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新能源发电带动高压功率半导体需求浅谈

今天小编为大家带来一篇新能源发电带动高压功率半导体需求浅谈~一、新能源发电带动高压功率半导体需求：IGBT 模块是光伏发电逆变器和风力发电逆变器的核心零部件，新能源发电助力功率半导体持续增长驱动力。IGBT 是光伏逆变器和风电逆变器的核心零部件。光伏逆变器的功率组价主要是由 IGBT 和功率二极管组成，风力发电逆变器中的功率组件和光伏逆变器的功率组件类似。光伏逆变器和风电逆变器中的 IGBT 主要是 1200V-1700V 的 IGBT。国内光伏需求强劲，我国供电结构尚需改善，光伏发电、太阳能发电比例提升空间大。从我国电力供应结构上看，火力发电是我国供电的主力。根据国家统计局统计，2020 年 2 月火力发电占比达到 76.04%，而太阳能发电和风力发电占比仅为 5.78%、1.75%。由于煤炭资源是不可再生，并且火力发电会带来环境破坏等问题，因此我国能源结构改善空间较大，未来光伏发电和风力发电的渗透率有望进一步提升。根据产业信息网数据，2020 年我国风电装机容量有望达到 270GW，2025 年我国光伏累计装机容量有望达到 400GW。二、功率半导体IGBT清洗IGBT模块清洗为应对能源危机和生态环境恶化等问题，世界各国均在大力发展新能源汽车、高压直流输电等新兴应用，促进了大功率电力电子变流装置的广泛应用。大功率变流装置的可靠性对这些应用而言十分重要。装置的可靠性与其核心器件IGBT密切相关。目前，大量的IGBT仍在采用传统的正溴丙烷等溶剂清洗清洗，随着对环保的管控和对产品可靠性的要求不断提高，原有的传统溶剂清洗已不能满足IGBT清洗。对此，合明提出新型的IGBT清洗方案。合明科技半水基清洗工艺解决方案，采用合明科技专利配方，可在清洗IGBT凹槽内存在大量的锡膏残留的同时去除金属界面高温氧化膜，更含有保护芯片独特的材料；配方材料亲水性强，清洗后易于用水漂洗干净。欢迎使用合明科技半水基清洗剂清洗IGBT模块。推荐使用合明科技水基清洗剂，针对电子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验，对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况，自主开发了较为完整的水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封装到PCBA组件终端，包括有水基清洗剂和半水基清洗剂，碱性水基清洗剂和中性水基清洗剂等。具体表现在，在同等的清洗力的情况下，合明科技的兼容性较佳，兼容的材料更为广泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多（测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，离子残留低、干净度更好。以上便是新能源发电带动高压功率半导体需求浅谈介绍，希望可以帮到您！
焊锡膏清洗与焊锡膏的印刷技术介绍

今天小编为大家带来一篇焊锡膏清洗与焊锡膏的印刷技术介绍~焊锡膏的印刷是SMT中第一道工序，焊锡膏的印刷涉及到三项基本内容-----焊锡膏，模板和印刷机，三者之间合理组合，对膏质量地实现焊锡膏的定量分配是非常重要的.，焊锡膏前面已说过，现主要说明的是模块及印刷机。一、金属模板（stencils）的制造方法：A.化学腐蚀法，由于存在侧腐蚀，故窗口壁光洁度不够，对不锈钢材料效果较差，因此漏印效果也较差。B.激光切割法，它是利用微机控制CO2或YAG激光发生器，像光绘一样直接在金属模板上切割窗口。