这一技术领域具有广泛的应用市场和发展前景。SIP产品涉及卫星、运载火箭、飞机、导弹、雷达、巨型计算机等军事装备,最具典型性的应用产品是各种频段的T/R组件。T/R模块是整机最关键最基本的单元,缩小整机体积必然要从缩小每个T/R模块的体积入手,SIP技术的出现无疑能大大加快T/R模块小型化进程。在现代雷达技术中,相控阵雷达,特别是有源相控阵雷达占有十分重要的地位,其中T/R组件是整个雷达的关键部件之一。T/R组件的研制成本、稳定性和可靠性决定了整个雷达研制的周期、造价和可靠性指标,因此T/R组件的设计成为各雷达系统设计师关注的焦点。目前最常用的T/R组件由发射(T)通道、接收(R)通道和公用通道组成。例如,三菱电气公司研制采用SIP技术的TR组件构成的OPS-24有源多功能相控阵雷达。Westinghouse公司采用SIP技术生产制作了F22战斗机的x波段T/R组件,该SIP产品由8个GaAs MMIC芯片、4个GaAs数控接口芯片、若干个功放匹配网络以及RF旁路电容等构成,互连电路基板为LTCC多层基板,其内部含有22层布线以及多种形状复杂的空腔结构,线宽/间距均为125微米,与原先的分立模块相比较,体积和重量缩小了数十倍。Huges公司利用SIP技术研制出4通道x波段有源相控阵雷达T/R组件,4块A1N共烧多层陶瓷基板叠装成1个三维叠层封装结构,面积仅为32mm×32mm,与原先结构产品相比较,体积减小了86%,壳温低于125℃,产品可靠性得以明显的提高。F35相控阵雷达上的TR组件2. 系统级封装技术的发展与挑战系统级封装是一种新型的综合技术,囊括了材料、工艺、电路、器件、半导体、封装、测试等技术。这意味这项新的技术在成长的过程中要面临很多困难和挑战,例如微晶片减薄是SIP增长所要面对的重大技术挑战。现在的技术可处理厚度为50微米,如果进一步减薄,对于自动设备来说将产生问题:晶片变得过于脆弱,因此更加易碎。此外,从微晶片到微晶片的电子“穿孔”效应将损毁芯片的性能。另一挑战是LSI自由组合的技术问题。SIP中使用的LSI必须是KGD(known good die),即经过良品筛选的“确认好的芯片”。但是,大部分LSI厂家还未形成向用户提供KGD的体制。这说明并不是简单的将LSI芯片集合在一起,经封装即可使用的,而是受到诸多因素的制约。此外,还有SIP的发热问题、设计能简单化问题、如何处理界面不同等难题。微电子封装涉及的领域事实上,系统级封装不仅是封装领域的一个技术,它对整个电子制造业都会产生积极影响。主要反映在三个方面:(1)系统级封装本身促进电子制造技术进步;(2)带动相关制造装备开发;(3)促进材料与电子系统共性技术发展;系统级封装以电子系统小型化、高性能、多功能、高可靠性和低成本为目的。它要求IC不封装,尽可能裸片,因而促进了WLP和CSP的发展;它要求数字电路、模拟电路和射频电路集成在一个基板上,促进了设计方法与工具、基板工艺的发展;埋入无源元件促进了功能材料的发展;光学系统的集成促进了光学元件、材料与组装技术的发展;射频前端集成促进低损耗介质和磁性介质的开发和使用等。而这些技术并非只是系统级封装所要求的技术,事实上,它们是电子制造业的共性技术,它们的发展与提高必定促进电子制造业的技术进步。有人说系统级封装只是一个概念,不是一个产品或技术。从某种意义上说,这是对的。系统级封装可以理解为是一个目标。为达到这个目标,我们必须面对所有的挑战,克服所有的困难。在这个过程中的每一个进步其实就是现有技术的进步,由于是共性技术,就可立即用于现今的生产。总体来看,就是电子行业的进步。END文章来源:作者:杨邦朝,马嵩胡,永达 IC封装设计针对电子制程精密焊后清洗的不同要求,合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验,对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况,自主开发了较为完整的水基系列产品,精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端,包括有水基和半水基清洗剂,碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在,在同等的清洗力的情况下,合明科技的兼容性较佳,兼容的材料更为广泛;在同等的兼容性下,合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多(测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌;测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分),清洗速度更快,离子残留低、干净度更好。 合明科技摄像模组感光芯片CMOS晶片镜片清洗剂,LED芯片焊后助焊剂锡膏清洗剂、CMOS焊接后清洗剂、FPC电路板清洗剂、SMT元器件封装工艺清洗剂、微波组件助焊剂松香清洗剂、车用IGBT芯片封装水基清洗方案,SMT电子制程水基清洗全工艺解决方案,汽车用 IGBT芯片封装焊后清洗剂,IGBT芯片清洗剂,IGBT模块焊后锡膏清洗剂,IGBT功率半导体模块清洗,SMT锡膏回流焊后清洗剂,PCBA焊后水基清洗剂,系统封装CQFP器件焊后助焊剂清洗剂、SIP芯片焊后清洗剂、BMS电路板焊后清洗剂,半导体分立器件除助焊剂清洗液、半水基清洗剂、IGBT功率模块焊后锡膏水基清洗剂、PCB组件封装焊后水性环保清洗剂、SMT封装焊后清洗剂、精密电子清洗剂、半导体分立器件清洗剂、SMT焊接助焊剂清洗剂、锡嘴氧化物清洗剂、PCBA清洗剂、芯片封装焊后清洗剂、水性清洗剂、FPC清洗剂、BGA植球后清洗剂、球焊膏清洗剂、FPC电路板水基清洗剂、堆叠组装POP芯片清洗剂、油墨丝印网板水基清洗全工艺解决方案、BMS新能源汽车电池管理系统电路板制程工艺水基清洗解决方案、储能BMS电路板水基清洗剂、PCBA焊后助焊剂清洗剂、组件和基板除助焊剂中性水基清洗剂、功率电子除助焊剂水基清洗剂、功率模块/DCB、引线框架和分立器件除助焊剂水基清洗剂、封装及晶圆清洗水基清洗剂、倒装芯片水基清洗、SIP和CMOS芯片封装焊后清洗剂、SMT钢网、丝网和误印板清洗除锡膏、银浆、红胶,SMT印刷机网板底部擦拭水基清洗剂、焊接夹治具、回流焊冷凝器、过滤网、工具清洗除被焙烤后助焊剂和重油污垢清洗剂,电子组件制程水基清洗全工艺解决方案。

  • 3D封装免洗助焊剂清洗剂合明科技分享:3D封装对电源管理器件性能及功率密度的提升分析

    3D封装免洗助焊剂清洗剂合明科技分享:3D封装对电源管理器件性能及功率密度的提升分析

    3D封装免洗助焊剂清洗剂合明科技分享:3D封装对电源管理器件性能及功率密度的提升分析合明科技专注精密电子清洗技术20多年,是SMT贴装/DIP封装,功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基系列产品,精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端,包括有水基和半水基清洗剂,碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在,在同等的清洗力的情况下,合明科技的兼容性较佳. 先进封装包括倒装芯片、WLCSP晶圆级芯片封装、3D IC集成电路封装、SiP系统级封装、细间距封装等等。引言自出现以来,半导体产业一直遵循着资源最大化的轨迹。持续收缩的工艺技术使得芯片设计者可以集成更多的创新技术到更小尺寸的晶元上。而亚微米工艺的引入从空间上反向影响了芯片设计领域:虽然芯片的物理面积不断缩小,但是芯片设计者可以操作的空间变大了。现在,这个行业面临着物理学定律的挑战。继续减小晶元的工艺尺寸并不能相应带来同等的性能增加。当然,市场对芯片性能提升的追求是永无止境的。特别是高端计算机和通讯系统,对电源管理器件和其他类型芯片高性能的要求与日俱增。许多力量在推动芯片设计人员去寻找和发现包括芯片封装在内的半导体产业创新。一个芯片如何被封装甚至和芯片本身一样,对电源管理器件的性能参数至关重要。一个芯片的性能不应该止于封装;相反,如果一个芯片已达到其最大特性,封装可以增强和延伸其性能。创新的芯片封装技术和芯片本身一样,对整个芯片的性能参数至关重要。这适用于许多电源管理器件应用的领域,如高性能计算机,通讯系统。在这些领域中,效率,尺寸,电流能力,热管理和稳定性最为关键。比如,提升通讯设施里交换机,服务器,网关和其他系统里DCDC变换器的效率可以降低系统的功耗,从而降低供应商维护操作基础设施的费用。还有很多其他的例子来说明电源管理器件特性的重要性。器件的封装技术,包括从2D到3D的变化,对芯片的性能优化起了主要作用。TI的Powerstack封装技术是一种简单且独特的3D封装方案,它在许多应用和系统里提升了电源管理器件的性能参数。本文会着重介绍Powerstack技术的优势,实际应用结果以及在未来的发展前景。1. 新维度上的创新在过去,设计一个系统的电源子系统时,需要找到性能合适的器件并有效的使用它们。但对今天高性能计算机和通讯系统的需求来说,设计一个电源子系统非常具有挑战性。多路且相当多样化的电压需求,体积的限制,环保材料的需求,更低的功耗以及其他的考虑会影响到电源系统的设计和组成。比如, 由于系统环境的改变,DCDC 变流器的设计也相应的改变。对手机市场低端低电流的应用,单晶元的方案或者双晶元的方案(包括一个控制器和MOSFET)可以满足大部分的需求。如果需要额外的MOSFET,通常放在第一个MOSFET的旁边并使其内部连接到控制器。这种两个MOSFET并排放置的方式消耗了明显的板面积;同时,因为芯片之间的电寄生参数,影响了变流器的性能。(如图1)图1. 两个MOSFET 和控制器IC 并排放置的方案2. 叠层放置MOSFET的好处为了克服分立方案的不足,TI 发明了Powerstack封装技术。不局限于两个维度,Powerstack封装方案利用三个维度,把MOSFET堆叠在一个创新的封装里。和其他封装技术类似,堆叠的主要好处是充分利用了3D 的集成度。堆叠技术减小了芯片的2D面积,并节省了板空间。当然,Powerstack封装除了节省空间,在其他方面也有一定的优势。Powerstack封装的额外优势是增强了电性能和热性能。如上所述,堆叠方式通过公共点的直接连接消除了一些电寄生参数。Powerstack封装中的铜片连接是一种非常有效的技术,它可以充分的利用封装技术并提供非常低的阻抗。同时,TI的NexFET也很适用于堆叠技术,因为其地端可以和封装的散热片连在一起,更有效的把热传递给印制板。Powerstack充分利用了各种封装技术和材料,可以实现更多的集成。TI NexFET同步BUCK功率模块是一个典型的堆叠封装实例,它把两个MOSFET集成在一个小外形封装内。再在同样的封装内加入一个控制器就构成了完整的功率控制部分。一个利用Powerstack技术制成的功率模块如图2所示,其中上管MOSFET和下管MOSFET通过厚铜片连接起来。下管芯片和引线框的基板连在一起,同时也为下管的地提供一个通路。这种结构可以给电源子系统的设计人员带来很多好处,比如节省了布板空间,提高了电流能力,效率和热性能。图2. POWERSTACK封装j结构2.1 节省布板空间在今天,由于高性能计算机和通讯产品越来越小型化,故减少布板面积非常重要。而3D 封装的创新为这种减少提供了可能。和之前几代封装局限于X 和Y 维度不同,Powerstack可以充分的利用Z 维度。与分立的MOSFET 相比,把两个MOSFET 竖向组装在一个封装里,可以节省同步BUCK 变流器至少一半的面积。如果把控制器再集成在相同的封装里则更进一步节省空间。因为Powerstack封装的灵活性和扩展性,通用的控制器都可以被集成,一些满足特殊应用的客户化解决方案也因此容易被开发。图3. 使用POWERSTACK节省布板空间的实例2.2 更高的过电流能力图4 的电路显示在Powerstack封装中芯片的电寄生参数非常小。在此种情况下,寄生电阻和电感的幅值及出现概率都减小了。因此,由于导通损耗和开关损耗的降低,芯片过电流的能力被增强了。在电源系统中,高速的开关频率因其显著减小外置电感的大小和价格广受青睐。而使用Powerstack封装,可使用更高的开关频率,为布板空间的进一步减小打下了基础。图4. 使用POWERSTACK可支持更大电流和更高开关频率2.3 效率Powerstack封装可以减小电路中的电寄生参数,从而减小了开关和导通损耗。所以,与分立解决方案相比,可以实现更高的转换效率。图5 是Powerstack封装和普通分立封装的效率曲线比较。图5. POWERSTACK和离散方式的效率比较2.4 热管理Powerstack的另一个优势是热性能。如前所述,此种封装可以显著降低寄生的电参数,所以可以降低开关和导通损耗,从而产生更少的热损耗。在高性能计算机和通讯系统中,降低功耗可以节省能源和散热的开支,且把预算留给高性能的DSP 和处理器,故降低功耗是最重要的设计目标之一。同时,Powerstack本身的结构也可以提升热性能。在Powerstack封装中,封装底部的焊盘一般是和地连接在一起的,而通常,在系统中地层是最大且最容易导热的平面。所以,Powerstack封装利用热传导路径对热性能进行了优化,如图6 所示。相反,传统的分立MOSFET 或者并排放置的MOSFET 一般被置于开关节点或输入节点。而这些节点并不像地平面一样容易散热。从图8 可以看到两种方式热性能的显著差别。图6. POWERSTACK封装通过地平面优化的散热路径图7. 传统分立MOSFET散热路径被SW 和VIN 节点限制图8. POWERSTACK和并排放置MCM 的热性能比较2.5 稳定性在电源管理的封装中稳定性是一个重要的需求,通常被放在很高的优先级里。Powerstack封装技术的稳定性在功率模块和全集成产品里被广泛验证,满足或超过了TI 的质量,耐久性和可靠性测试。而Powerstack的散热能力又提升了芯片的稳定性,它可以显著降低器件生命周期的操作温度。3. 封装的作用Powerstack封装技术显示出芯片的封装在半导体芯片的性能和具体参数上具有关键作用。特别是在同步BUCK 变流器的功率模块里,Powerstack显示出这种新的3D 堆叠创新可以帮助优化电源管理器件的重要参数,包括布板面积,效率,过电流能力以及热性能。在高性能计算机及通讯设备等许多应用中,Powerstack可以极大提升系统的性能并降低终端产品的风险。此种技术会在将来广泛应用。EDN文章来源: TI IC封装设计针对电子制程精密焊后清洗的不同要求,合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验,对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况,自主开发了较为完整的水基系列产品,精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端,包括有水基和半水基清洗剂,碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在,在同等的清洗力的情况下,合明科技的兼容性较佳,兼容的材料更为广泛;在同等的兼容性下,合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多(测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌;测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分),清洗速度更快,离子残留低、干净度更好。 合明科技摄像模组感光芯片CMOS晶片镜片清洗剂,LED芯片焊后助焊剂锡膏清洗剂、CMOS焊接后清洗剂、FPC电路板清洗剂、SMT元器件封装工艺清洗剂、微波组件助焊剂松香清洗剂、车用IGBT芯片封装水基清洗方案,SMT电子制程水基清洗全工艺解决方案,汽车用 IGBT芯片封装焊后清洗剂,IGBT芯片清洗剂,IGBT模块焊后锡膏清洗剂,IGBT功率半导体模块清洗,SMT锡膏回流焊后清洗剂,PCBA焊后水基清洗剂,系统封装CQFP器件焊后助焊剂清洗剂、SIP芯片焊后清洗剂、BMS电路板焊后清洗剂,半导体分立器件除助焊剂清洗液、半水基清洗剂、IGBT功率模块焊后锡膏水基清洗剂、PCB组件封装焊后水性环保清洗剂、SMT封装焊后清洗剂、精密电子清洗剂、半导体分立器件清洗剂、SMT焊接助焊剂清洗剂、锡嘴氧化物清洗剂、PCBA清洗剂、芯片封装焊后清洗剂、水性清洗剂、FPC清洗剂、BGA植球后清洗剂、球焊膏清洗剂、FPC电路板水基清洗剂、堆叠组装POP芯片清洗剂、油墨丝印网板水基清洗全工艺解决方案、BMS新能源汽车电池管理系统电路板制程工艺水基清洗解决方案、储能BMS电路板水基清洗剂、PCBA焊后助焊剂清洗剂、组件和基板除助焊剂中性水基清洗剂、功率电子除助焊剂水基清洗剂、功率模块/DCB、引线框架和分立器件除助焊剂水基清洗剂、封装及晶圆清洗水基清洗剂、倒装芯片水基清洗、SIP和CMOS芯片封装焊后清洗剂、SMT钢网、丝网和误印板清洗除锡膏、银浆、红胶,SMT印刷机网板底部擦拭水基清洗剂、焊接夹治具、回流焊冷凝器、过滤网、工具清洗除被焙烤后助焊剂和重油污垢清洗剂,电子组件制程水基清洗全工艺解决方案。

