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芯片封装清洗剂与芯片封装的功能作用介绍
今天小编为大家带来一篇关于芯片封装清洗剂与芯片封装的功能作用介绍~芯片封装的功能作用芯片封装是将半导体前段制程加工完成的晶圆经过切割、粘贴、键合加工后，再用塑封材料包覆，达到保护芯片组件并用于线路板（Printed Circuit Board, PCB）的组装装配过程（见图）。芯片封装颗粒主要是提供一个引线键合的接口，通过金属引脚、球形接点等技术连接到芯片系统，并保护芯片免于外部环境包括外力、水、杂质或化学物等的破坏和腐蚀。图 芯片封装功能结构示意图芯片封装的目的在于确保芯片经过封装之后具有较强的机械性能、良好的电气性能和散热性能。一个完整科学的芯片封装工艺过程，首先应当满足实现集成电路芯片内键合点和外部电气连接的目的，其次还应为芯片提供一个长期稳定可靠的工作环境，不仅对芯片起到机械和环境保护的作用，而且还要保证芯片正常工作的高稳定性和可靠性。芯片封装的主要功能作用可概括为以下几点：（1）传递电能。所有电子产品都以电为能源，电能的传递包括电源电压的分配和导通，在封装过程中对于电能传递的主要考量是将不同部位的器件和模块所需的不同大小的电压进行恰当的分配，以避免不必要的电损耗，同时兼顾考虑地线分配问题。电能的传送必须经过线路的连接才能实现，这是芯片封装的主要功能作用。（见图）图芯片封装传递电能结构示意图（2）传递电信号。集成电路产生的电信号或外部输入的电信号，需通过封装将不同层之间的线路传递到正确的位置，这些线路不仅要保证电信号的延迟尽可能小，而且还要保证传递的路径达到最短。因此在经过芯片封装使各线路连接后，各电子组件间的电信号传递既有效也高效。（见图）图1-14 芯片封装传递电信号结构示意图（3）散热。集成电路的各元器件、部件、模块在长时间工作时会产生一定的热量。芯片封装就是利用封装材料良好的导热性能将电路间产生的热量有效地散失，使芯片在合适的工作温度下正常工作并达到各项性能指标的要求，不致因工作环境温度积累过高而造成电路的毁损。（见图）图 芯片封装散热结构示意图（4）电路保护。有效的电路保护不仅需要为芯片和其他连接部件之间提供可靠的机械支撑，而且还要确保精细的集成电路不受外界物质的污染。芯片封装为集成电路的稳定性和可靠性提供了良好的结构性保护和支持。（见图）图 芯片封装电路保护结构示意图（5）系统集成。多个芯片可以通过封装工艺集成整合为一，科学的封装工艺不仅减少了电路之间连接的焊点数量，而且可以显著减小封装体积和重量，同时缩短组件之间的连接线路，整体提高了集成电路的电性能。（见图）（7）芯片封装清洗芯片封装清洗：合明科技研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。推荐使用合明科技水基清洗剂产品。
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DIP插装型封装与DIP器件组装设计缺陷介绍
今天小编为大家带来一篇关于DIP插装型封装与DIP器件组装设计缺陷介绍~DIP就是插件，采用这种封装方式的芯片有两排引脚，可以直接焊在有DIP结构的芯片插座上或焊在有相同焊孔数的焊位中。其特点是可以很方便地实现PCB板的穿孔焊接，和主板有很好的兼容性。但是由于其封装面积和厚度都比较大，而且引脚在插拔过程中很容易被损坏，可靠性较差。DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑 IC,存贮器 LSI,微机电路等。小外形封装( SOP）。派生出SOJ(J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装)、VSOP（甚小外形封装)、SSOP（缩小型SOP) 、TSSOP（薄的缩小型SOP）及 SOT(小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。一、DIP器件组装设计缺陷01、PCB封装孔大PCB的插件孔，封装引脚孔按照规格书绘制，在制版过程中因孔内需要镀铜，一般公差在正负0.075mm。PCB封装孔比实物器件的引脚太大的话，会导致器件松动，上锡不足、空焊等品质问题。见下图：使用WJ124-3.81-4P_WJ124-3.81-4P(KANGNEX)的器件引脚是1.3mm，PCB封装孔是1.6mm，孔径太大导致过波峰焊时空焊。