C.电铸法：电铸法制造的模板价格显然是贵，适合在细间距器件焊接产品中使用。二、印刷机：说明全自动印刷机，通常有光学对准系统，通过对PCB和模板上对准标志的识别，实现模板窗口与PCB焊盘的自动对准，印刷机精度达0.01MM，但印刷机的多种工艺参数，如刮刀速度，刮刀压力，脱模速度，模板与PCB板之间　间隙仍需人工设定。三、影响印刷效果的因素：A.模板窗口的光滑度与径深比。B.锡膏触变性能的影响。四、焊膏印刷过程：A.焊膏准备：焊膏应放入冰箱冷藏（0—10度之间）。使用时，从冰箱取出室温（4小时）后再打开盖，有条件的工厂通过机器搅拌，约0.5—1H后可以使用，应注意，焊膏的黏度，粒度是否符合当前产品的要求.（应用黏度计进行测量）B.安装并校正模板，半自动可通过CCD帮助对准.C.印刷焊膏：初次用量不易过多，注意环境质量：无风，洁净，温度（23＝3）度，相对湿度小于70%D.完工/清洗模板。五、印刷机工艺参数的调节与影响：A.刮刀速度：　一般在12-40mm/sB.刮刀压力：一般在0.5KG/25MMC.刮刀宽度：为PCB长度加50MM左右为最佳D.印刷间隙：一般控制在0—0.07MME.分离速度：F.刮刀形状与制作材料六、焊锡膏水基清洗剂：在SMT生产中，回流焊前锡膏印刷机底部擦拭清洗使用水基清洗剂在线网板清洗，过回流焊后，焊锡膏网板需要做离线水基清洗，锡膏网板清洗使用水基清洗剂。PCBA板件上有焊接残留物锡膏助焊剂残留，需要用水基清洗剂配套超声波或者喷淋机做清洗，保证高可靠性。推荐使用合明科技水基清洗剂，针对电子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验，对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况，自主开发了较为完整的水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封装到PCBA组件终端，包括有水基清洗剂和半水基清洗剂，碱性水基清洗剂和中性水基清洗剂等。具体表现在，在同等的清洗力的情况下，合明科技的兼容性较佳，兼容的材料更为广泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多（测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，离子残留低、干净度更好。以上便是焊锡膏清洗与焊锡膏的印刷技术介绍，希望可以帮到您！
水基清洗剂选择有哪些要求

电子行业工艺制程发展迅速，很多电子产品制造工艺为了提高耐用性、稳定性和安全环保要求，都在电子制程清洗环节广泛使用水基清洗剂，那么水基清洗剂该如何选择？水基清洗剂选择有哪些要求呢？水基清洗剂选择应满足以下要求：1、水基清洗剂使用成本低，不能造成过多的资源消耗和成本支出。2、兼容性好，对清洗对象的损伤应在生产许可的限度内，对金属可能造成的腐蚀有相应的抑制措施。3、清洗过程不在清洗对象表面残留，清洗后不形成新的有害物质，不影响后续工序的产品质量。4、水基清洗剂要对清洗对象有很强的反应、分散或溶解清除能力，在较短的时间内，可有效彻底地除去污染物。5、水基清洗剂清洗条件温和，尽量不依赖于附力口的强化条件，如对温度、压力、设备等无过高要求。6、清洗剂对生物与环境无毒或低毒，所生成的废气，废液与废渣，处理后需符合国家相关法规的要求。
半导体清洗方法有哪些