  • 多功能芯片封装中性水基清洗剂合明科技分享:什么是微系统与SiP、SoP集成技术?

    多功能芯片封装中性水基清洗剂合明科技分享:什么是微系统与SiP、SoP集成技术?

    多功能芯片封装中性水基清洗剂合明科技分享:什么是微系统与SiP、SoP集成技术?合明科技专注精密电子清洗技术20多年,是SMT贴装/DIP封装,功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基系列产品,精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端,包括有水基和半水基清洗剂,碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在,在同等的清洗力的情况下,合明科技的兼容性较佳. 先进封装包括倒装芯片、WLCSP晶圆级芯片封装、3D IC集成电路封装、SiP系统级封装、细间距封装等等。摘 要: 微系统技术是突破摩尔定律极限的重要解决途径之一,受到广泛关注。微系统的实现途径有SoC、SiP和SoP三个层级,其中SiP和SoP以其灵活性和成本优势成为近期最具应用前景的微系统集成技术。综述了SiP和SoP的技术内涵、集成形态以及关键技术,为微系统集成实现提供参考。关键词:微系统;系统级封装(SiP);基于封装的系统(SoP) 0 引言微系统是融合体系架构、算法、微电子、微光子、微机电系统(Micro Electro Mechanical Systems,MEMS)五大要素,采用新的设计思想、设计方法、制造方法,将传感、处理、执行、通信、能源等五大功能集成在一起,具有多种功能的微装置[1]。其中,体系架构是构建微系统的骨架,功能算法是微系统的灵魂,微电子、光电子、MEMS等是微系统的基本元素,学科交叉融合是微系统创新的源泉(如图1所示)。近年来,微电子技术的发展已经从单一的摩尔定律向超越摩尔定律发展,即在尺度缩小的基础上更加突出功能的融合。微系统的发展与微电子和集成技术的发展息息相关,微电子沿着摩尔定律继续发展,它追求的是更小的纳米尺度工艺,以此推动集成电路向更高的集成度方向发展。集成技术沿着超越摩尔定律的方向发展,它面向应用,通过射频、模拟、光电等多种功能的融合集成提升集成密度[2]。微系统集成则是综合了延续摩尔和超越摩尔两条路径的最新成果,通过三维异质异构集成实现更高的价值(如图2所示)。系统的多功能融合和多专业多学科高度交叉给集成制造能力和工艺技术带来了前所未有的机遇与挑战。在三层架构的微系统集成实现途径中,SoC期望在单芯片上通过异构甚至异质的方式集成多个系统功能,是微系统的终极目标,但其受限于材料和工艺兼容性等问题,技术难度大,研发周期长,成本高昂,还无法实现大规模的集成。因此,目前更多是以多功能芯片的形态存在,必须与其他技术手段相结合才能实际应用于电子装备和系统。SiP是将多种异构芯片、无源元件等采用二维或三维形式集成在一个封装体内。其具有更高的灵活性,更高的综合集成密度,更高的效费比,是目前微系统集成的热门研究领域。然而,SiP由于其本身集成规模的限制,以及部分功能集成手段的制约,仍很难综合解决散热、电源、外部互连和平台集成等系统必备需求,也仍无法构成独立的系统。SoP则是面向系统应用,基于系统主板,将SiP、元器件和连接器、散热结构等部件集成到一个具备系统功能的广义封装内。SoP可以加载系统软件,可以具有完整的系统功能,是功能集成微系统最合理、最直观的集成形势,也是整机和系统的核心集成能力[3]。如图4所示,在DARPA提出的理想阵列中,也可以见到从SoC到SiP,再到SoP最终到系统的实现过程,其中需要从纳米到微米,再到毫米的跨越多个尺度的集成制造手段。本文将重点分析SiP和SoP的内涵形态与关键技术。由于SoC的集成关键技术主要集中在微电子芯片工艺,在本文中不做重点论述。1 SiP的内涵形态与关键技术如图5所示,SiP在集成封装行业中有两种不同的表述,分别是堆叠芯片封装(Stacked ICs andPackage)和系统级封装(System in Package)。其中,后者的使用较为广泛。然而,这两种表述具有很强的互补性,其关键技术共同构成了SiP的丰富内涵。堆叠芯片封装的关注焦点在芯片和芯片的堆叠形态,可以理解为芯片级/晶圆级的集成封装。系统级封装则更多的关注功能的融合,主要依托于多功能的封装基板,可以理解为基板级的集成封装。1.1 堆叠芯片封装堆叠芯片封装的集成形态是在硅、玻璃或其他材料的圆片或晶圆上通过微米级的工艺手段集成各类裸芯片与无源元件。该集成方式具有微米级的线宽和精度,具有高精度、高密度集成特点,是半导体工艺向上拓展后在异构集成中的应用。然而,与SoC类似,堆叠芯片封装的集成规模、功能复杂度相对较低,结构强度较低,环境适应性较弱,当前较难直接在系统中集成应用,通常需要进行二次封装。如图6所示,堆叠芯片封装的集成形态既包括以转接板为过渡的2.5D集成,也包括芯片/晶圆直接堆叠的3D集成[4]。如图7所示,在2.5D和3D集成的基础上,堆叠芯片封装有三种典型的集成形态:1)D2I(Die toInterposer):制作带TSV(ThroughSi Vias,硅通孔)互连通孔、IPD(集成无源元件)和微通道散热的硅基无源转接板,表面集成有源器件后三维堆叠。2)D2W(Die toWafer):对已有CMOS(ComplementaryMetal-Oxide-SemiconductorTransistor,互补金属氧化物半导体)晶圆做重布线和TSV互连通孔,表面集成其他非CMOS器件后三维堆叠。3)W2W(Waferto Wafer):各同类或异类晶圆直接三维堆叠键合集成。其中D2I是典型的2.5D集成形态,D2W进入到3D集成领域,而W2W是典型的3D集成形态。三种集成形态的兼容性、灵活性和技术成熟度可以简单排序为D2I>D2W>W2W[5-7]。堆叠芯片封装主要采用晶圆后道工艺,有三项主要关键技术:垂直通孔、重布线与IPD集成和互连与键合。如图8所示,垂直通孔是通过硅、玻璃等转接板或晶圆内的互连通孔,实现信号的高密度低损耗垂直互连。典型孔径为5~50 μm,典型深径比为5:1~10:1。如图9所示,重布线与IPD集成是通过转接板/晶圆表面的多层重布线,实现裸芯片与晶圆间,晶圆与晶圆间的接口匹配,同时将占据表面的部分无源元件内埋。典型线宽为2~10 μm。如图10所示,互连与键合是通过同质/异质材料的键合集成,实现裸芯片与晶圆间,晶圆与晶圆间的机械连接和电气互连。键合方式包括金属键合、高分子键合、硅-硅/氧化硅-氧化硅/硅-氧化硅键合等[8-10]。1.2 系统级封装系统级封装的集成形态是以高密度基板为核心,集成组装射频、模拟、数字、光电等各类元器件,构建高性能核心功能单元,实现芯片的互连、散热和环境适应性防护[11]。该集成方式与晶圆级集成相比集成规模更大,功能更复杂,结构强度更能适应各种复杂环境需求(如图11所示)。相应的,该集成方式的集成密度相对晶圆级集成较低。系统级封装主要采用封装工艺,有三项主要关键技术:高密度基板、多功能异构组装、封装与防护和封装多层堆叠(Package on Package,PoP)。高密度基板是SiP集成的物理载体,其功能包括元器件之间的电气互连,传输射频、模拟、数字等信号;内埋集成部分无源元件,包括电容、电阻、电感,以及功分器、滤波器等;为元器件提供散热通道。常用的SiP封装高密度基板包括多层树脂基板和多层陶瓷基板/管壳,其选择的影响因素包括线条宽度、布线层数、后续封装防护方式等(如图12所示)。如图13所示,多功能异构组装是通过引线、倒装等主要手段,将数字、模拟、射频甚至光电器件通过键合集成组装在高密度基板上,实现特定的部件功能。其还包括粘接、贴片、底部填充等集成关键技术。封装与防护是以一定的手段将较脆弱的芯片保护起来,以满足特定应用下的环境适应性要求和可靠性要求。根据应用领域的不同和对环境适应性可靠性的要求不同,可以采用非气密性封装和气密性封装(如图14和图15所示)。其中,非气密性封装用于对可靠性要求较低的场合,包括塑封、包封、粘接金属盖等手段实现保护与电磁屏蔽。气密性封装主要用于高可靠场合,包括陶瓷/玻璃封装、金属封装等手段。多层堆叠:与芯片和晶圆级的三维堆叠类似,SiP封装在平面上的集成空间已经不足,可通过三维堆叠集成,在提升集成密度的同时,降低互连长度,提升性能(如图16和图17所示)。2 SoP的内涵形态与关键技术在一个电子系统中,半导体IC芯片通常只占体积的10%,通过SoC和SiP技术可以解决系统体积10%~20%的缩减。其余空间则被大量的分立无源元件、电路板及其线缆连线占据。SoP提供了解决这80%~90%问题的系统集成路径,通过“超越摩尔定律”的方式,从根本上大幅提升系统集成密度,成数量级降低系统整体的体积质量(如图18所示)。如图19所示,SoP是基于封装的系统,是基于系统主板,将SiP、元器件和连接器、散热结构等部件集成到一个具备系统功能的封装内。它通过对数字、射频、光学、微机电系统的协同设计和制造,提供几乎所有的系统功能,是在SiP以上更高层次的集成,也属于广义的封装集成领域。如图20所示,SoP的基本集成形态是2.5D的板级集成,是在2D的多功能高密度系统母板上集成3D的高密度封装单元,最终形成一个具有系统功能的板级微系统。在消费电子领域,智能手机的核心功能就是通过SoP的形式集成实现的(如图21所示)。SoP集成有四项关键技术,分别是系统母板、高密度混合信号多工艺跨尺度异构集成与互连、集成可靠性与多层级热管理。 如图22所示,系统母板是整个SoP微系统提升集成密度的基础和核心。在系统母板内部嵌入射频、数字、光等所需的高质量信号传输,以替代大量线缆,大幅缩小体积重量;嵌入阻容、功分、滤波等无源元件,以替代大量分立无源元件,大幅节省平面面积,用于有源芯片的集成;嵌入散热结构,以替代部分分立散热结构,降低体积质量。 如图23所示,SoP微系统具有基本完整的系统功能,需将各类异构SiP封装或元器件在SoP主板上组装集成并实现高质量信号互连。集成互连的信号包括数字、模拟、射频、光等复杂信号;集成工艺包括正装集成、引线键合、倒装集成、SMT和光电集成等;集成尺度从10 μm到mm跨过至少两个量级。因此,高密度混合信号多工艺、跨尺度异构集成与互连工艺兼容性是核心问题。如图24所示,SoP主板与SiP封装相比尺寸大、密度高、材料体系多样、集成要素种类数量多、工艺过程复杂,系统可靠性保障难度明显增加,需要更加详细精确的可靠性设计与验证。SoP系统集成密度大幅提升,带来热耗的大幅增加,系统散热压力剧增,需建立芯片到SiP封装到SoP微系统的全套多层级热管理体系(如图25所示)。传统主要通过热传导的散热方式将可能不再适用,需要引入微流道、微热管、微喷流、相变散热等新型散热手段。3 结论微系统技术是突破摩尔定律极限的重要解决途径之一,当前已进入“百花齐放、百家争鸣”的高速发展阶段。微系统的集成实现途径有SoC、SiP、SoP三个层级,其中SiP和SoP以其灵活性和成本优势成为近期最具应用前景的微系统集成技术,本文浅析了SiP和SoP的技术内涵、集成形态以及关键技术,为微系统集成实现提供参考。END 文章来源:原创 向伟玮 高可靠电子装联技术针对电子制程精密焊后清洗的不同要求,合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验,对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况,自主开发了较为完整的水基系列产品,精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端,包括有水基和半水基清洗剂,碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在,在同等的清洗力的情况下,合明科技的兼容性较佳,兼容的材料更为广泛;在同等的兼容性下,合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多(测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌;测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分),清洗速度更快,离子残留低、干净度更好。 合明科技摄像模组感光芯片CMOS晶片镜片清洗剂,LED芯片焊后助焊剂锡膏清洗剂、CMOS焊接后清洗剂、FPC电路板清洗剂、SMT元器件封装工艺清洗剂、微波组件助焊剂松香清洗剂、车用IGBT芯片封装水基清洗方案,SMT电子制程水基清洗全工艺解决方案,汽车用 IGBT芯片封装焊后清洗剂,IGBT芯片清洗剂,IGBT模块焊后锡膏清洗剂,IGBT功率半导体模块清洗,SMT锡膏回流焊后清洗剂,PCBA焊后水基清洗剂,系统封装CQFP器件焊后助焊剂清洗剂、SIP芯片焊后清洗剂、BMS电路板焊后清洗剂,半导体分立器件除助焊剂清洗液、半水基清洗剂、IGBT功率模块焊后锡膏水基清洗剂、PCB组件封装焊后水性环保清洗剂、SMT封装焊后清洗剂、精密电子清洗剂、半导体分立器件清洗剂、SMT焊接助焊剂清洗剂、锡嘴氧化物清洗剂、PCBA清洗剂、芯片封装焊后清洗剂、水性清洗剂、FPC清洗剂、BGA植球后清洗剂、球焊膏清洗剂、FPC电路板水基清洗剂、堆叠组装POP芯片清洗剂、油墨丝印网板水基清洗全工艺解决方案、BMS新能源汽车电池管理系统电路板制程工艺水基清洗解决方案、储能BMS电路板水基清洗剂、PCBA焊后助焊剂清洗剂、组件和基板除助焊剂中性水基清洗剂、功率电子除助焊剂水基清洗剂、功率模块/DCB、引线框架和分立器件除助焊剂水基清洗剂、封装及晶圆清洗水基清洗剂、倒装芯片水基清洗、SIP和CMOS芯片封装焊后清洗剂、SMT钢网、丝网和误印板清洗除锡膏、银浆、红胶,SMT印刷机网板底部擦拭水基清洗剂、焊接夹治具、回流焊冷凝器、过滤网、工具清洗除被焙烤后助焊剂和重油污垢清洗剂,电子组件制程水基清洗全工艺解决方案。