接上图，按设计要求采购WJ124-3.81-4P_WJ124-3.81-4P(KANGNEX)的元器件，引脚1.3mm是正确的。02、PCB封装孔小PCB板中插件元器件焊盘上的孔小，元器件无法插入。此问题解决办法只能是把孔径扩大再插件，但是会孔无铜。如果是单双面板可以使用此方法，单双面板都是外层电气导通的，焊上锡可以导通。多层板插件孔小，内层有电气导通的情况下只能重做PCB板，因内层导通无法扩孔补救。见下图按设计要求采购A2541Hwv-3P_A2541HWV-3P(CJT)的元器件，引脚是1.0mm,PCB封装焊盘孔是0.7mm,导致无法插入。03PCB封装引脚距离与元器件不符DIP器件的PCB封装焊盘不只是孔径与引脚一致，而且引脚的间距同样要一样的距离。引脚孔的间距与器件不一致会导致器件无法插入，脚距可调的元器件除外。见下图：PCB封装引脚孔距是7.6mm,采购的元器件引脚孔距是5.0mm，相差2.6mm导致器件无法使用。04、PCB封装孔距太近连锡短路PCB设计绘制封装时需注意引脚孔的距离，引脚孔间距小即便是裸板能生成出来，在组装时过波峰焊也容易造成连锡短路。见下图：可能因引脚距离小导致连锡短路，波峰焊连锡短路的原因有很多种，如果在设计端能够提前对可组装性进行预防，可降低问题的发生率。05、DIP插件电路板基板清洗在电路板基板加工过程中，锡膏和助焊剂会产生残留物质，焊剂残留物会随着时间逐渐硬化并形成金属卤酸盐等腐蚀物，对电子产品的工作寿命和可靠性产生影响。因此彻底清除印制板的残留焊剂、焊料及其它污染物，对电路板基板进行清洗是非常有必要的。不同类型的助焊剂残留的成分不同，水基清洗剂的清洗材料对去除焊接残留的能力也不同。在机器因素上，需考虑运行时是否存在泡沫问题。目前大部分清洗工艺分为超声波清洗工艺和喷淋清洗工艺。在喷淋清洗工艺下，对泡沫的容忍度更低，要求无泡或泡沫极小且能迅速消泡。电路板基板清洗剂在满足清洗的条件下，还需考虑环保问题。目前普遍适用的是RoHS 2.0，REACH法规，欧盟无卤指令HF，索尼标准SS-00259等法令法规。在选择清洗剂的时候注意是否满足以上法令法规要求。推荐合明科技的水基清洗剂W3000D-2,对电路板基板上锡膏和助焊剂会产生残留物质，有相当优秀的清洗效果。
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焊膏清洗剂厂家为您分享:波峰焊锡珠的解决方案
焊膏清洗剂厂家为您分享:波峰焊锡珠的解决方案今天小编跟大家分享一编波峰焊锡珠的解决方案:一、以下建议有助于减少锡珠现象1、尽可能地降低焊锡温度2、使用更多地助焊剂可以减少锡珠，但需注意助焊剂残留；3、尽可能提高预热温度，需遵循助焊剂预热参数，否则助焊剂的活化期太短；4、更快的传送带速度也能减少锡珠。二、助焊剂方面的原因分析及预防控制办法1. 助焊剂中的水份含量较大或超标，在经过预热时未能充分挥发。2. 助焊剂中有高沸点物质或不易挥发物，经预热时不能充分挥发。三、工艺方面的原因分析及预防控制办法1. 预热温度偏低，助焊剂中溶剂部分未完全挥发关于预热：一般设定在90-110摄氏度，这里所讲“温度”是指预热后PCB板焊接面的实际受热温度，而不是“表显”温度；如果预热温度达不到要求，则焊后易产生锡珠。2. 走板速度太快未达到预热效果。关于走板速度：一般情况下，建议用户把走板速度定在1.1-1.4米/分钟，但这不是绝对值；如果要改变走板速度，通常都应以改变预热温度作配合；比如：要将走板速度加快，那么为了保证PCB焊接面的预热温度能够达到预定值，就应当把预热温度适当提高；如果预热温度不变，走板速度过快时，焊剂有可能挥发不完全，从而在焊接时产生“锡珠”。3. 链条（或PCB板面）倾角过小，锡液与焊接面接触时中间有气泡，气泡爆裂后产生锡珠。关于链条（或PCB板面）的倾角：这一倾角指的是链条（或PCB板面）与锡液平面的角度，当PCB板走过锡液平面时，应保证PCB零件面与锡液平面只有一个切点；而不能有一个较大的接触面；当没有倾角或倾角过小时，易造成锡液与焊接面接触时中间有气泡，气泡爆裂后产生“锡珠”。4. 助焊剂涂布的量太大，多余助焊剂未能完全流走或风刀没有将多余焊剂吹下。在波峰炉使用中，“风刀”的主要作用是吹去PCB板面多余的助焊剂，并使助焊剂在PCB零件面均匀涂布；一般情况下，风刀的倾角应在10度左右；如果“风刀”角度调整的不合理，会造成PCB表面焊剂过多，或涂布不均匀，不但在过预热区时易滴在发热管上，影响发热管的寿命，而且在浸入锡液时易造成“炸锡”现象，并因此产生“锡珠”。以上就是波峰焊锡珠产生原因的相关介绍!想要了解关于锡膏清洗剂的相关内容介绍，请访问我们的“锡膏清洗剂”专题了解相关产品与应用 ！