半导体IC工艺制程主要是以20世纪50年代后发明的四项基础工艺离子注入、扩散、外延生长、光刻为基础逐渐发展起来的，由于封装集成电路内各元件及连接导线相当微细，因此制造过程中，容易遭到尘粒、金属等污染物的干扰，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的可靠性降低，甚至失去效能。所以在半导体IC工艺制程中必须加入清洗工艺，除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。半导体IC制程中的污染物分类IC制程中需要一些有机物和无机物参与完成，另外，制作过程总是在人的参与下在净化室中进行，这样就不可避免的产生各种环境对硅片污染的情况发生。根据污染物发生的情况，大致可将污染物分为颗粒、有机物、金属污染物及氧化物。1、颗粒：主要是一些聚合物、光致抗蚀剂和蚀刻杂质等。2、有机物：有机物杂质在IC制程中以多种形式存在，如人的皮肤油脂、净化室空气、机械油、硅树脂真空脂、光致抗蚀剂、清洗溶剂等。3、金属污染物：IC电路制造过程中采用金属互连材料将各个独立的器件连接起来，这个过程对IC制程也是一个潜在的污染过程，在形成金属互连的同时，也产生各种金属污染。4、原生氧化物及化学氧化物：硅原子非常容易在含氧气及水的环境下氧化形成氧化层，称为原生氧化层。硅晶圆经过SC-1和SC-2溶液清洗后，由于双氧水的强氧化力，在晶圆表面上会生成一层化学氧化层。半导体清洗方法主要有以下几种1、湿法清洗湿法清洗采用液体化学溶剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、稀释化学法、IMEC清洗法、单晶片清洗等.2、干法清洗干法清洗采用气相化学法去除晶片表面污染物。气相化学法主要有热氧化法和等离子清洗法等，清洗过程就是将热化学气体或等离子态反应气体导入反应室，反应气体与晶片表面发生化学反应生成易挥发性反应产物被真空抽去。各种污染物的去除措施分别列于表4.在CI包容环境中退火是一种典型的热氧化过程，在氧化炉中进行，氩（Ar）溅射通常在溅射淀积前现场进行。等离子清洗采用激光、微波、热电离等措施将无机气体激发到等离子态活性粒子，活性粒子与表面分子反应生成产物分子，产物分子进一步解析形成气相残余物脱离表面。干法清洗的优点在于清洗后无废液，可有选择性的进行局部处理。另外，干法清洗蚀刻的各向异性有利于细线条和几何特征的形成。但气相化学法无法有选择性的只与表面金属污染物反应，都不可避免的与硅表面发生反应。各种挥发性金属混合物蒸发压力不同，在低温下各种金属挥发性不同，所以在一定的温度、时间条件下，不能将所有金属污染物完全去除，因此干法清洗不能完全取代湿法清洗。实验表明，气相化学法可按要求的标准减少的金属化污染物有铁、铜、铝、锌、镍等，另外，钙在低温下采用基于CL离子的化学法也可有效挥发。工艺过程中通常采用干、湿法相结合的清洗方式。3、单晶片清洗法大直径晶片的清洗采用上述方法不好保证其清洗过程的完成，通常采用单晶片清洗法，如下图所示，其清洗过程是在室温下重复利用DI-O3/DHF清洗液，臭氧化的DI水（DI-O3）产生氧化硅，稀释的HF蚀刻氧化硅，同时清除颗粒和金属污染物。根据蚀刻和氧化的要求采用较短的喷淋时间就可获得好的清洗效果，不会发生交叉污染。最后冲洗不是采用DI水就是采用臭氧化DI水。为了避免水渍，采用浓缩大量氮气的异丙基乙醇（IPA）进行干燥处理。单晶片清洗具有或者比改良的RCA清洗更好的清洗效果，清洗过程中通过采用DI水及HF的再循环利用，降低化学品的消耗量，提高晶片成本效益。4、稀释化学法在RCA清洗的基础上,对SC1、SC2混合物采用稀释化学法可以大量节约化学品及DI水的消耗量。并且SC2混合物中的H2O2可以完全去掉。稀释APMSC2混合物（1:1:50）可以有效地从晶片表面去除颗粒和碳氢化合物。强烈稀释HPM混合物（1:1:60）和稀释HCI（1:100）在清除金属时可以象标准SC2液体一样有效。