  • 微波功率放大器芯片清洗剂合明科技分享:微波高功率固态放大器技术

    微波功率放大器芯片清洗剂合明科技分享:微波高功率固态放大器技术

    微波功率放大器芯片清洗剂合明科技分享:微波高功率固态放大器技术合明科技专注精密电子清洗技术20多年,是SMT贴装/DIP封装,功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基系列产品,精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端,包括有水基和半水基清洗剂,碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在,在同等的清洗力的情况下,合明科技的兼容性较佳. 先进封装包括倒装芯片、WLCSP晶圆级芯片封装、3D IC集成电路封装、SiP系统级封装、细间距封装等等。0 引言微波集成电路技术是无线系统小型化的关键技术.在毫米波集成电路中,高性能且设计紧凑的功率放大器芯片电路是市场迫切需求的产品.总的来说,微波功率放大器的芯片性能很大程度上取决于制造工艺,而每种工艺对功率放大器有着不同的特点或优势.对于工作频率不高于100GHz的芯片而言,砷化镓和氮化镓材料具有功率方面的优势[1-2].如果频率作为器件的首要考虑,那么选用磷化铟器件制作的功率放大器其频率可以高到500GHz以上[3].当然,对于工业制造来说,产品的成本也是功率放大器设计以及量产的重要因素,特别是对于消费电子产品类,互补金属氧化物半导体(CMOS)利于片上系统集成,因此具有成本优势.从应用场景来看,毫米波芯片工作于不同的频率有着不同的要求,比如在Ka波段的26.5~40GHz,目前主要用于卫星和中长距点对点通信,大功率是这个波段功率放大器的首要指标,因而氮化镓和砷化镓的功率放大器芯片是首选.对于60GHz而言,由于电磁波在该频率的衰减很大,主要潜在应用于短距离的高速通信并面向消费电子市场,因而成本较低的CMOS半导体和锗化硅器件是未来该频段芯片设计的首选[4].在本篇综述中,首先将比较毫米波固态电路芯片制造的基础工艺;然后针对不同的设计指标,介绍了相应的解决方案,包括设计构架和功率半导体芯片的设计思路;最后比较了各种功率放大器的工艺特点和设计方法,希望能为该领域的研发工作提供直观的设计参考. 1 微波芯片制造技术1.1 砷化镓当前砷化镓工艺包含两大类器件工艺:赝调制掺杂异质结场效应晶体管(pHEMT)和应变高电子迁移率晶体管(mHEMT).其中pHEMT的商用程度要高于mHEMT器件.在商用领域,比较知名的公司有Qorvo、Mimixbroad、M/A-COM和Excelics等,其中大部分的固态功率放大器工作在6GHz到120GHz附近.比如Qorvo公司的TGA4706-FC芯片可在76~83GHz的频率范围提供超过15dB的增益和14dBm的饱和输出功率.基于70nm的pHEMT器件,砷化镓毫米波固态功率放大器已经可以工作在100GHz的频率以上[5].非消费电子用途的主流的砷化镓功率放大器产品定位于6~40GHz之间,以X波段雷达和Ku、Ka 波段的卫星通信为目标市场.如果不采用分布式功率放大器结构,其带宽通常在10 GHz 之内[6-7] .由于衡量微波固态功率放大器的重要指标之一是饱和输出功率,Qorvo 公司的商用芯片TGA4916 可在29~31 GHz 的频率范围输出达到38dBm.在17~30 GHz 频段,现有的pHEMT 功率放大器的功率附加效率( PAE) 集中在25% ~ 45%之间[8-12] .应变高电子迁移率晶体管(mHEMT)的研发初衷是为了解决磷化铟和砷化镓衬底的不匹配问题,其基本方法是在砷化镓衬底中添加一层铟.这种工艺器件具有较高的晶体管截止频率和较低的噪声,已报道的用mHEMT 制作的毫米波功率放大器频率在200 GHz 以上[13-14] . 而在低于40 GHz 的频率,mHEMT 的功率放大器较少被报道,相较于pHEMT制备的功率放大器并不具备竞争优势,只有少量用于实验的低噪声放大器可供参考[15] .1.2 氮化镓氮化镓器件具有高的电子迁移率和高的击穿电压,是高效率大功率放大器设计的首选,其工作频带范围可以从直流到接近100 GHz.在0.1 和0.15 μm特征栅长的器件问世后,多个工作频率超过70 GHz的氮化镓功率放大器已被验证[16-19] .在低于30 GHz的频率,毫米波功率放大器芯片已在功率、效率和带宽方面表现出非常出众的性能. 比如ACTEL-THALES III-V 实验室研制的氮化镓功率放大器,输出功率达到43 W 的同时保持了52%的功率附加效率[20] .而由Mitsubishi Electric 公司研制的功率放大器可在14 ~ 16 GHz 频带范围输出60 W 的功率和45%的功率附加效率[21] .应用分布式放大电路拓扑,氮化镓功率放大器同时展现了其宽带和高功率的优势[22-23] .由于pHEMT 器件的商业应用已成熟多年并且优化,使得氮化镓功率放大器在30 GHz 以上还处于与砷化镓竞争的态势.在两种器件表现出相似的输出功率时,其内部技术实现路径却稍显差异[24-27] .由于氮化镓器件的高功率特性,使得用该种器件设计的功率放大电路可以用较少的晶体管进行末级合成,就能匹敌用更多砷化镓器件实现的指标.但是由于氮化镓的器件本身体积较大,需要占用较大的芯片面积,因此制作多级电路的时候往往增益不如砷化镓pHEMT 晶体管的功率放大器.1.3 硅基互补金属氧化物半导体相比砷化镓和氮化镓器件,CMOS 半导体所能提供的输出功率显得非常有限.原因是该种器件的击穿电压低,并且晶体管的电流耐受能力不高,其最大优势在于容易与高集成密度、低功耗的数字模拟系统进行一体化集成,使得系统具有成本低廉、集成度高、应用范围广的优势.由于在消费电子市场的大规模应用,最近几年有关互补金属氧化物半导体的功率放大器集成的研究成为一个热点,因为当其与模拟和数字部分集成为片上系统后,在价格、可靠性和便利性上都展现出独特的优势.目前工作频率高于15 GHz 的CMOS 功率放大器的输出功率大体在20 dBm 左右,并且正在向30 dBm推进[28] . 由于CMOS 按照摩尔定律发展,在各种半导体器件中特征尺寸制程领先,因此晶体管的截止频率较高.如果辅以分布式的电路结构,其工作带宽可达几十吉赫[29-32] .最近几年,由于60 GHz 频段附近在世界大多数国家开放为不需要购买牌照就能使用的频谱资源,而且大气传播衰减大主要面向短距离通信,所以这个频段的CMOS 功率放大器成为一个研究热点.当前该频段的功率最高水平在20 dBm 左右,功率附加效率一般小于25%[33-37] .1.4 锗化硅锗化硅(SiGe)器件的发展主要由IBM 等公司推动,采用了双极性BiCMOS 工艺,可以作为CMOS的替代选择方案,同等尺度下器件的性能和截止频率都有较大幅度的提升,并且同样具有价格低廉的优点.与工作在相同频率且性能相近的CMOS 器件比较,锗化硅异质结晶体管的比硅基互补金属氧化物半导体的耐电压,处理电流能力也稍高一筹,因而也适合用于集成微波功率放大器.在21~26 GHz 频段,锗化硅异质结晶体管放大器可提供23 dBm 的饱和功率输出且达到19.8%的功率附加效率[38] .有报道指出60 GHz 频段的功率放大器的性能有所下降,当饱和输出功率在20 dBm 时,功率附加效率值为12.7%[39] .1.5 磷化铟得益于磷化铟(InP)异质结晶体管的截止频率可以大于500 GHz,这类器件非常适用于制备工作频率在100 GHz 以上的毫米波芯片.在电路拓扑上,磷化铟固态功率放大器的拓扑大多采用多级级联、末级单管输出的方式来实现,其在G 频段的输出功率可达20 mW[40-42] .为了进一步提高该类器件的耐压特性,双异质结结构的场效应管是其改进版本[43] .当磷化铟器件应用在较低频率,比如20 GHz 的放大器设计,单级的放大结构就能提供62%的功率附加效率和20 dB 增益[44] .如果在该频段采用多路合成的方式提高输出功率,那么功率附加效率降低到37%~37.8%的区间[45-47] .2 微波高功率放大器设计技术2.1 二进制功率合成技术通常而言,在其他外界条件保持不变的情况下,微波功率放大器的输出功率能力与总的晶体管或场效应管的栅宽成正比.虽然理论上可以通过增加单个晶体管的方式增加输出功率,但是这种方法在实际应用中会造成匹配的困难和截止频率降低的问题,因为此时晶体管的输入输出阻抗过低.当单管不能满足微波功放的输出功率指标时,最常用的办法是采用二进制的方式来提高输出功率,比较经典的功率合成器有T 字形网络和Wilkisnon 功率合成器.在插入功率合成器后,放大器的效率和工作带宽会有所降低,比如文献[47]的功率放大器在多管合成的条件下其功率附加效率降为单管的一半左右.T 字形网络和Wilkisnon 功率合成器区别在于:T 形功分网络难以满足每个端口的匹配和两个合路端的隔离,而Wilkisnon 功率合成器通过在两个合路端添加电阻的方式,使所有端口达到匹配条件并事先隔离合路端口.总体而言,采用二进制方式的功率合成技术应用范围广,并且可以灵活选择需要合成的路数,因此是商用芯片中实现高功率输出的首选方式.如图1 所示的TGA4916 的商用芯片,在最后一级采用了32 路的合路器来提高输出功率,芯片面积为3.86×5.17 mm2,因此也可以发现二进制合路器在合成路数增加的时候版图面积也相应增加较大.2.2 平衡式放大器对于需要工作在宽带的功率放大器而言,输入和输出端口需要在宽带内匹配到50 Ω,以实现低的驻波系数,这样可以减少连到外部元件时增益和输出功率的降低.此时可以借助90°耦合器的方式实现两个分路内的相位差,最后在合路端同向信号相加,反射波由于存在180°的相位差而被抵消[48-50] .在集成电路设计中,Lange耦合器结构紧凑,能够很好满足宽带功率放大器的需求.在这类平衡功率放大器中,Lange 耦合器在输入和输出端口成对使用,如图2 所示.2.3 分布式放大拓扑分布式放大器设计的基本思路是利用具有电容特性的晶体管或场效应管,配合外部电感构造类似传输线的结构,使其整体具有传输线的特性,最终达到宽带匹配的效果.虽然这种结构可以实现覆盖多个波段的匹配效果,但其代价是所获得的增益和功率附加效率往往不高,功率合成的效果不如T 形和Wilkinson 功分器.但是如果行波放大拓扑配合先进的氮化镓工艺,可以弥补其在功率和效率上的不足(图3).因此,采用氮化镓工艺设计的分布式功率放大器可以获取很多优势,这些优势包括宽带、高功率和中等PAE 的性能[51-54] .如文献[51]中所报道的分布式大器,饱和输出功率为38 ~41dBm 的连续波,并且PAE 维持在19%~39%之间.图3 氮化镓分布式放大器分布式放大电路拓扑与其他结构灵活组合,可以产生一系列新的放大电路形式来增强增益.比如串联式、共源共栅和矩阵式分布式放大器,如图4 所示.在图4a 的串联式分布式放大器,通过将3 个分布式放大器级联来提高其增益和输出功率[55] .图4a 和4b 中都采用共源共栅的连接方式提高了每个放大单元的增益.虽然这3 种电路拓扑上有区别,但是本质都是通过增加放大器增益,再加上分布式放大具有的宽带的优势,来增加功率放大器总的增益带宽积.图4 其他分布式放大器2.4 晶体管/ 场效应管叠加放大单元的改进也可以提高功率放大器的增益和输出功率,比如单级叠加晶体管或场效应管.虽然这种方式从电路拓扑上看类似于共源共栅,但是有两点区别:一是叠加晶体管/ 场效应后对电源电压的要求会相应升高,以满足支流偏置的要求,同时可以获得更高的输出功率,这种升压需要在避免器件被击穿的前提下,比如用砷化镓和氮化镓场效应管会比硅基互补金属氧化物半导体更具优势.如图5 所示的电路,在场效应管叠加后漏极电压提升到了共源级电路的2 倍,Vg2 也需要相应地提高[56] ;二是叠加技术不仅仅局限于2 个晶体管/ 场效应管,而是可以叠加3 个以上的单元.图5 叠加场效应管拓扑使用这种晶体管/ 场效应管叠加技术除了提高了功率和增益以外,另外一个优势是减少了固态功率放大器芯片所需要的面积.在设计指标给定的条件下,所需要的级联的级数在采用叠加技术后会相应减少,同时减少了级间匹配的工作量,而增加的晶体管/ 场效应管的面积相比级间匹配电路可以忽略不计.因此很多叠加式的功率放大器往往只需要输入输出端口匹配即可,以更少的芯片面积就能实现多级功率放大器的同等指标. 3 总结本文首先综述了微波固态高功率放大器的实现工艺和设计方法,目的是为设计人员提供可以参考和快速选择的技术途径.从工艺选择角度考虑,需要结合功率放大器的应用场景以及器件的工艺水平.对于远距离传输比如卫星通信,砷化镓pHEMT 和氮化镓器件具有先天的工艺优势.而对于面向消费电子的产品,锗化硅和硅基互补金属氧化物半导体固态功放可以满足片上系统的设计指标,进而降低系统的整体成本.而对于亚毫米波和太赫兹固态功放,可选用截止工作频率较高的磷化铟和砷化镓mHEMT 器件.然后本文介绍了各种固态功率放大器的设计技术.二进制功率合成技术是实现高功率输出固态放大器的首选,可以灵活选择合成的路数,但是电路拓扑会随着合成路数的增加而变得复杂,并且芯片面积相应增加.平衡式放大器有助于改进放大器的输入输出的宽带匹配情况,可以配合T 形网络或者Wilkisnon 功率合成器使用.基本的分布式放大器可实最大宽带匹配效果,但是输出功率、增益和功率附加效率不佳,可以配合先进的氮化镓工艺以及改进分布放大的电路结构来弥补这三方面的不足.晶体管/ 场效应管叠加技术可以实现更少的芯片面积达到多级电路的设计指标要求,但是对直流偏置电压和半导体元件本身的击穿电压要求也会相应提高.END~文章来源:韩江安,男,博士后,新加坡科技与设计大学,主要研究方向为毫米波集成电路与系统.马凯学(通信作者),男,教授,博士生导师,电子科技大学,2016年国家杰出青年科学基金获得者,主要研究方向为毫米波集成电路与系统.针对电子制程精密焊后清洗的不同要求,合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验,对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况,自主开发了较为完整的水基系列产品,精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端,包括有水基和半水基清洗剂,碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在,在同等的清洗力的情况下,合明科技的兼容性较佳,兼容的材料更为广泛;在同等的兼容性下,合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多(测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌;测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分),清洗速度更快,离子残留低、干净度更好。 合明科技摄像模组感光芯片CMOS晶片镜片清洗剂,LED芯片焊后助焊剂锡膏清洗剂、CMOS焊接后清洗剂、FPC电路板清洗剂、SMT元器件封装工艺清洗剂、微波组件助焊剂松香清洗剂、车用IGBT芯片封装水基清洗方案,SMT电子制程水基清洗全工艺解决方案,汽车用 IGBT芯片封装焊后清洗剂,IGBT芯片清洗剂,IGBT模块焊后锡膏清洗剂,IGBT功率半导体模块清洗,SMT锡膏回流焊后清洗剂,PCBA焊后水基清洗剂,系统封装CQFP器件焊后助焊剂清洗剂、SIP芯片焊后清洗剂、BMS电路板焊后清洗剂,半导体分立器件除助焊剂清洗液、半水基清洗剂、IGBT功率模块焊后锡膏水基清洗剂、PCB组件封装焊后水性环保清洗剂、SMT封装焊后清洗剂、精密电子清洗剂、半导体分立器件清洗剂、SMT焊接助焊剂清洗剂、锡嘴氧化物清洗剂、PCBA清洗剂、芯片封装焊后清洗剂、水性清洗剂、FPC清洗剂、BGA植球后清洗剂、球焊膏清洗剂、FPC电路板水基清洗剂、堆叠组装POP芯片清洗剂、油墨丝印网板水基清洗全工艺解决方案、BMS新能源汽车电池管理系统电路板制程工艺水基清洗解决方案、储能BMS电路板水基清洗剂、PCBA焊后助焊剂清洗剂、组件和基板除助焊剂中性水基清洗剂、功率电子除助焊剂水基清洗剂、功率模块/DCB、引线框架和分立器件除助焊剂水基清洗剂、封装及晶圆清洗水基清洗剂、倒装芯片水基清洗、SIP和CMOS芯片封装焊后清洗剂、SMT钢网、丝网和误印板清洗除锡膏、银浆、红胶,SMT印刷机网板底部擦拭水基清洗剂、焊接夹治具、回流焊冷凝器、过滤网、工具清洗除被焙烤后助焊剂和重油污垢清洗剂,电子组件制程水基清洗全工艺解决方案。