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锡膏清洗剂厂家为您分享:波峰焊锡珠产生的原因
锡膏清洗剂厂家为您分享:波峰焊锡珠产生的原因锡膏清洗剂厂家:锡珠的存在，不仅影响产品的外观，也对产品的质量埋下了隐患,因为现代化印制板元件密度高、间距小，锡珠在使用时可能脱落，从而造成元件短路，影响产品的质量。在SMT/DIP电子制程过程中,锡珠现象是焊接工艺中主要缺陷之一,是波峰焊工艺的老大难问题，它的产生是一个很复杂的过程，也是最烦人的问题，要完全消除它也是非常困难的只能是尽量减少，完全杜决只能是奋斗目标,今天小编就跟大家一起聊聊波峰焊锡珠产生的原因:波峰焊锡珠产生原因:①、锡珠是在PCBA离开液态焊锡的时候形成的。当PCBA与锡波分离时，PCBA会拉出锡柱，锡柱断裂落回锡缸时，溅起的焊锡会在落在PCBA上形成锡珠。因此，应注意减少锡的降落高度。较小的降落高度有助于减少锡渣和溅锡现象。②、阻焊层：锡珠是否会粘附在PCBA上取决于基板材料。如果锡珠和PCBA的粘附力小于锡珠的重力，锡珠就会从就会从PCBA上弹开落回锡缸中。在这种情况下，PCBA上的阻焊层是个非常重要的因素。较粗燥的阻焊层会和锡珠有更小的接触面，锡珠不易粘在PCBA上。在无铅焊接过程中，高温会使阻焊层更柔滑，更易造成锡珠粘在PCBA上。③、助焊剂相关：助焊剂会残留在元器件的下面或是PCBA和治具之间。如果助焊剂没能被充分预热并在PCBA接触到锡波之前烧尽，就会产生溅锡并形成锡珠，应该严格遵循助焊剂供应商推荐的预热参数。④、PCB受潮：如果PCB通孔的金属层上有裂缝的话，受热后挥发的水汽从裂缝中逸出，在PCBA的元件面形成锡珠。⑤、氮气的使用会加剧锡珠的形成。以上就是波峰焊锡珠产生原因的相关介绍!想要了解关于锡膏清洗剂的相关内容介绍，请访问我们的“锡膏清洗剂”专题了解相关产品与应用 ！
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多功能集成封装技术与功率芯片清洗
今天小编为大家带来一篇关于多功能集成封装技术与功率芯片清洗介绍~一、多功能集成封装技术：碳化硅器件的出现推动了电力电子朝着小型化的方向发展，其中集成化的趋势也日渐明显。瓷片电容的集成较为常见，通过将瓷片电容尽可能靠近功率芯片可有效减小功率回路寄生电感参数，减小开关过程中的震荡、过冲现象。但目前瓷片电容不耐高温，所以并不适宜于碳化硅的高温工作情况。驱动集成技术也逐渐引起了人们的重视，三菱、英飞凌等公司均提出了 SiC 智能功率模块(intelligent power module，IPM)，将驱动芯片以及相关保护电路集成到模块内部，并用于家电等设备当中。如图 13 所示，浙江大学团队通过将瓷片电容、驱动芯片和 1200V SiC 功率芯片集成在同一块 DBC 板上，使半桥模块面积仅为 TO-247 单管大小，极大地减小了驱动回路和功率回路的寄生电感参数。阿肯色大学则针对碳化硅芯片开发了相关的 SiC CMOS 驱动芯片以充分开发 SiC 的高温性能。此外，还有 EMI 滤波器集成，温度、电流传感器集成、微通道散热集成等均有运用到碳化硅封装设计当中。二、功率芯片清洗：针对功率芯片清洗、先进封装产品芯片焊后封装前，基板载板焊盘、电子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验，对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况，自主开发了较为完整的水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封装到PCBA组件终端，包括有水基清洗剂和半水基清洗剂，碱性水基清洗剂和中性水基清洗剂等。具体表现在，在同等的清洗力的情况下，合明科技的兼容性较佳，兼容的材料更为广泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多（测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，离子残留低、干净度更好。想了解更多关于先进封装产品芯片清洗的内容，请访问我们的“先进封装产品芯片清洗”产品与应用！