采用稀释HCL溶液的另外一个优点是，在低HCL浓度下颗粒不会沉淀。因为pH值在2～2.5范围内硅与硅氧化物是等电位的，pH值高于该点，硅片表面带有网状负电荷；低于该点，硅片表面带有网状正电荷。这样在PH值高于2～2.5时，溶液中的颗粒与硅表面带有相同的电荷，颗粒与硅表面之间形成静电屏蔽，硅片在溶液中浸蚀期间这种屏蔽可以阻止颗粒从溶液中沉积到硅表面上。但在pH值低于2时，硅片表面带正电荷，而颗粒带负电荷，这样一来就不会产生屏蔽效果，导致硅片在溶液中浸蚀时颗粒沉积到硅表面。有效控制HCL浓度可以阻止溶液中颗粒沉积到硅表面。采用稀释RCA清洗法可使全部化学品消耗量减少于86%。稀释SC1.SC2溶液及HF补充兆声搅动后,可降低槽中溶液使用温度，并优化了各种清洗步骤的时间，这样导致槽中溶液寿命加长，使化学品消耗量减少80～90%。实验证明采用热的UPW代替凉的UPW可使UPW消耗量减少75～80%。此外，多种稀释化学液由于低流速/或清洗时间的要求可大大节约冲洗用水。5、RCA清洗法最初，人们使用的清洗方法没有可依据的标准和系统化。1965年，RCA（美国无线电公司）研发了用于硅晶圆清洗的RCA清洗法，并将其应用于RCA元件制作上。该清洗法成为以后多种前后道清洗工艺流程的基础，以后大多数工厂中使用的清洗工艺基本是基于最初的RCA清洗法。RCA清洗法依靠溶剂、酸、表面活性剂和水，在不破坏晶圆表面特征的情况下通过喷射、净化、氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。在每次使用化学品后都要在超纯水（UPW）中彻底清洗。以下是常用清洗液及作用。 (APM;NH4OH/H2O2/H2Oat65～80℃).APM通常称为SC1清洗液，其配方为：NH4OH:H2O2：H2O=1:1:5～1:2:7.以氧化和微蚀刻来底切和去除表面颗粒；也可去除轻微有机污染物及部分金属化污染物。但硅氧化和蚀刻的同时会发生表面粗糙。 Sulphuricacid（硫酸）/hydrogenperoxide（过氧化氢）/DIwater（去离子水）混合物(SPM;H2SO4/H2O2/H2Oat100~130℃)。SPM通常称为SC3清洗液，硫酸与水的体积比是1:3.是典型用于去除有机污染物的清洗液。硫酸可以使有机物脱水而碳化，而双氧水可将碳化产物氧化成一氧化碳或二氧化碳气体。 Hydrofluoricacid（氢氟酸）ordilutedhydrofluoricacid（稀释氢氟酸）(HForDHFat20~25℃)蚀刻。其配方为：HF:H2O=1:2:10.主要用于从特殊区域去除氧化物、蚀刻硅二氧化物及硅氧化物，减少表面金属。稀释氢氟酸水溶液被用以去除原生氧化层及SC1和SC2溶液清洗后双氧水在晶圆表面上氧化生成的一层化学氧化层，在去除氧化层的同时，还在硅晶圆表面形成硅氢键，而呈现疏水性表面。 Ultrapurewater（UPW）通常叫作DI水，UPW采用臭氧化的水稀释化学品以及化学清洗后晶片的冲洗液。RCA清洗附加兆声能量后，可减少化学品及DI水的消耗量，缩短晶片在清洗液中的浸蚀时间，减轻湿法清洗的各向同性对积体电路特征的影响，增加清洗液使用寿命。6、IMEC清洗法在湿法清洗中，为了减少化学品和DI水的消耗量，常采用IMEC清洗法。第一步，去除有机污染物，生成一薄层化学氧化物以便有效去除颗粒。通常采用硫酸混合物，但出于环保方面的考虑而采用臭氧化的DI水，既减少了化学品和DI水的消耗量又避免了硫酸浴后较困难的冲洗步骤。用臭氧化的DI水完全彻底去除HMDS（六甲基二硅胺烷）比较困难，因为在室温下，臭氧可在溶液中高浓度溶解，但反应速度较慢，导致HDMS不能完全去除；较高温度下，反应速度加快，但臭氧的溶解浓度较低，同样影响HMDS的清除效果。