  • SMT贴装后清洗剂合明科技分享:SMT质量标准评估步骤与方式方法准则

    SMT贴装后清洗剂合明科技分享:SMT质量标准评估步骤与方式方法准则

    SMT贴装后清洗剂合明科技分享: SMT质量标准评估步骤与方式方法准则合明科技专注精密电子清洗技术20多年,是SMT贴装/DIP封装,功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基系列产品,精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端,包括有水基和半水基清洗剂,碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在,在同等的清洗力的情况下,合明科技的兼容性较佳. 先进封装包括倒装芯片、WLCSP晶圆级芯片封装、3D IC集成电路封装、SiP系统级封装、细间距封装等等。一、SMT质量术语1、理想的焊点具有良好的表面润湿性,即熔融焊料在被焊金属表面上应铺展,并形成完整、均匀、连续的焊料覆盖层,其接触角应不大于90。正确的焊锡量,焊料量足够而不过多或过少良好的焊接表面,焊点表面应完整、连续和圆滑,但不要求很光亮的外观。好的焊点位置元器件的焊端或引脚在焊盘上的位置偏差在规定范围内。2、不润湿焊点上的焊料与被焊金属表面形成的接触角大于90度。3、开焊焊接后焊盘与PCB表面分离。4、吊桥( drawbridging )元器件的一端离开焊盘面向上方斜立或直立,亦即墓牌(Tomb stone)。5、桥接两个或两个以上不应相连的焊点之间的焊料相连,或焊点的焊料与相邻的导线相连。6、虚焊焊接后,焊端与焊盘之间或引脚与焊盘之间有时出现电隔离现象7、拉尖焊点中出现焊料有突出向外的毛刺,但没有与其它导体或焊点相接触8、焊料球(solder ball)焊接时粘附在印制板、阴焊膜或导体上的焊料小圆球,亦称锡珠。9、孔洞焊接处出现孔径不一的空洞10、位置偏移(skewing )焊点在平面内横向、纵向或旋转方向偏离预定位置时。11、目视检验法(visualinspection)借助照明的2~5倍的放大镜,用肉眼观察检验PCBA焊点质量12、焊接后检验(inspectionafter aoldering)PCB完成焊接后的质量检验。13、返修(reworking)为去除表面组装组件的局部缺陷的修复工艺过程。14、贴片检验 ( placement inspection )表面贴装元器件贴装时或完成后,对于是否漏贴、错位、贴错、损坏等到情况进行的质量检验。 二、SMT检验方法在SMT的检验中常采用目测检查与光学设备检查两种方法,有只采用目测法,亦有采用两种混合方法。它们都可对产品100%的检查,但若采用目测的方法时人总会疲劳,这样就无法保证员工100%进行认真检查。因此,我们要建立一个平衡的检查(inspection)与监测(monitering)的策略即建立质量过程控制点。为了保证SMT设备的正常进行,加强各工序的加工工件质量检查,从而监控其运行状态,在一些关键工序后设立质量控制点。这些控制点通常设立在如下位置:1)PCB检测 a.印制板有无变形;b.焊盘有无氧化;c、印制板表面有无划伤;检查方法:依据检测标准目测检验。2)丝印检测a.印刷是否完全;b.有无桥接;c.厚度是否均匀;d.有无塌边;e.印刷有无偏差;检查方法:依据检测标准目测检验或借助放大镜检验。3)贴片检测a.元件的贴装位置情况;b.有无掉片;c.有无错件;检查方法:依据检测标准目测检验或借助放大镜检验。4)回流焊接检测a.元件的焊接情况,有无桥接、立碑、错位、焊料球、虚焊等不良焊接现象.b.焊点的情况.检查方法:依据检测标准目测检验或借助放大镜检验。三、检验标准的准则 印刷检验总则:印刷在焊盘上的焊膏量允许有一定的偏差,但焊膏覆盖在每个焊盘上的面积应大于焊盘面积的75%。点胶检验理想胶点:烛=焊盘和引出端面上看不到贴片胶沾染的痕迹,胶点位于各个焊盘中间,其大小为点胶嘴的1.5倍左右,胶量以贴装后元件焊端与PCB的焊盘不占污为宜。l 炉前检验炉后检验良好的焊点应是焊点饱满、润湿良好,焊料铺展到焊盘边缘。四、质量缺陷数的统计在SMT生产过程中,质量缺陷的统计十分必要,在回流焊接的质量缺陷统计中,我们引入了—DPM统计方法,即百万分率的缺陷统计方法。计算公式如下:缺陷率[DPM]=缺陷总数/焊点总数*106焊点总数=检测线路板数×焊点缺陷总数=检测线路板的全部缺陷数量例如某线路板上共有1000个焊点,检测线路板数为500,检测出的缺陷总数为20,则依据上述公式可算出:缺陷率[PPM]=20/(1000*50)*106=40PPM五、返修当完成PCBA的检查后,发现有缺陷的PCBA就需求进行维修,公司有返修SMT的PCBA有两种方法。一是采用恒温烙铁(手工焊接)进行返修,一是采用返修工作台(热风焊接)进行返修。不论采用那种方式都要求在最短的时间内形成良好的焊接点。因此当采用烙铁时要求在少于5秒的时间内完成焊接点,最好是大约3秒钟。铬铁返修法即手工焊接烙铁在使用前的处理:新烙铁在使用前先给烙铁头镀上一层焊锡后才能正常使用,当烙铁使用一段时间后,烙铁头的刃面及周围就产生一层氧化层,这样便产生“吃锡”困难的现象,此时可锉去氧化层,重新镀上焊锡。电烙铁的握法:a. 反握法:是用五指把电烙铁的柄握在掌中。此法适用于大功率电烙铁,焊接散热量较大的被焊件。b. 正握法:就是除大拇指外四指握住电烙铁柄,大拇指顺着电烙铁方向压紧,此法使用的电烙铁也比较大,且多为弯型烙铁头。握笔法:握电烙铁如握钢笔,适用于小功率电烙铁,焊接小的被焊件。本公司采用握笔法。焊接步骤:焊接过程中,工具要放整齐,电烙铁要拿稳对准。一般接点的焊接,最好使用带松香的管形焊锡丝。要一手拿电烙铁,一手拿焊锡丝。 清洁烙铁头 加温焊接点 熔化焊料 移动烙铁头 拿开电烙铁一是快速地把加热和上锡的烙铁头接触带芯锡线(cored wire),然后接触焊接点区域,用熔化的焊锡帮助从烙铁到工件的最初的热传导,然后把锡线移开将要接触焊接表面的烙铁头。一是把烙铁头接触引脚/焊盘,把锡线放在烙铁头与引脚之间,形成热桥;然后快速地把锡线移动到焊接点区域的反面。  但在产生中的通常有使用不适当温度、太大压力、延长据留时间、或者三者一起而产生对PCB或元器件的损坏现象。  焊接注意事项:1、烙铁头的温度要适当,不同温度的烙铁头放在松香块上,会产生不同的现象,一般来说,松香熔化较快又不冒烟时的温度较为适宜。2、焊接时间要适当,从加热焊接点到焊料熔化并流满焊接点,一般应在几秒钟内完成。如果焊接时间过长,则焊接点上的助焊剂完全挥发,就失去了助焊作用。 焊接时间过短则焊接点的温度达不到焊接温度达不到焊接温度,焊料不能充分 熔化,容易造成虚假焊。3、焊料与焊剂使用要适量,一般焊接点上的焊料与焊剂使用过多或过少会给焊接质量造成很大的影响。防止焊接点上的焊锡任意流动,理想的焊接应当是焊锡只焊接在需要焊接的地方。在焊接操作上,开始时焊料要少些,待焊接点达到焊接温度,焊料流入焊4、1、接点空隙后再补充焊料,迅速完成焊接。5、2、焊接过程中不要触动焊接点,在焊接点上的焊料尚未完全凝固时,不应移动焊接点上的被焊器件及导线,否则焊接点要变形,出现虚焊现象。6、3、不应烫伤周围的元器件及导线 焊接时要注意不要使电烙铁烫周围导线的塑胶绝缘层及元器件的表面,尤其是焊接结构比较紧凑、形状比较复杂的产品。7、4、及时做好焊接后的清除工作,焊接完毕后,应将剪掉的导线头及焊接时掉下的锡渣等及时清除,防止落入产品内带来隐患。 焊接后的处理: 当焊接后,需要检查:a. 是否有漏焊。b. 焊点的光泽好不好。c. 焊点的焊料足不足。d. 焊点的周围是否有残留的焊剂。e. 有无连焊。f. 焊盘有无脱落。g. 焊点有无裂纹。h. 焊点是不是凹凸不平。i. 焊点是否有拉尖现象。S. 用镊子将每个元件拉一拉,看有否松动现象。 典型焊点的外观:如下图所示:拆焊:a. 烙铁头加热被拆焊点时,焊料一熔化,就应及时按垂直线路板的方向拔出元器件的引线,不管元器件的安装位置如何,是否容易取出,都不要强拉或扭转元器件,以免损坏线路板和其它元器件。b. 拆焊时不要用力过猛,用电烙铁去撬和晃动接点的作法很不好,一般接点不允许用拉动、摇动、扭动等办法去拆除焊接点。c. 当插装新元器件之前,必须把焊盘插线孔内的焊料清除干净,否则在插装新元器件引线时,将造成线路板的焊盘翘起。 返修工作台的返修 利用返修工作台主要是对QFP、BGA、PLCC等元器件的缺陷而手工无法进行返修时采用的方法,它通常采用热风加热法对元器件焊脚进行加热,但须配合相应喷嘴。较高级的返修工作台其加温区可以做出与回流炉相似的温度曲线,如公司的SMD-1000返修工作台。关于返修工作台的操作请参巧使用说明书。针对电子制程精密焊后清洗的不同要求,合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验,对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况,自主开发了较为完整的水基系列产品,精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端,包括有水基和半水基清洗剂,碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在,在同等的清洗力的情况下,合明科技的兼容性较佳,兼容的材料更为广泛;在同等的兼容性下,合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多(测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌;测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分),清洗速度更快,离子残留低、干净度更好。 合明科技摄像模组感光芯片CMOS晶片镜片清洗剂,LED芯片焊后助焊剂锡膏清洗剂、CMOS焊接后清洗剂、FPC电路板清洗剂、SMT元器件封装工艺清洗剂、微波组件助焊剂松香清洗剂、车用IGBT芯片封装水基清洗方案,SMT电子制程水基清洗全工艺解决方案,汽车用 IGBT芯片封装焊后清洗剂,IGBT芯片清洗剂,IGBT模块焊后锡膏清洗剂,IGBT功率半导体模块清洗,SMT锡膏回流焊后清洗剂,PCBA焊后水基清洗剂,系统封装CQFP器件焊后助焊剂清洗剂、SIP芯片焊后清洗剂、BMS电路板焊后清洗剂,半导体分立器件除助焊剂清洗液、半水基清洗剂、IGBT功率模块焊后锡膏水基清洗剂、PCB组件封装焊后水性环保清洗剂、SMT封装焊后清洗剂、精密电子清洗剂、半导体分立器件清洗剂、SMT焊接助焊剂清洗剂、锡嘴氧化物清洗剂、PCBA清洗剂、芯片封装焊后清洗剂、水性清洗剂、FPC清洗剂、BGA植球后清洗剂、球焊膏清洗剂、FPC电路板水基清洗剂、堆叠组装POP芯片清洗剂、油墨丝印网板水基清洗全工艺解决方案、BMS新能源汽车电池管理系统电路板制程工艺水基清洗解决方案、储能BMS电路板水基清洗剂、PCBA焊后助焊剂清洗剂、组件和基板除助焊剂中性水基清洗剂、功率电子除助焊剂水基清洗剂、功率模块/DCB、引线框架和分立器件除助焊剂水基清洗剂、封装及晶圆清洗水基清洗剂、倒装芯片水基清洗、SIP和CMOS芯片封装焊后清洗剂、SMT钢网、丝网和误印板清洗除锡膏、银浆、红胶,SMT印刷机网板底部擦拭水基清洗剂、焊接夹治具、回流焊冷凝器、过滤网、工具清洗除被焙烤后助焊剂和重油污垢清洗剂,电子组件制程水基清洗全工艺解决方案。

  • 集成电路封装清洗剂合明科技分享:半导体产品的制造全流程是怎么样的?

    集成电路封装清洗剂合明科技分享:半导体产品的制造全流程是怎么样的?