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双面散热封装技术与芯片封装清洗
今天小编为大家带来一篇关于双面散热封装技术与芯片封装清洗介绍~一、双面散热封装技术双面封装工艺由于可以双面散热、体积小，较多用于电动汽车内部 IGBT 的封装应用。图7为一典型的双面散热封装 SiC 模块，该模块上下表面均采用 DBC 板进行焊接，所以可实现上下表面同时散热。该工艺的难点在于，芯片上表面需要进行溅射或电镀处理使其可焊接，并且在芯片上表面增加金属垫片、连接柱等来消除同一模块中不同高度芯片的高度差。再加上 SiC 芯片普遍面积小，如何保证在上表面有限面积范围内的焊接质量是该工艺过程中的关键。得益于上下 DBC 的对称布线与合理的芯片布局，该封装可将回路寄生电感参数降到3nH 以下，模块热阻相比于传统封装下降38%。国内如株洲中车时代电气、天津大学等团队都对此类双面封装模块进行了热、电气、可靠性等多方面的研究。CPES 针对 10kV 的 SiC MOSFET 采用了如图 8所示的封装设计。使用银烧结技术将芯片和敷铝陶瓷板(direct bonded aluminum，DBA)、钼片相连接。其中芯片下部采用两层 DBA 板叠加，并将中间层连接到母线中间电压，一方面可以减小板子边缘的场强，另一方面减小了桥臂中点对地的寄生电容，降低 EMI。该模块可以采用双面散热，也可将瓷片电容焊接在芯片上部 DBA 板上，减小回路寄生电感到小于 5nH。图 9 为浙江大学和阿肯色大学合作提出的一种用于 SiC MOSFET 的双面压接模块。该模块使用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺和带有弹性的 Fuzz Button 取代传统 DBC 板和金属键合线实现芯片互联以及散热设计，回路寄生电感参数仅为 4.3nH。不足之处在于 LTCC 导热系数低，而且压接模块的特性对外部压力反应敏感。此外还有浙江大学与阿尔堡大学合作设计的直接通过螺钉固定的双面压接 SiC MOSFET 模块，也实现了低寄生电感参数和良好均匀的散热特性。二、芯片清洗芯片封装清洗：合明科技研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。推荐使用合明科技水基清洗剂产品。
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传感器的三个趋势与传感器清洗剂介绍
今天小编为大家带来一篇关于传感器的三个趋势与传感器清洗剂介绍~一、传感器的三个趋势：对于传感器，不仅是更多，而且还需要使用更昂贵、更先进的半导体技术来实现性能更高的传感器。例如，之前雷达已经使用了相当成熟的90nm SiGe BiCMOS技术，但对更好性能的需求意味着下一代4D成像雷达将采用40nm及以下节点的SiCMOS技术。随着节点尺寸的减小，这些雷达将获得性能，但也将增加成本。最近，激光雷达价格一直在下降，其采用率也在不断提高。它是L3及以上级别车辆的关键传感器，但由于其带来的安全优势，它也将开始穿透L2及以下级别。近红外激光雷达目前部署最多，其探测器可以建在硅上，因此非常便宜。但激光雷达的趋势是短波红外，在提供性能优势的同时需要更昂贵的InGaAs探测器。因此，激光雷达将越来越多地采用并向更高价值的半导体类型过渡。令人感兴趣的是激光雷达驱动的非硅基半导体需求的增长。如今，大多数激光雷达在近红外（NIR）区域工作，典型波长为905nm，这可以通过硅光电探测器实现。然而，未来的激光雷达很可能使用典型波长为1550nm的短波红外（SWIR）区域。1550nm激光雷达发布的压倒性优势显示了这一趋势。按波长划分的激光雷达发布比例虽然特斯拉一直在公开反对激光雷达，但自主领域的其他主要参与者Waymo、Cruise、戴姆勒和本田等都在其高度自动化的车辆上使用激光雷达。事实上，截至2022年底，道路上只有两辆经过SAE L3认证的车辆（在某些情况下不需要驾驶员监控）：梅赛德斯S级和本田传奇。IDTechEx预计，在未来10年内，将有更多高端车辆效仿S级，广泛采用L3技术。当然，这将推动这些高度先进车辆所需的所有传感器类型和计算机的半导体需求。传感器的趋势有三：一是随着自动化程度的提高，车辆周围的摄像头将变得越来越多，红外摄像头很可能加入其中；二是L3及以上车辆周围的激光雷达将增加；三是L3及以上车辆典型安装五个雷达，雷达本身将使用更先进的收发器芯片提供更高的性能。