因此为了较好的去除有机物，必须使温度、浓度参数达到最优化。.第二步，去除氧化层，同时去除颗粒和金属氧化物。Cu，Ag等金属离子存在于HF溶液时会沉积到Si表面。其沉积过程是一个电化学过程，在光照条件下，铜的表面沉积速度加快。通常采用HF/HCL混合物在去除氧化层和颗粒的同时抑制金属离子的沉积。添加氯化物可抑制光照的影响，但少量的氯化物离子由于在Cu2+/Cu+反应中的催化作用增加了Cu的沉积，而大量的氯化物离子添加后形成可溶性的高亚铜氯化物合成体抑制铜离子沉积。优化的HF/HCL混合物可有效预防溶液中金属外镀，增长溶液使用时间。:第三步，在硅表面产生亲水性，以保证干燥时不产生干燥斑点或水印。通常采用稀释HCL/O3混合物，在低pH值下使硅表面产生亲水性，同时避免再发生金属污染，并且在最后冲洗过程中增加HNO3的浓度可减少Ca表面污染。以上就是半导体清洗方法的一些介绍，如果有半导体封装清洗的任何疑问，欢迎通过在线咨询、电话、邮件等方式联系我们。合明科技为您提供专业定制化清洗解决方案。
IGBT模块清洗剂厂,IGBT模块的DCB衬底功能

今天小编为大家带来一篇IGBT模块清洗剂厂,IGBT模块的DCB衬底功能介绍~一、IGBT模块的DCB衬底功能DCB(直接覆铜)衬底,或仅仅DCB,是电力电子领域使用最广泛的衬底材料。自从IGBT模块开始制造以来,其就开始使用DCB。最初,DCB衬底只用于铜基板。如今,DCB是很多IGBT模块的解决方案,甚至没有基板的模块也需要衬底。DCB衬底包括绝缘陶瓷及其附着的铜,这些纯铜在高温下熔化,然后通过扩散过程附着在陶瓷上,具有很强的粘合强度,如图1所示。DCB用于铜表面涂层,或再在铜表面镀镍。在焊接过程中,为了防止半导体芯片位置发生偏移,有的厂家还在DCB上增加了层阻焊剂。常用的陶瓷主要有氧化铝(Al2O3),氮化铝(AIN),有时候用氮化硅(Si3N4)。衬底在IGBT模块中扮演着重要的角色,因为相比于其他绝缘材料,它们具有更低的热阻(氧化铝:24W/(m·K),氮化铝：130~180W/(m·K))和优越的比热容,且铜涂层具有良好的热传导特性。因为氧化铝(7.1ppm/K)和氮化铝(4.1 ppm/K)的热膨胀系数远低于金属和塑料的热膨胀系数,所以更适合用于硅半导体(4.0 ppm/K)的衬底,确保芯片受到更低的机械应力。由于衬底采用了纯铜,并由底板或散热器散热,所以即使对于具有高达3.6kA额定电流的IGBT模块来说,DCB也具有足够的电流容量。可以在印制电路板同一层上实现布局,首先在表面镀镍和镍/金合金,然后增加阻焊层。二、IGBT模块清洗为应对能源危机和生态环境恶化等问题，世界各国均在大力发展新能源汽车、高压直流输电等新兴应用，促进了大功率电力电子变流装置的广泛应用。大功率变流装置的可靠性对这些应用而言十分重要。装置的可靠性与其核心器件IGBT密切相关。目前，大量的IGBT仍在采用传统的正溴丙烷等溶剂清洗清洗，随着对环保的管控和对产品可靠性的要求不断提高，原有的传统溶剂清洗已不能满足IGBT清洗。对此，合明提出新型的IGBT清洗方案。合明科技半水基清洗工艺解决方案，采用合明科技专利配方，可在清洗IGBT凹槽内存在大量的锡膏残留的同时去除金属界面高温氧化膜，更含有保护芯片独特的材料；配方材料亲水性强，清洗后易于用水漂洗干净。欢迎使用合明科技半水基清洗剂清洗IGBT模块。以上便是IGBT模块清洗剂厂,IGBT模块的DCB衬底功能介绍，希望可以帮到您！
半导体封装清洗,半导体封装技术的发展阶段