    集成电路封装清洗剂合明科技分享:半导体产品的制造全流程是怎么样的?每个半导体产品的制造都需要数百个工艺,整个制造过程分为八个步骤:晶圆加工-氧化-光刻-刻蚀-薄膜沉积-互连-测试-封装。合明科技专注精密电子清洗技术20多年,是SMT贴装/DIP封装,功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基系列产品,精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端,包括有水基和半水基清洗剂,碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在,在同等的清洗力的情况下,合明科技的兼容性较佳. 先进封装包括倒装芯片、WLCSP晶圆级芯片封装、3D IC集成电路封装、SiP系统级封装、细间距封装等等。第一步晶圆加工所有半导体工艺都始于一粒沙子!因为沙子所含的硅是生产晶圆所需要的原材料。晶圆是将硅(Si)或砷化镓(GaAs)制成的单晶柱体切割形成的圆薄片。要提取高纯度的硅材料需要用到硅砂,一种二氧化硅含量高达95%的特殊材料,也是制作晶圆的主要原材料。晶圆加工就是制作获取上述晶圆的过程。① 铸锭 首先需将沙子加热,分离其中的一氧化碳和硅,并不断重复该过程直至获得超高纯度的电子级硅(EG-Si)。高纯硅熔化成液体,进而再凝固成单晶固体形式,称为“锭”,这就是半导体制造的第一步。硅锭(硅柱)的制作精度要求很高,达到纳米级,其广泛应用的制造方法是提拉法。② 锭切割前一个步骤完成后,需要用金刚石锯切掉铸锭的两端,再将其切割成一定厚度的薄片。锭薄片直径决定了晶圆的尺寸,更大更薄的晶圆能被分割成更多的可用单元,有助于降低生产成本。切割硅锭后需在薄片上加入“平坦区”或“凹痕”标记,方便在后续步骤中以其为标准设置加工方向。③ 晶圆表面抛光通过上述切割过程获得的薄片被称为“裸片”,即未经加工的“原料晶圆”。裸片的表面凹凸不平,无法直接在上面印制电路图形。因此,需要先通过研磨和化学刻蚀工艺去除表面瑕疵,然后通过抛光形成光洁的表面,再通过清洗去除残留污染物,即可获得表面整洁的成品晶圆。第二步氧化过程的作用是在晶圆表面形成保护膜。它可以保护晶圆不受化学杂质影响、避免漏电流进入电路、预防离子植入过程中的扩散以及防止晶圆在刻蚀时滑脱。氧化过程的第一步是去除杂质和污染物,需要通过四步去除有机物、金属等杂质及蒸发残留的水分。清洁完成后就可以将晶圆置于800至1200摄氏度的高温环境下,通过氧气或蒸气在晶圆表面的流动形成二氧化硅(即“氧化物”)层。氧气扩散通过氧化层与硅反应形成不同厚度的氧化层,可以在氧化完成后测量它的厚度。干法氧化和湿法氧化根据氧化反应中氧化剂的不同,热氧化过程可分为干法氧化和湿法氧化,前者使用纯氧产生二氧化硅层,速度慢但氧化层薄而致密,后者需同时使用氧气和高溶解度的水蒸气,其特点是生长速度快但保护层相对较厚且密度较低。除氧化剂以外,还有其他变量会影响到二氧化硅层的厚度。首先,晶圆结构及其表面缺陷和内部掺杂浓度都会影响氧化层的生成速率。此外,氧化设备产生的压力和温度越高,氧化层的生成就越快。在氧化过程,还需要根据单元中晶圆的位置而使用假片,以保护晶圆并减小氧化度的差异。第三步光刻光刻是通过光线将电路图案“印刷”到晶圆上,我们可以将其理解为在晶圆表面绘制半导体制造所需的平面图。电路图案的精细度越高,成品芯片的集成度就越高,必须通过先进的光刻技术才能实现。具体来说,光刻可分为涂覆光刻胶、曝光和显影三个步骤。① 涂覆光刻胶在晶圆上绘制电路的第一步是在氧化层上涂覆光刻胶。光刻胶通过改变化学性质的方式让晶圆成为“相纸”。晶圆表面的光刻胶层越薄,涂覆越均匀,可以印刷的图形就越精细。这个步骤可以采用“旋涂”方法。根据光(紫外线)反应性的区别,光刻胶可分为两种:正胶和负胶,前者在受光后会分解并消失,从而留下未受光区域的图形,而后者在受光后会聚合并让受光部分的图形显现出来。② 曝光在晶圆上覆盖光刻胶薄膜后,就可以通过控制光线照射来完成电路印刷,这个过程被称为“曝光”。我们可以通过曝光设备来选择性地通过光线,当光线穿过包含电路图案的掩膜时,就能将电路印制到下方涂有光刻胶薄膜的晶圆上。在曝光过程中,印刷图案越精细,最终的芯片就能够容纳更多元件,这有助于提高生产效率并降低单个元件的成本。在这个领域,目前备受瞩目的新技术是EUV光刻。③ 显影曝光之后的步骤是在晶圆上喷涂显影剂,目的是去除图形未覆盖区域的光刻胶,从而让印刷好的电路图案显现出来。显影完成后需要通过各种测量设备和光学显微镜进行检查,确保电路图绘制的质量。第四步 · 刻蚀在晶圆上完成电路图的光刻后,就要用刻蚀工艺来去除任何多余的氧化膜且只留下半导体电路图。要做到这一点需要利用液体、气体或等离子体来去除选定的多余部分。刻蚀的方法主要分为两种,取决于所使用的物质:使用特定的化学溶液进行化学反应来去除氧化膜的湿法刻蚀,以及使用气体或等离子体的干法刻蚀。湿法刻蚀使用化学溶液去除氧化膜的湿法刻蚀具有成本低、刻蚀速度快和生产率高的优势。然而,湿法刻蚀具有各向同性的特点,即其速度在任何方向上都是相同的。这会导致掩膜(或敏感膜)与刻蚀后的氧化膜不能完全对齐,因此很难处理非常精细的电路图。干法刻蚀干法刻蚀可分为三种不同类型。第一种为化学刻蚀,其使用的是刻蚀气体(主要是氟化氢)。和湿法刻蚀一样,这种方法也是各向同性的,这意味着它也不适合用于精细的刻蚀。第二种方法是物理溅射,即用等离子体中的离子来撞击并去除多余的氧化层。作为一种各向异性的刻蚀方法,溅射刻蚀在水平和垂直方向的刻蚀速度是不同的,因此它的精细度也要超过化学刻蚀。但这种方法的缺点是刻蚀速度较慢,因为它完全依赖于离子碰撞引起的物理反应。最后的第三种方法就是反应离子刻蚀(RIE)。RIE结合了前两种方法,即在利用等离子体进行电离物理刻蚀的同时,借助等离子体活化后产生的自由基进行化学刻蚀。除了刻蚀速度超过前两种方法以外,RIE可以利用离子各向异性的特性,实现高精细度图案的刻蚀。如今干法刻蚀已经被广泛使用,以提高精细半导体电路的良率。保持全晶圆刻蚀的均匀性并提高刻蚀速度至关重要,当今最先进的干法刻蚀设备正在以更高的性能,支持最为先进的逻辑和存储芯片的生产。第五步 · 薄膜沉积为了创建芯片内部的微型器件,我们需要不断地沉积一层层的薄膜并通过刻蚀去除掉其中多余的部分,另外还要添加一些材料将不同的器件分离开来。每个晶体管或存储单元就是通过上述过程一步步构建起来的。我们这里所说的“薄膜”是指厚度小于1微米(μm,百万分之一米)、无法通过普通机械加工方法制造出来的“膜”。将包含所需分子或原子单元的薄膜放到晶圆上的过程就是“沉积”。要形成多层的半导体结构,我们需要先制造器件叠层,即在晶圆表面交替堆叠多层薄金属(导电)膜和介电(绝缘)膜,之后再通过重复刻蚀工艺去除多余部分并形成三维结构。可用于沉积过程的技术包括化学气相沉积 (CVD)、原子层沉积 (ALD) 和物理气相沉积 (PVD),采用这些技术的方法又可以分为干法和湿法沉积两种。01化学气相沉积在化学气相沉积中,前驱气体会在反应腔发生化学反应并生成附着在晶圆表面的薄膜以及被抽出腔室的副产物。等离子体增强化学气相沉积则需要借助等离子体产生反应气体。这种方法降低了反应温度,因此非常适合对温度敏感的结构。使用等离子体还可以减少沉积次数,往往可以带来更高质量的薄膜。02原子层沉积原子层沉积通过每次只沉积几个原子层从而形成薄膜。该方法的关键在于循环按一定顺序进行的独立步骤并保持良好的控制。在晶圆表面涂覆前驱体是第一步,之后引入不同的气体与前驱体反应即可在晶圆表面形成所需的物质。03物理气相沉积顾名思义,物理气相沉积是指通过物理手段形成薄膜。溅射就是一种物理气相沉积方法,其原理是通过氩等离子体的轰击让靶材的原子溅射出来并沉积在晶圆表面形成薄膜。在某些情况下,可以通过紫外线热处理 (UVTP) 等技术对沉积膜进行处理并改善其性能。第六步 · 互连半导体的导电性处于导体与非导体(即绝缘体)之间,这种特性使我们能完全掌控电流。