自动驾驶车辆的传感器配置二、传感器清洗剂选择合明科技专注精密电子清洗技术20多年，是SMT贴装/DIP封装，功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。是电子制造业水基清洗技术的国内自主掌握核心技术先创品牌，具有二十多年的精湛技术产品、工艺及 定制化清洗 解决方案服务经验。针对传感器电子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在传感器水基清洗方面有比较丰富的经验，对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况，自主开发了较为完整的水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封装到PCBA组件终端，包括有水基清洗剂和半水基清洗剂，碱性水基清洗剂和中性水基清洗剂等。具体表现在，在同等的清洗力的情况下，合明科技的兼容性较佳，兼容的材料更为广泛；在同等的兼容性下，合明科技的传感器清洗剂清洗的锡膏种类更多（测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，离子残留低、干净度更好。
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水基清洗剂厂家为您分享：半导体设备及相关企业汇总
水基清洗剂厂家为您分享：半导体设备及企业汇总 水基清洗剂厂家：随着我国华为公司被某国的打压封锁，国内半导体行业发展的紧迫感越来越强，而半导体工艺设备则为半导体大规模制造提供制造基础，今天小编为大家整理了一篇半导体设备及企业汇总供大家参考:1、单晶炉设备名称：单晶炉。设备功能：熔融半导体材料，拉单晶，为后续半导体器件制造，提供单晶体的半导体晶坯。主要企业（品牌）：国际：德国PVA TePla AG公司、日本Ferrotec公司、美国QUANTUM DESIGN公司、德国Gero公司、美国KAYEX公司。国内：西安理工晶科、常州华盛天龙、上海汉虹、西安华德、上海申和热磁、上虞晶盛、晋江耐特克、宁夏晶阳、常州江南、沈阳科仪公司。2、气相外延炉设备名称：气相外延炉。设备功能：为气相外延生长提供特定的工艺环境，实现在单晶上，生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶体，为单晶沉底实现功能化做基础准备。气相外延即化学气相沉积的一种特殊工艺，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。主要企业（品牌）：国际：美国CVD Equipment公司、美国GT公司、法国Soitec公司、法国AS公司、美国ProtoFlex公司、美国科特·莱思科（Kurt J.Lesker）公司、美国Applied Materials公司。国内：中国电子科技集团第四十八所、青岛赛瑞达、合肥科晶材料技术有限公司、北京金盛微纳、济南力冠电子科技有限公司。3、分子束外延系统设备名称：分子束外延系统。设备功能：分子束外延系统，提供在沉底表面按特定生长薄膜的工艺设备；分子束外延工艺，是一种制备单晶薄膜的技术，它是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜。主要企业（品牌）：国际：法国Riber公司、美国Veeco公司、芬兰DCA Instruments公司、美国SVTAssociates公司、美国NBM公司、德国Omicron公司、德国MBE-Komponenten公司、英国Oxford Applied Research（OAR）公司。国内：沈阳中科仪器、北京汇德信科技有限公司、绍兴匡泰仪器设备有限公司、沈阳科友真空技术有限公司。4、氧化炉设备名称：氧化炉。设备功能：为半导体材料进行氧化处理，提供要求的氧化氛围，实现半导体预期设计的氧化处理过程，是半导体加工过程的不可缺少的一个环节。主要企业（品牌）：国际：英国Thermco公司、德国Centrothermthermal solutions GmbH Co.KG公司。国内：北京七星华创、青岛福润德、中国电子科技集团第四十八所、青岛旭光仪表设备有限公司、中国电子科技集团第四十五所。5、低压化学气相淀积系统设备名称：低压化学气相淀积系统设备功能：把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入LPCVD设备的反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜。主要企业（品牌）：国际：日本日立国际电气公司、国内：上海驰舰半导体科技有限公司、中国电子科技集团第四十八所、中国电子科技集团第四十五所、北京仪器厂、上海机械厂。6、等离子体增强化学气相淀积系统设备名称：等离子体增强化学气相淀积系统设备功能：在沉积室利用辉光放电，使其电离后在衬底上进行化学反应，沉积半导体薄膜材料。主要企业（品牌）：国际：美国Proto Flex公司、日本Tokki公司、日本岛津公司、美国泛林半导体（Lam Research）公司、荷兰ASM国际公司。国内：中国电子科技集团第四十五所、北京仪器厂、上海机械厂。7、磁控溅射台设备名称：磁控溅射台。设备功能：通过二极溅射中一个平行于靶表面的封闭磁场，和靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域，实现高离子密度和高能量的电离，把靶原子或分子高速率溅射沉积在基片上形成薄膜。主要企业（品牌）：国际：美国PVD公司、美国Vaportech公司、美国AMAT公司、荷兰Hauzer公司、英国Teer公司、瑞士Platit公司、瑞士Balzers公司、德国Cemecon公司。国内：北京仪器厂、沈阳中科仪器、成都南光实业股份有限公司、中国电子科技集团第四十八所、科睿设备有限公司、上海机械厂。8、化学机械抛光机设备名称：化学机械抛光机设备功能：通过机械研磨和化学液体溶解“腐蚀”的综合作用，对被研磨体（半导体）进行研磨抛光。主要企业（品牌）：国际：美国Applied Materials公司、美国诺发系统公司、美国Rtec公司。国内：兰州兰新高科技产业股份有限公司、爱立特微电子。9、光刻机设备名称：光刻机。设备功能：在半导体基材上（硅片）表面匀胶，将掩模版上的图形转移光刻胶上，把器件或电路结构临时“复制”到硅片上。主要企业（品牌）：国际：荷兰阿斯麦（ASML）公司、美国泛林半导体公司、日本尼康公司、日本Canon公司、美国ABM公司、德国德国SUSS公司、美国MYCRO公司。国内：中国电子科技集团第四十八所、中国电子科技集团第四十五所、上海机械厂、成都南光实业股份有限公司。10、反应离子刻蚀系统设备名称：反应离子刻蚀系统。设备功能：。平板电极间施加高频电压，产生数百微米厚的离子层，放入式样，离子高速撞击式样，实现化学反应刻蚀和物理撞击，实现半导体的加工成型。主要企业（品牌）：国际：日本Evatech公司、美国NANOMASTER公司、新加坡REC公司、韩国JuSung公司、韩国TES公司。国内：北京仪器厂、北京七星华创电子有限公司、成都南光实业股份有限公司、中国电子科技集团第四十八所。11、ICP等离子体刻蚀系统设备名称：ICP等离子体刻蚀系统。设备功能：一种或多种气体原子或分子混合于反应腔室中，在外部能量作用下（如射频、微波等）形成等离子体，一方面等离子体中的活性基团与待刻蚀表面材料发生化学反应，生成可挥发产物；另一方面等离子体中的离子在偏压的作用下被引导和加速，实现对待刻蚀表面进行定向的腐蚀和加速腐蚀。主要企业（品牌）：国际：英国牛津仪器公司、美国Torr公司、美国Gatan公司、英国Quorum公司、美国利曼公司、美国Pelco公司。国内：北京仪器厂、北京七星华创电子有限公司、中国电子科技集团第四十八所、戈德尔等离子科技（香港）控股有限公司、中国科学院微电子研究所、北方微电子、北京东方中科集成科技股份有限公司、北京创世威纳科技。12、离子注入机设备名称：离子注入机。设备功能：对半导体表面附近区域进行掺杂。主要企业（品牌）：国际：美国维利安半导体设备公司、美国CHA公司、美国AMAT公司、Varian半导体制造设备公司（被AMAT收购）。国内：北京仪器厂、中国电子科技集团第四十八所、成都南光实业股份有限公司、沈阳方基轻工机械有限公司、上海硅拓微电子有限公司。13、湿法腐蚀刻蚀机设备名称：湿法腐蚀刻蚀机设备功能：通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的化学反应将被刻蚀物质剥离下来的刻蚀方法。大多数湿法刻蚀是不容易控制的各向同性刻蚀。主要企业（品牌）：国际：英国牛津仪器公司、美国Torr公司、美国Gatan公司、英国Quorum公司、美国利曼公司、美国Pelco公司。国内：中国科学院微电子研究所、苏州华林科纳半导体设备技术有限公司、中国电子科技集团第四十八所。14、探针测试台设备名称：探针测试台。