今天小编为大家带来一篇半导体封装清洗,半导体封装技术的发展阶段~半导体封装技术的发展历史可划分为三个阶段。一、第一阶段（20世纪70年代之前）以通孔插装型封装为主；典型的封装形式包括最初的金属圆形(TO型)封装，以及后来的陶瓷双列直插封装(CDIP)、陶瓷-玻璃双列直插封装(Cer DIP)和塑料双列直插封装(PDIP)等；其中的PDIP,由于其性能优良、成本低廉，同时又适于大批量生产而成为这一阶段的主流产品。二、第二阶段（20世纪80年代以后）从通孔插装型封装向表面贴装型封装的转变，从平面两边引线型封装向平面四边引线型封装发展。表面贴装技术被称为电子封装领域的一场革命，得到迅猛发展。与之相适应，一些适应表面贴装技术的封装形式，如塑料有引线片式裁体（PLCC）、塑料四边引线扁平封装（PQFP）、塑料小外形封装（PSOP）以及无引线四边扁平封装（PQFN）等封装形式应运而生，迅速发展。其中的PQFP，由于密度高、引线节距小、成本低并适于表面安装，成为这一时期的主导产品。三、第三阶段（20世纪90年代以后）半导体发展进入超大规模半导体时代，特征尺寸达到0.18-0.25µm，要求半导体封装向更高密度和更高速度方向发展。因此，半导体封装的引线方式从平面四边引线型向平面球栅阵列型封装发展，引线技术从金属引线向微型焊球方向发展。在此背景下，焊球阵列封装（BGA）获得迅猛发展，并成为主流产品。BGA按封装基板不同可分为塑料焊球阵列封装（PBGA），陶瓷焊球阵列封装（CBGA），载带焊球阵列封装（TBGA），带散热器焊球阵列封装(EBGA)，以及倒装芯片焊球阵列封装（FC-BGA）等。为适应手机、笔记本电脑等便携式电子产品小、轻、薄、低成本等需求，在BGA的基础上又发展了芯片级封装（CSP）;CSP又包括引线框架型CSP、柔性插入板CSP、刚性插入板CSP、园片级CSP等各种形式，目前处于快速发展阶段。同时，多芯片组件（MCM）和系统封装（SiP）也在蓬勃发展，这可能孕育着电子封装的下一场革命性变革。MCM按照基板材料的不同分为多层陶瓷基板MCM（MCM-C）、多层薄膜基板MCM（MCM-D）、多层印制板MCM（MCM-L）和厚薄膜混合基板MCM（MCM-C/D）等多种形式。SiP是为整机系统小型化的需要，提高半导体功能和密度而发展起来的。SiP使用成熟的组装和互连技术，把各种集成电路如CMOS电路、GaAs电路、SiGe电路或者光电子器件、MEMS器件以及各类无源元件如电阻、电容、电感等集成到一个封装体内，实现整机系统的功能。目前，半导体封装处于第三阶段的成熟期与快速增长期，以BGA/CSP等主要封装形式开始进入规模化生产阶段。同时，以SiP和MCM为主要发展方向的第四次技术变革处于孕育阶段。四、半导体封装清洗：合明科技所有水基清洗剂都在研发初期对材料安全环保、清洗工艺、材料兼容性、清洗设备差异性等有充足的考虑并确定为技术目标，为后续的开发提供技术要求和市场运用提供保障。如合明科技用于摄像头模组清洗的碱性水基清洗剂具有优异的清洗能力，对顽固性污染物或残留物有效清洗，缩短清洗时间提高生产效率，能适应多种清洗工艺如超声、喷淋、离心等；宽域的清洗对象窗口，能清洗各种规格、结构的元器件；并具有良好的材料兼容性。如用于PCBA清洗的中性水基清洗剂具有优异的材料兼容性（对半导体各元器件、敏感膜材、字符标识、铜、铝等金属材料），良好的环保适应性（使用失效后的清洗剂易被环境吸收降解，对环境无危害），良好的使用安全性（水基材料不燃不爆，对操作人及设备无腐蚀性）。基于丰富、专业、专注的电子化学品研发经验、追求技术价值的执着精神和高度的社会责任感，合明科技成立了半导体封装行业水基清洗剂研发项目团队。团队以公司多年积累的水基清洗剂研发技术作为研发基础，吸收国内外前沿的水基清洗理论、引进先进的水基清洗技术、剖析国外同类产品性能特点并结合公司多年丰富的开发经验。项目团队历时多年无数次实验调整和苛刻的验证测试，现已初步推出适用于半导体封装行业的两大类型水基清洗剂：半导体封装行业中性水基清洗剂和碱性水基清洗剂。清洗剂已在部分半导体封测企业通过了初步验证，达到或接近国外同类水基清洗剂的品质要求。为更好的满足国内半导体封测行业的应用需求，项目团队将再接再厉提高技术、完善产品，助力国家对半导体发展的整体计划。以上便是半导体封装清洗,半导体封装技术的发展阶段介绍，希望可以帮到您！