通过基于晶圆的光刻、刻蚀和沉积工艺可以构建出晶体管等元件,但还需要将它们连接起来才能实现电力与信号的发送与接收。金属因其具有导电性而被用于电路互连。用于半导体的金属需要满足以下条件:低电阻率:由于金属电路需要传递电流,因此其中的金属应具有较低的电阻。热化学稳定性:金属互连过程中金属材料的属性必须保持不变。高可靠性:随着集成电路技术的发展,即便是少量金属互连材料也必须具备足够的耐用性。制造成本:即使已经满足前面三个条件,材料成本过高的话也无法满足批量生产的需要。互连工艺主要使用铝和铜这两种物质。铝互连工艺铝互连工艺始于铝沉积、光刻胶应用以及曝光与显影,随后通过刻蚀有选择地去除任何多余的铝和光刻胶,然后才能进入氧化过程。前述步骤完成后再不断重复光刻、刻蚀和沉积过程直至完成互连。除了具有出色的导电性,铝还具有容易光刻、刻蚀和沉积的特点。此外,它的成本较低,与氧化膜粘附的效果也比较好。其缺点是容易腐蚀且熔点较低。另外,为防止铝与硅反应导致连接问题,还需要添加金属沉积物将铝与晶圆隔开,这种沉积物被称为“阻挡金属”。铝电路是通过沉积形成的。晶圆进入真空腔后,铝颗粒形成的薄膜会附着在晶圆上。这一过程被称为“气相沉积 (VD) ”,包括化学气相沉积和物理气相沉积。铜互连工艺随着半导体工艺精密度的提升以及器件尺寸的缩小,铝电路的连接速度和电气特性逐渐无法满足要求,为此我们需要寻找满足尺寸和成本两方面要求的新导体。铜之所以能取代铝的第一个原因就是其电阻更低,因此能实现更快的器件连接速度。其次铜的可靠性更高,因为它比铝更能抵抗电迁移,也就是电流流过金属时发生的金属离子运动。但是,铜不容易形成化合物,因此很难将其气化并从晶圆表面去除。针对这个问题,我们不再去刻蚀铜,而是沉积和刻蚀介电材料,这样就可以在需要的地方形成由沟道和通路孔组成的金属线路图形,之后再将铜填入前述“图形”即可实现互连,而最后的填入过程被称为“镶嵌工艺”。随着铜原子不断扩散至电介质,后者的绝缘性会降低并产生阻挡铜原子继续扩散的阻挡层。之后阻挡层上会形成很薄的铜种子层。到这一步之后就可以进行电镀,也就是用铜填充高深宽比的图形。填充后多余的铜可以用金属化学机械抛光 (CMP) 方法去除,完成后即可沉积氧化膜,多余的膜则用光刻和刻蚀工艺去除即可。前述整个过程需要不断重复直至完成铜互连为止。通过上述对比可以看出,铜互连和铝互连的区别在于,多余的铜是通过金属CMP而非刻蚀去除的。第七步 · 测试测试的主要目标是检验半导体芯片的质量是否达到一定标准,从而消除不良产品、并提高芯片的可靠性。另外,经测试有缺陷的产品不会进入封装步骤,有助于节省成本和时间。电子管芯分选 (EDS) 就是一种针对晶圆的测试方法。EDS是一种检验晶圆状态中各芯片的电气特性并由此提升半导体良率的工艺。EDS可分为五步,具体如下 :01电气参数监控 (EPM)EPM是半导体芯片测试的第一步。该步骤将对半导体集成电路需要用到的每个器件(包括晶体管、电容器和二极管)进行测试,确保其电气参数达标。EPM的主要作用是提供测得的电气特性数据,这些数据将被用于提高半导体制造工艺的效率和产品性能(并非检测不良产品)。02晶圆老化测试半导体不良率来自两个方面,即制造缺陷的比率(早期较高)和之后整个生命周期发生缺陷的比率。晶圆老化测试是指将晶圆置于一定的温度和AC/DC电压下进行测试,由此找出其中可能在早期发生缺陷的产品,也就是说通过发现潜在缺陷来提升最终产品的可靠性。03检测老化测试完成后就需要用探针卡将半导体芯片连接到测试装置,之后就可以对晶圆进行温度、速度和运动测试以检验相关半导体功能。具体测试步骤的说明请见表格。04修补修补是最重要的测试步骤,因为某些不良芯片是可以修复的,只需替换掉其中存在问题的元件即可。05点墨未能通过电气测试的芯片已经在之前几个步骤中被分拣出来,但还需要加上标记才能区分它们。过去我们需要用特殊墨水标记有缺陷的芯片,保证它们用肉眼即可识别,如今则是由系统根据测试数据值自动进行分拣。第八步 · 封装经过之前几个工艺处理的晶圆上会形成大小相等的方形芯片(又称“单个晶片”)。下面要做的就是通过切割获得单独的芯片。刚切割下来的芯片很脆弱且不能交换电信号,需要单独进行处理。这一处理过程就是封装,包括在半导体芯片外部形成保护壳和让它们能够与外部交换电信号。整个封装制程分为五步,即晶圆锯切、单个晶片附着、互连、成型和封装测试。01晶圆锯切要想从晶圆上切出无数致密排列的芯片,我们首先要仔细“研磨”晶圆的背面直至其厚度能够满足封装工艺的需要。研磨后,我们就可以沿着晶圆上的划片线进行切割,直至将半导体芯片分离出来。晶圆锯切技术有三种:刀片切割、激光切割和等离子切割。刀片切割是指用金刚石刀片切割晶圆,这种方法容易产生摩擦热和碎屑并因此损坏晶圆。激光切割的精度更高,能轻松处理厚度较薄或划片线间距很小的晶圆。等离子切割采用等离子刻蚀的原理,因此即使划片线间距非常小,这种技术同样能适用。02单个晶片附着所有芯片都从晶圆上分离后,我们需要将单独的芯片(单个晶片)附着到基底(引线框架)上。基底的作用是保护半导体芯片并让它们能与外部电路进行电信号交换。附着芯片时可以使用液体或固体带状粘合剂。03互连在将芯片附着到基底上之后,我们还需要连接二者的接触点才能实现电信号交换。这一步可以使用的连接方法有两种:使用细金属线的引线键合和使用球形金块或锡块的倒装芯片键合。引线键合属于传统方法,倒装芯片键合技术可以加快半导体制造的速度。04成型完成半导体芯片的连接后,需要利用成型工艺给芯片外部加一个包装,以保护半导体集成电路不受温度和湿度等外部条件影响。根据需要制成封装模具后,我们要将半导体芯片和环氧模塑料 (EMC) 都放入模具中并进行密封。密封之后的芯片就是最终形态了。05封装测试已经具有最终形态的芯片还要通过最后的缺陷测试。进入最终测试的全部是成品的半导体芯片。它们将被放入测试设备,设定不同的条件例如电压、温度和湿度等进行电气、功能和速度测试。这些测试的结果可以用来发现缺陷、提高产品质量和生产效率。封装技术的演变随着芯片体积的减少和性能要求的提升,封装在过去数年间已经历了多次技术革新。面向未来的一些封装技术和方案包括将沉积用于传统后道工艺,例如晶圆级封装(WLP)、凸块工艺和重布线层 (RDL) 技术,以及用于前道晶圆制造的的刻蚀和清洁技术。—End—本文转载自“泛林半导体设备技术”,仅供交流学习之用针对电子制程精密焊后清洗的不同要求,合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验,对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况,自主开发了较为完整的水基系列产品,精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端,包括有水基和半水基清洗剂,碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在,在同等的清洗力的情况下,合明科技的兼容性较佳,兼容的材料更为广泛;在同等的兼容性下,合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多(测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌;测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分),清洗速度更快,离子残留低、干净度更好。 合明科技摄像模组感光芯片CMOS晶片镜片清洗剂,LED芯片焊后助焊剂锡膏清洗剂、CMOS焊接后清洗剂、FPC电路板清洗剂、SMT元器件封装工艺清洗剂、微波组件助焊剂松香清洗剂、车用IGBT芯片封装水基清洗方案,SMT电子制程水基清洗全工艺解决方案,汽车用 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  • SMT生产中贴片胶、锡膏、钢网等辅助材料介绍-钢网清洗剂合明科技分享