设备功能：通过探针与半导体器件的pad接触，进行电学测试，检测半导体的性能指标是否符合设计性能要求。主要企业（品牌）：国际：德国Ingun公司、美国QA公司、美国MicroXact公司、韩国Ecopia公司、韩国Leeno公司。国内：中国电子科技集团第四十五所、北京七星华创电子有限公司、瑞柯仪器、华荣集团、深圳市森美协尔科技。15、晶片减薄机设备名称：晶片减薄机。设备功能：通过抛磨，把晶片厚度减薄。主要企业（品牌）：国际：日本DISCO公司、德国G&N公司、日本OKAMOTO公司、以色列Camtek公司。国内：兰州兰新高科技产业股份有限公司、深圳方达研磨设备制造有限公司、深圳市金实力精密研磨机器制造有限公司、炜安达研磨设备有限公司、深圳市华年风科技有限公司。16、晶圆划片机设备名称：晶圆划片机。设备功能：把晶圆，切割成小片的Die。主要企业（品牌）：国际：德国OEG公司、日本DISCO公司。国际：北京科创源光电技术有限公司、沈阳仪器仪表工艺研究所、西北机器有限公司（原国营西北机械厂709厂）、中国电子科技集团第四十五所、汇盛电子电子机械设备公司、兰州兰新高科技产业股份有限公司、大族激光、深圳市红宝石激光设备有限公司、武汉三工、珠海莱联光电、珠海粤茂科技。17、引线键合机设备名称：引线键合机。设备功能：把半导体芯片上的Pad与管脚上的Pad，用导电金属线（金丝）链接起来。主要企业（品牌）：国际：美国奥泰公司、德国TPT公司、奥地利奥地利FK公司、马来西亚友尼森（UNISEM）公司。国内：中国电子科技集团第四十五所、北京创世杰科技发展有限公司、宇芯（成都）集成电路封装测试有限公司以上就是半导体设备功能及相关企业汇总希望能对您有所帮助!想要了解关于半导体清洗剂的相关内容介绍，请访问我们的“ 半导体清洗剂”专题了解相关产品与应用 ！
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高温封装技术与锡膏清洗剂介绍
今天小编为大家带来一篇关于高温封装技术与锡膏清洗剂介绍~一、高温封装技术在进行芯片正面连接时可用铜线替代铝线，消除了键合线与 DBC 铜层之间的热膨胀系数差异，极大地提高模块工作的可靠性。此外，铝带、铜带连接工艺因其更大的截流能力、更好的功率循环以及散热能力，也有望为碳化硅提供更佳的解决方案。图 11 所示分别为铜键合线、铜带连接方式。锡片或锡膏常用于芯片和 DBC 板的连接，焊接技术非常成熟而且简单，通过调整焊锡成分比例，改进锡膏印刷技术，真空焊接减小空洞率，添加还原气体等可实现极高质量的焊接工艺。但焊锡热导率较低(~50W/(mK))，且会随温度变化等，并不适宜 SiC 器件在高温下工作。此外，焊锡层的可靠性问题也是模块失效的一大原因。烧结银连接技术凭借其极高的热导率(~200W/(mK))，低烧结温度，高熔点等优势，有望取代焊锡成为 SiC 器件的新型连接方法[38-39]。银烧结工艺通常是将银粉与有机溶剂混合成银焊膏，再印刷到基板上，通过预热除去有机溶剂，然后加压烧结实现芯片和基板的连接。为降低烧结温度，一种方法是增大烧结中施加的压力，这增加了相应的设备成本，而且容易造成芯片损坏；另一种方法是减小银颗粒的体积如采用纳米银颗粒，但颗粒加工成本高，所以很多研究继续针对微米银颗粒进行研究以得到合适的烧结温度、压力、时间参数来现更加理想的烧结效果。图 12 给出了一些典型的焊锡和烧结材料的热导率和工作温度对比图。此外，为确保碳化硅器件稳定工作，陶瓷基板和金属底板也需要具备良好的高温可靠性。表 2、3分别给出了目前常用的一些基板绝缘材料和底板材料，其中：λ 为热导率；α为热膨胀系数；R为挠曲强度；ρ 为密度。λ 越高，散热效果越好，α 则影响了封装在高温工作时不同层材料之间的热应力大小，不同材料间α 差异越大，材料层间热应力就越高，可靠性越低。所以提高λ值 、α 值和碳化硅材料(3.7ppm/K)相近的材料是提高封装可靠性和关键所在。如表2 所示，Al2O3 具有成本低，机械强度高等优点，是目前最常用的绝缘材料，但λ 值低，α值明显偏大，不适合碳化硅的高温工作。AlN λ值高，α 值接近 SiC 材料，成本合适，是目前较为理想的碳化硅器件的基板材料。BeO 虽然 λ 值高，但其强毒性则限制了其应用。Si3N4 α 值最接近 SiC材料，而且 R 值大，在热循环中更不容易断裂，也是一种适合碳化硅器件高温工作的绝缘材料，但其λ值较低，而且成本很高，限制了其广泛的应用。为提高陶瓷基板覆铜层的可靠性，覆铝陶瓷板(DBA)以及活性金属钎焊(active metal brazing，AMB)等工艺也受到人们越来越多的关注。