IPC-CH-65B CN 印制板及组件清洗指南概述

一、 IPC-CH-65B CN 印制板及组件清洗指南标准开发时间IPC-CH-65B CN中文版的开发工作于2011年6月份正式启动，历时两年，于2014年7月份正式发布。IPC-CH-65B印制板及组件清洗指南集合了电路板及组件清洗信息。最新修订版本主要阐述了制造和组装运营中材料、制程及污染物之间的关系。还提出清洁度评估方案和涉及清洁度的制程控制方案。配有彩图帮助理解。全文共200页。二、IPC-CH-65B CN印制板及组件清洗指南参与单位及技术组成员王琏（主席）深圳市合明科技有限公司季桃仙深圳市合明科技有限公司王治平台达電子（中国区）郑铭鸿台达电子电源（东莞）有限公司徐隆德台达电子工业股份有限公司刘子莲工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）蔡颖颖工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）杨颖工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）何骁工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）左新浪工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）宿烨工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）张峰 KYZEN 王海萍 KYZEN 陈德鹅中兴通讯股份有限公司王劼洁创贸易（上海）有限公司刘佳株洲南车时代电气股份有限公司周峰株洲南车时代电气股份有限公司罗劲松深圳长城开发科技股份有限公司李淑荣北京航星科技有限公司付成丽佰电科技（苏州）有限公司董华峰上海永积化学技术有限公司蒋苏诚博世汽车部件（苏州）有限公司三、IPC-CH-65B CN 印制板及组件清洗指南内容概述快速了解IPC-CH-65B CN 印制板及组件清洗指南，请点击访问指南建立主席单位合明科技解读IPC-CH-65B CN 印制板及组件清洗指南。
IPC-CH-65B CN 印制板及组件清洗指南

随着社会发展和电子制造行业的不断进步，电子产品安全可靠性、功能性、耐久性提出了更高的品质要求，电子产品制造工艺中印制板及组件的清洗对于提高电子产品安全、耐久、可靠性极其重要。IPC-CH-65B作为全球电子印制板及组件清洗的唯一指南，为电子制造行业的清洗提供应有的标准和规范。IPC——国际电子工业联接协会是一家全球性非盈利电子行业协会，他们开发了电子行业的许多手册和指南，如IPC-CH-65B印制板及组件清洗指南就是由IPC清洗与涂覆委员会(5-30)和清洗与替代分委员会(5-31)共同开发，应用于指导全球电子印制板及组件的清洗技术、清洗工艺设计、残留物危害性分析及清洗术语的定义等指南手册。