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    SMT生产中贴片胶、锡膏、钢网 等辅助材料介绍-合明科技合明科技专注精密电子清洗技术20多年,是SMT贴装/DIP封装,功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基系列产品,精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端,包括有水基和半水基清洗剂,碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在,在同等的清洗力的情况下,合明科技的兼容性较佳. 先进封装包括倒装芯片、WLCSP晶圆级芯片封装、3D IC集成电路封装、SiP系统级封装、细间距封装等等。在SMT生产中,通常我们贴片胶、锡膏、钢网称之为SMT辅助材料。这些辅助材料在SMT整个过程中,对SMT的品质、生产效率起着致关重要的作用。因此,作为SMT工作人员必须了解它们的某些性能和学会正确使用它们。 一、常用术语 贮存期(shelflife)在规定条件下,材料或产品仍能满足技术要求并保持适当使作性能的存放时间。2.1. 放置时间(workingtime)贴片胶、焊膏在使用前暴露于规定环境中仍能保持规定化学、物理性能的最长时间。3.2. 粘度(viscosity)贴片胶、焊膏在自然滴落时的滴延性的胶粘性质。4.3. 触变性(thixotropicratio)贴片胶与锡膏在施压挤出时具有流体的特性与挤出后迅速恢复为具有固塑性的特性。5.4. 塌落(slump)焊膏印刷后在重力和表面张力的作用及温度升高或停放时间过长等原因而引起的高度降低、底面积超出规定边界的坍流现象。6.5. 扩散(spread)贴片胶在点胶后在室温条件下展开的距离。7.6. 粘附性(tack)焊膏对元器件粘附力的大小及其随焊膏印刷后存放时间变化其粘附力所发生的变化8.7. 润湿(wetting)熔融的焊料在铜表面形成均匀、平滑和不断裂的焊料薄层的状态。9.8. 免清洗焊膏(no-cleansolder paste)焊后只含微量无害焊剂残留物而无需清洗PCB的焊膏10.9. 低温焊膏(lowtemperature paste)熔化温度比183℃低20℃以上的焊膏。二、贴片胶(红胶)SMT中使用的贴片胶其作用是固定片式元件、SOT、SOIC等表面安装器件在PCB上,以使其在插件、过波峰焊过程避免元器件的脱落或移位。贴片胶可分为两大类型:环氧树脂类型和丙稀酸类型。一般生产中采用环氧树脂热固化类胶水(如乐泰3609红胶),其特点是:热固化速度快接连强度高电特性较佳而不采用丙稀酸胶水(需紫外线照射固化)。SMT对贴片胶水的基本要求:包装内无杂质及气泡贮存期限长可用于高速/或超高速点胶机胶点形状及体积一致点断面高,无拉丝颜色易识别,便于人工及自动化机器检查胶点的质量初粘力高高速固化,胶水的固化温度低,固化时间短热固化时,胶点不会下塌高强度及弹性以抵挡波峰焊时之温度突变固化后有优良的电特性无毒性具有良好的返修特性贴片胶引起的生产品质问题失件(有、无贴片胶痕迹)元件偏斜接触不良(拉丝、太多贴片胶)贴片胶使用规范:贮存胶水领取后应登记到达时间、失效期、型号,并为每瓶胶水编号。然后把胶水保存在恒温、恒湿的冰箱内,温度在(1—10)℃。取用胶水使用时,应做到先进先出的原则,应提前至少1小时从冰箱中取出,写下时间、编号、使用者、应用的产品,并密封置于室温下,待胶水达到室温时按一天的使用量把胶水用注胶枪分别注入点胶瓶里。注胶水时,应小心和缓慢地注入点胶瓶,防止空气泡的产生。使用把装好胶水的点胶瓶重新放入冰箱,生产时提前0.5~2.0小时从冰箱取出,标明取出时间、日期、瓶号,填写胶水(锡膏)解冻、使用时间记录表,使用完的胶水瓶用酒精或丙酮清洗干净放好以备下次使用,未使用完的胶水,标明时间放入冰箱存放。二、锡膏由焊膏产生的缺陷占SMT中缺陷的60%—70%,所以规范合理使用焊膏显得尤为重要。在表面组装件的回流焊中,焊膏被用来实施表面组装元器件的引线或端点与印制板上焊盘的连接。焊膏是由合金焊料粉、焊剂和一些添加剂混合而成的,具有一定粘性和良好触变性的一种均质混合物,具有良好的印刷性能和再流焊性能,并在贮存时具有稳定性的膏状体。合金焊料粉是焊膏的主要成分,约占焊膏重量的85%—90%。常用的合金焊料粉有以下几种:锡 – 铅(Sn – Pb)、锡 – 铅 – 银(Sn – Pb –Ag)、锡 – 铅 – 铋(Sn – Pb – Bi)等,最常用的合金成分为Sn63Pb3。合金焊料粉的形状可分为球形和椭圆形(无定形),其形状、粒度大小影响表面氧化度和流动性,因此,对焊膏的性能影响很大。一般,由印刷钢板或网版的开口尺寸或注射器的口径来决定选择焊锡粉颗粒的大小和形状。不同的焊盘尺寸和元器件引脚应选用不同颗粒度的焊料粉,不能都选用小颗粒,因为小颗粒有大得多的表面积,使得焊剂在处理表面氧化时负担加重。在焊膏中,焊剂是合金焊料粉的载体,其主要的作用是清除被焊件以及合金焊料粉的表面氧化物,使焊料迅速扩散并附着在被焊金属表面。焊剂的组成为:活性剂、成膜剂和胶粘剂、润湿剂、触变剂、溶剂和增稠剂以及其他各类添加剂。焊剂的活性:对焊剂的活性必须控制,活性剂量太少可能因活性差而影响焊接效果,但活性剂量太多又会引起残留量的增加,甚至使腐蚀性增强,特别是对焊剂中的卤素含量更需严格控制,其实,根据性能要求,焊剂的重量比还可扩大至8%—20%。焊膏中的焊剂的组成及含量对塌落度、粘度和触变性等影响很大。金属含量较高(大于90%)时,可以改善焊膏的塌落度,有利于形成饱满的焊点,并且由于焊剂量相对较少可减少焊剂残留物,有效防止焊球的出现,缺点是对印刷和焊接工艺要求较严格;金属含量较低(小于85%)时,印刷性好,焊膏不易粘刮刀,漏版寿命长,润湿性好,此外加工较易,缺点是易塌落,易出现焊球和桥接等缺陷。焊膏的分类可以按以下几种方法:按熔点的高低分:高温焊膏为熔点大于250℃,低温焊膏熔点小于150℃,常用的焊膏熔点为179℃—183℃,成分为Sn63Pb37和Sn62Pb36Ag2。按焊剂的活性分:可分为无活性(R),中等活性(RMA)和活性(RA)焊膏。常用的为中等活性焊膏。SMT对焊膏有以下要求:1、具有较长的贮存寿命,在0—10℃下保存3 — 6个月。贮存时不会发生化学变化,也不会出现焊料粉和焊剂分离的现象,并保持其粘度和粘接性不变。2、有较长的工作寿命,在印刷或滴涂后通常要求能在常温下放置12—24小时,其性能保持不变。3、在印刷或涂布后以及在再流焊预热过程中,焊膏应保持原来的形状和大小,不产生堵塞。4、良好的润湿性能。要正确选用焊剂中活性剂和润湿剂成分,以便达到润湿性能要求。5、不发生焊料飞溅。这主要取决于焊膏的吸水性、焊膏中溶剂的类型、沸点和用量以及焊料粉中杂质类型和含量。6、具有较好的焊接强度,确保不会因振动等因素出现元器件脱落。7、焊后残留物稳定性能好,无腐蚀,有较高的绝缘电阻,且清洗性好。焊膏的选用主要根据工艺条件,使用要求及焊膏的性能:1、具有优异的保存稳定性。2、具有良好的印刷性(流动性、脱版性、连续印刷性)等。3、印刷后在长时间内对SMD持有一定的粘合性。4、焊接后能得到良好的接合状态(焊点)。5、其焊接成分,具高绝缘性,低腐蚀性。6、对焊接后的焊剂残渣有良好的清洗性,清洗后不可留有残渣成分。 焊膏使用和贮存的注意事顶1、领取焊膏应登记到达时间、失效期、型号,并为每罐焊膏编号。然后保存在恒温、恒湿的冰箱内,温度在约为(2—10)℃。锡膏储存和处理推荐方法的常见数据见表:条件时间环境装运4 天< 10°C货架寿命(冷藏)3 ~ 6 个月(标贴上标明)0 ~ 5°C 冰箱货架寿命(室温)5 天湿度:30~60%RH 温度:15~25°C锡膏稳定时间 (从冰箱取出后)8 小时室温 湿度:30~60%RH 温度:15~25°C锡膏模板寿命4 小时机器环境 湿度:30~60%RH 温度:15~25°C 2、焊膏使用时,应做到先进先出的原则,应提前至少2小时从冰箱中取出,写下时间、编号、使用者、应用的产品,并密封置于室温下,待焊膏达到室温时打开瓶盖。如果在低温下打开,容易吸收水汽,再流焊时容易产行锡珠。注意:不能把焊膏置于热风器、空调等旁边加速它的升温。3、焊膏开封前,须使用离心式的搅伴机进行搅拌,使焊膏中的各成分均匀,降低焊膏的粘度。焊膏开封后,原则上应在当天内一次用完,超过时间使用期的焊膏绝对不能使用4、焊膏置于网板上超过30分钟未使用时,应重新用搅拌机搅拌后再使用。若中间间隔时间较长,应将焊膏重新放回罐中并盖紧瓶盖放于冰箱中冷藏。5、根据印制板的幅面及焊点的多少,决定第一次加到网板上的焊膏量,一般第一次加200—300克,印刷一段时间后再适当加入一点。6、焊膏印刷后应在24小时内贴装完,超过时间应把PCB焊膏清洗后重新印刷。7、焊膏印刷时间的最佳温度为23℃±3℃,温度以相对湿度55±5%为宜。湿度过高,焊膏容易吸收水汽,在再流焊时产生锡珠。针对电子制程精密焊后清洗的不同要求,合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验,对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况,自主开发了较为完整的水基系列产品,精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端,包括有水基和半水基清洗剂,碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在,在同等的清洗力的情况下,合明科技的兼容性较佳,兼容的材料更为广泛;在同等的兼容性下,合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多(测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌;测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分),清洗速度更快,离子残留低、干净度更好。 合明科技摄像模组感光芯片CMOS晶片镜片清洗剂,LED芯片焊后助焊剂锡膏清洗剂、CMOS焊接后清洗剂、FPC电路板清洗剂、SMT元器件封装工艺清洗剂、微波组件助焊剂松香清洗剂、车用IGBT芯片封装水基清洗方案,SMT电子制程水基清洗全工艺解决方案,汽车用 IGBT芯片封装焊后清洗剂,IGBT芯片清洗剂,IGBT模块焊后锡膏清洗剂,IGBT功率半导体模块清洗,SMT锡膏回流焊后清洗剂,PCBA焊后水基清洗剂,系统封装CQFP器件焊后助焊剂清洗剂、SIP芯片焊后清洗剂、BMS电路板焊后清洗剂,半导体分立器件除助焊剂清洗液、半水基清洗剂、IGBT功率模块焊后锡膏水基清洗剂、PCB组件封装焊后水性环保清洗剂、SMT封装焊后清洗剂、精密电子清洗剂、半导体分立器件清洗剂、SMT焊接助焊剂清洗剂、锡嘴氧化物清洗剂、PCBA清洗剂、芯片封装焊后清洗剂、水性清洗剂、FPC清洗剂、BGA植球后清洗剂、球焊膏清洗剂、FPC电路板水基清洗剂、堆叠组装POP芯片清洗剂、油墨丝印网板水基清洗全工艺解决方案、BMS新能源汽车电池管理系统电路板制程工艺水基清洗解决方案、储能BMS电路板水基清洗剂、PCBA焊后助焊剂清洗剂、组件和基板除助焊剂中性水基清洗剂、功率电子除助焊剂水基清洗剂、功率模块/DCB、引线框架和分立器件除助焊剂水基清洗剂、封装及晶圆清洗水基清洗剂、倒装芯片水基清洗、SIP和CMOS芯片封装焊后清洗剂、SMT钢网、丝网和误印板清洗除锡膏、银浆、红胶,SMT印刷机网板底部擦拭水基清洗剂、焊接夹治具、回流焊冷凝器、过滤网、工具清洗除被焙烤后助焊剂和重油污垢清洗剂,电子组件制程水基清洗全工艺解决方案。