如表 3所示，Cu 作为底板材料热导率最高，但其与基板之间热膨胀系数相差较大。Al 作为底板，成本低，还可显著降低整体重量，但在热导率和热膨胀系数匹配方面均表现较差。Cu基合金如 Cu/Mo，Cu/W，Cu/C 等在热导率和热膨胀系数方面性能均较为优越，但其密度和成本均较高。AlSiC 的成本，密度，热膨胀系数均十分理想，但缺点在于热导率较低。具体使用情况需要结合实际情况综合决定。综上可以看出，材料是保证碳化硅器件高温可靠工作的根本。而在实际设计过程是，考虑多方面综合因素寻找最合适的材料也是器件封装设计中的一大难点所在。二、锡膏清洗：合明科技专注精密电子清洗技术20多年，是SMT贴装/DIP封装，功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物，合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多（测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；。水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封装到PCBA组件终端，包括有水基清洗剂和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在，在同等的清洗力的情况下，合明科技的兼容性较佳. 先进封装包括倒装芯片、WLCSP晶圆级芯片封装、3D IC集成电路封装、SiP系统级封装、细间距封装等等。
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三维(3D)封装技术与先进封装清洗剂介绍
今天小编为大家带来一篇关于三维(3D)封装技术与先进封装清洗剂介绍~一、三维(3D)封装技术：三维封装技术利用了 SiC 功率器件垂直型的结构特点，将开关桥臂的下管直接叠在上管之上，消除了桥臂中点的多余布线，可将回路寄生电感降至1nH 以下。Vagnon于 2008 年即提出了利用金属片直连的模块单元，如图10(a)所示，并基于此封装制作了 Buck 变换器模块。实验测试表明，该 3D 封装模块基本消除了共源极电感，而且辐射电磁场相比于传统模块大大减小，共模电流也得到了很好的抑制。类似的，文献将 SiCMOSFET芯片嵌入 PCB 内部，形成如图 10(b)所示的 3D 封装形式。芯片表面首先经过镀铜处理，再借由过孔沉铜工艺将芯片电极引出，最后使用PCB 层压完成多层结构，图 10(c)为实物模块。得益于PCB 的母排结构，模块回路电感仅有 0.25nH，并可同时实现门极的开尔文连接方式。该封装的功率密度极高，如何保证芯片温度控制是一大难点，外层铜厚和表面热对流系数对芯片散热影响很大。除功率芯片之外，无源元件如磁芯，电容等均可通过适当的方式嵌入 PCB 当中以提高功率密度。由上述新型结构可以看出，为充分发挥 SiC 器件的优势，提高功率密度，消除金属键合线连接是一种趋势。通过采用各种新型结构，降低模块回路寄生电感值，减小体积是推进电力电子走向高频、高效、高功率密度的保证。二、先进封装产品清洗剂：先进封装产品芯片焊后封装前，基板载板焊盘上的污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。针对先进封装产品芯片焊后封装前，基板载板焊盘、电子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验，对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况，自主开发了较为完整的水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封装到PCBA组件终端，包括有水基清洗剂和半水基清洗剂，碱性水基清洗剂和中性水基清洗剂等。具体表现在，在同等的清洗力的情况下，合明科技的兼容性较佳，兼容的材料更为广泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多（测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，离子残留低、干净度更好。想了解更多关于先进封装产品芯片清洗的内容，请访问我们的“先进封装产品芯片清洗”产品与应用！