  • 电子元器件电容助焊剂清洗剂合明科技分享:SMT知识培训手册之元器件知识

    电子元器件电容助焊剂清洗剂合明科技分享:SMT知识培训手册之元器件知识

    电子元器件电容助焊剂清洗剂合明科技分享:SMT知识培训手册之 元器件知识合明科技专注精密电子清洗技术20多年,是SMT贴装/DIP封装,功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基系列产品,精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端,包括有水基和半水基清洗剂,碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在,在同等的清洗力的情况下,合明科技的兼容性较佳. 先进封装包括倒装芯片、WLCSP晶圆级芯片封装、3D IC集成电路封装、SiP系统级封装、细间距封装等等。SMT无器件名词解释1、小外形晶体管 (SOT) (small outline transister)采用小外形封装结构的表面组装晶体管。2、小外形二极管 (SOD) (small outline diode)采用小外形封装结构的表面组装二极管。3、片状元件(chip)(rectangular chip component)两端无引线,有焊接端,外形为薄片矩形的表面组装元件。4、小外形封装(SOP) (small outline package )小外形模压着塑料封装,元件两侧有翼形状或J形状短引线的一种表面组装元器件封装形式。5、四边扁平封装(QFP)(quad flat package)四边具有翼形状短引线,引线间距为1.00,0.80,0.65,0.50,0.40,0.30mm等的塑料封装薄形表面组装集成电路。6、细间距(fine pitch)不大于0.5mm的引脚间距7、引脚共面性(lead coplanarity )指表面组装元器件引脚垂直高度偏差,即引脚的最高脚底与最低三条引脚的脚底形成的平面之间的垂直距离。8、封装(packages) SMT元器件种类在SMT生产过程中,员工们会接上百种以上的元器件, 了解这些元器件对我们在工作时不出错或少出错非常有用。现在,随着SMT技术的普及,各种电子元器件几乎都有了SMT的封装。而公司目前使用最多的电子元器件为电阻(R-resistor)、电容(C-capacitor)(电容又包括陶瓷电容—C/C ,钽电容—T/C,电解电容—E/C)、二极管(D-diode)、稳压二极管(ZD)、三极管(Q-transistor)、压敏电阻(VR)、电感线圈(L)、变压器(T)、送话器(MIC)、受话器(RX)、集成电路(IC)、喇叭(SPK)、晶体振荡器(XL)等,而在SMT中我们可以把它分成如下种类:电阻—RESISTOR 电容—CAPACITOR 二极管—DIODE 三极管—TRANSISTOR排插—CONNECTOR 电感—COIL 集成块—IC 按钮—SWITCH 等。(一) 电阻1.单位:1Ω=1×10-3 KΩ=1×10-6MΩ2.规格:以元件的长和宽来定义的。有1005(0402)、1608(0603)、2012(0805) 3216(1206)等。3.表示的方法:2R2=2.2Ω 1K5=1.5KΩ 2M5=2.5MΩ 103J=10×103Ω=10KΩ1002F=100×102Ω=10KΩ (F、J指误差, F指±1%精密电阻,J为±5%的普通电阻,F 的性能比J的性能好)。电阻上面除1005外都标有数字,这数字代表电阻的容量。(二) 电容:包括陶瓷电容—C/C 、钽电容—T/C、电解电容—E/C1.单位:1PF=1×10-3 NF =1×10-6UF =1×10-9MF =1×10-12F 2.规格:以元件的长和宽来定义的,有1005(0402)、1608(0603)、2012(0805) 3216(1206)等。4.表式方法: 103K=10×103PF=10NF 104Z=10×104PF=100NF 0R5=0.5PF 注意:电解电容和钽电容是有方向的,白色表示“+”极。(一) 二极管:有整流二极管、稳压二极管、发光二极管。二极管是有方向的,其正负极可以用 万用表来测试。(二) 集成块:(IC)分为SOP、SOJ、QFP、PLCC(三) 电感:单位:1H=103MH=106UH=109NH表示形式:R68J=680NH 068J=68NH 101J=100UH 1R0=1UH 150K=15UHJ 、K指误差,其精度值同电容。四.资材的包装形式:1.TAPE形:包括PAPER、EMBOSSED、ADHESIVE。根据TAPE的宽度分为8mm、12mm、16mm、24mm、32mm、44mm、56mm等。TAPE上两个元件之间的距离称为PITCH,有4 mm、8 mm、12 mm、16 mm、20 mm等2.STICK形3.TRAY形片式元件:主要是电阻、电容。晶体元件:主要有二极管、三极管、IC。 以上SMT元器件均是规则的元器件,可以给它们更详细的分述:3.1. 连接件(Interconnect):提供机械与电气连接/断开,由连接插头和插座组成,将电缆、支架、机箱或其它PCB与PCB连接起来;可是与板的实际连接必须是通过表面贴装型接触。4.2. 异型电子元件(Odd-form):指几何形状不规节的元器件。因此必须用手工贴装,其外壳(与其基本功能成对比)形状是不标准的,例如:许多变压器、混合电路结构、风扇、机械开关块,等。SMT元器件在生产中常用知识电阻值、电容值的单位电阻值的单位通常为:欧姆(Ω),此外还使用:千欧姆(KΩ)、兆欧姆(MΩ),它们之间的关系如下:1MΩ = 103KΩ = 106Ω电容值的单位通常为:法拉(F),另外还常使用:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(NF)、皮法(PF),它们之间的关系如下:1F = 103Mf = 106uF = 109NF= 1012PF元件的标准误差代码表符号误差应用范围符号误差应用范围A10PF或以下M±20%B±0.10PF NC±0.25PFOD±0.5PFP+100%,-0EQF±1.0%RG±2.0%S+50%,-20%HTIUJ±5%VK±10%XLYZ+80%,-20%W片式电阻的标识在片式电阻的本体上,通常都标有一些数值,它们代表电阻器的电阻值。其表示方法如下:标印值电阻值标印值电阻值2R22.2Ω2222200Ω22022Ω22322000Ω221220Ω224220000Ω片式电阻的包装标识常见类型:1) RR 1206 8/1 561 J 种类 尺寸 功耗 标称阻值 允许偏差 2) ERD 10 TL J 561 U 种类 额定功耗 形状 允许偏差 标称阻值 包装形式 在SMT生产过程中,我们须要注意的是电阻阻值、偏差、额定功耗这三个值。 片式电容的标识在普通的多层陶瓷电容本体上一般是没有标识的,在生产时应尽量避免使用已混装的该类元器件。而在钽电容本体上一般均有标识,其标识如下:标印值电容值标印值电容值0R20.2PF221220PF0202PF2222200PF22022PF22322000PF片式电容器的包装标识常见类型:1)AVX/京都陶瓷公司0603 5 A 101 K A T 2 A 尺寸 电压 介质 标称电容 允许误差 失效率 端头 包装 专用代码电压:Y=16V,1=100V,2=200V,3=25V,5=50V,7=500V,C=600V,A=1000V介质:A=NPO,C=X7R,E=Z5U,G=Y5V包装:1=178mm卷盘胶带,2=178mm卷盘纸带,3=178mm卷盘胶带,4=178mm卷盘胶带专用代码:A=标准产品,T=0.66mm,S=0.56mm,R=0.46mm,P=0.38mm2)诺瓦(Novacap)公司0603 N 102 J 500 N X T M 尺寸 介质 电容值 允许偏差 电压 端头 厚度 包装 标志介质:N=COG(NPO),X=Z5U,B=X7R电压:与容量的表示方法相同包装:B=散装,T=盘式,W=方形包装3)三星(SAMAUNG)公司CL 21 B 102 K B N C 电容器 尺寸 温度特性 电容值 允许误差 电压 厚度 包装尺寸: 03=0201,05=0402,10=0603,21=0805,31=1206,32=1210温度特性:C=COG,B=X7R,E=Z5U,F=Y5V,S=S2H,T=T2H,U=U2J电压:Q=6.3V,P=10V,O=16V,A=25V,B=50V,C=100V厚度:N=标准厚度,A=比N薄,B=比N厚包装:B=散装,C=纸带包装,E=胶带包装,P=合装4)TDK公司C 1005 CH 1H 100 D T 名称 尺寸 温度特性 电压 电容值 允许误差 包装温度特性:COG,X7R,X5R,Y5V电压:0J=6.3V,1A=10V,1C=16V,1E=25V,1H=50V,2A=100V,2E=250V,2J=630V包装:T=Taping,B=Bulk5)广东风华公司CC41 0805 N 102 K 500 P T 电容器 尺寸 介质 标称容量 允许误差 电压 端头 包装介质:N=NPO,CG=COG,B=X7R,Y=Y5V电压:250=25V,500=50V,101=100V 钽电容器的包装标识常见类型:1)三星(SAMSUNG)公司TC SCN 1C 105 M A A R 钽电容 型号 电压 电容值 误差 尺寸 包装 极性方向型号:SCN与SCS系列电压:0G=4V,0J=6.3V,1A=10V,1C=16V,1D=20V,1E=25V,1V=35V尺寸:A=3216,B=3528,C=6032,D=7343包装:A=7”,C=13”包装:R=右,L=左电感器电感值的单位为:享(H),微享(uH)、纳享(nH),它们的关系如下:1H = 106uH= 109nH其容量值的表示法如下:代码表示值代码表示值3N33.3nHR100.1uH或100nH10N10nHR220.22uH或220nH33033uH5R65.6uH或5600nH1)三星(SAMSUNG)公司CI H 10 T 3N3 S N C 电感 系列 尺寸 材料 容量 误差 厚度 包装系列:H=CIH系列,L=CIL系列尺寸:10=1608,21=2012误差:C=±0.2nH,S=±0.3nH , D=±0.5nH,G=±2%厚度:N=标准,A=比N薄,B=比N厚包装:C=纸带,E=胶带2)TDK公司NLU 160805 T - 2N2 C 系列名称 尺寸 包装 电感值 允许误差二极管公司常见的二极管是LL4148和IN4148两种,另外就是一些稳压二极管及发光二管,在使用稳压二极管时应注意其电压是否与料单相符,另外某些稳压管的外形与三极管外形(SOT)形状一致,在使用时应小心区分。而在使用发光二极管时则要留意其发出光的颜色种类。三极管在三极管里,其PN结的极性不同,其功能用途就不一样,在使用时,我们必须对三极管子的型号仔细分清楚,其型号里一个符号的差别可能就是完全相反功能的三极管。集成块(IC)IC在装贴时最容易出错的是方向不正确,另外就是在装贴EPROM时易把OPT片(没烧录程式)当作掩膜片(已烧录程式)来装贴,从而造成严重错误。因此,在生产时必须细心核对来料。其它元器件生产时留意工艺卡。元器件的包装SMT的元器件包装须适应设备的自动运转。目在SMT产业里的元器件包装主要有编带、盘式、滑道式、粘带、散式包装,其中粘带是编带中的一种。针对电子制程精密焊后清洗的不同要求,合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验,对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况,自主开发了较为完整的水基系列产品,精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端,包括有水基和半水基清洗剂,碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在,在同等的清洗力的情况下,合明科技的兼容性较佳,兼容的材料更为广泛;在同等的兼容性下,合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多(测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌;测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分),清洗速度更快,离子残留低、干净度更好。 合明科技摄像模组感光芯片CMOS晶片镜片清洗剂,LED芯片焊后助焊剂锡膏清洗剂、CMOS焊接后清洗剂、FPC电路板清洗剂、SMT元器件封装工艺清洗剂、微波组件助焊剂松香清洗剂、车用IGBT芯片封装水基清洗方案,SMT电子制程水基清洗全工艺解决方案,汽车用 IGBT芯片封装焊后清洗剂,IGBT芯片清洗剂,IGBT模块焊后锡膏清洗剂,IGBT功率半导体模块清洗,SMT锡膏回流焊后清洗剂,PCBA焊后水基清洗剂,系统封装CQFP器件焊后助焊剂清洗剂、SIP芯片焊后清洗剂、BMS电路板焊后清洗剂,半导体分立器件除助焊剂清洗液、半水基清洗剂、IGBT功率模块焊后锡膏水基清洗剂、PCB组件封装焊后水性环保清洗剂、SMT封装焊后清洗剂、精密电子清洗剂、半导体分立器件清洗剂、SMT焊接助焊剂清洗剂、锡嘴氧化物清洗剂、PCBA清洗剂、芯片封装焊后清洗剂、水性清洗剂、FPC清洗剂、BGA植球后清洗剂、球焊膏清洗剂、FPC电路板水基清洗剂、堆叠组装POP芯片清洗剂、油墨丝印网板水基清洗全工艺解决方案、BMS新能源汽车电池管理系统电路板制程工艺水基清洗解决方案、储能BMS电路板水基清洗剂、PCBA焊后助焊剂清洗剂、组件和基板除助焊剂中性水基清洗剂、功率电子除助焊剂水基清洗剂、功率模块/DCB、引线框架和分立器件除助焊剂水基清洗剂、封装及晶圆清洗水基清洗剂、倒装芯片水基清洗、SIP和CMOS芯片封装焊后清洗剂、SMT钢网、丝网和误印板清洗除锡膏、银浆、红胶,SMT印刷机网板底部擦拭水基清洗剂、焊接夹治具、回流焊冷凝器、过滤网、工具清洗除被焙烤后助焊剂和重油污垢清洗剂,电子组件制程水基清洗全工艺解决方案。

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