IPC-CH-65B CN印制板及组件清洗指南参与单位及技术组成员：王琏（主席）深圳市合明科技有限公司季桃仙深圳市合明科技有限公司王治平台达電子（中国区）郑铭鸿台达电子电源（东莞）有限公司徐隆德台达电子工业股份有限公司刘子莲工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）蔡颖颖工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）杨颖工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）何骁工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）左新浪工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）宿烨工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）张峰 KYZEN王海萍 KYZEN陈德鹅中兴通讯股份有限公司王劼洁创贸易（上海）有限公司刘佳株洲南车时代电气股份有限公司周峰株洲南车时代电气股份有限公司罗劲松深圳长城开发科技股份有限公司李淑荣北京航星科技有限公司付成丽佰电科技（苏州）有限公司董华峰上海永积化学技术有限公司蒋苏诚博世汽车部件（苏州）有限公司合明科技作为IPC-CH-65B CN印制板及组件清洗指南标准建立的主席单位，在此对于IPC-CH-65B CN印制板及组件清洗指南中的标准和术语、清洗设计、清洗材料兼容性指示、印制线路板上的污染物及清洗考虑要点为大家进行解读，希望帮助大家较快的了解该清洗指南并加以实际运用。1、IPC中标准、术语与定义IPC-CH-65B作为电子行业清洗指南，它表述力求准确、专业、规范，因此引用许多的行业标准及联邦法规、测试方法和工具。限于篇幅本文仅列举关注度较高的标准、手册等。表1：IPC标准IPC-B-24、25表面绝缘阻抗测试板、多用途单面和双面机测试板IPC-B-36、52清洗选择测试板、标准测试板IPC-A-600、610印制板的可接受性、电子组件的可接受性IPC-T-50电子电路互连与封装术语及定义IPC-TM-650试验方法手册IPC-TR-580清洗及清洁度试验计划IPC-TP-383表面有机污染的类型、特征、去除、对绝缘电阻和敷形涂覆附着力的影响IPC-PE-740印制板制造及组装故障排除指南表2：工业联合标准J-STD-001焊接的电气和电子组件要求J-STD-002、003元器件引线、端子、焊片、接线柱及导线的可焊性测试、印制板可焊性测试J-STD-004、005助焊剂要求、焊膏要求J-STD-006电子焊接领域电子级焊料合金及含有助焊剂与不含助焊剂的固体焊料的要求同时IPC-CH-65B对清洗材料和溶剂清洗、半水基清洗、水基清洗工艺步骤及环境条件均有专门的定义，为电子清洗行业形成规范的术语体系意义重大。2、IPC的清洗设计由于低残留物（即免洗）的助焊剂/焊膏的出现，很多人认为印制板及组件等不再需要清洗。但随着电子元器件高集成化、高精密、高密度封装及底部填充剂材料的变化，为了保证最终产品的高稳定性及可靠性就必须对电子元器件进行有效的清洗，因此IPC-CH-65B专门有关于清洗设计部分：2.1对清洗对象的全面了解。印制板布局、孔深径比、组件几何形状、所采用的材料、焊接材料类型、组装方式等，另外需要对清洗对象上的污染物有必要的了解，根据污染物的类型（极性污染物、非极性污染物）来设计清洗剂能更高效。 2.2对清洗剂主要有溶剂型、半水基型、环保水基型，根据环保指数、污染物类型、材料兼容性及制程适用性对清洗剂类型进行选择。为了清洗剂的设计更直观，IPC-CH-65B提供了基本的方案。表3：电子组件清洗剂设计方案：清洗剂类型环保指数去污染物类型材料兼容性制程适用性溶剂型低去除非极性物强中模块擦洗、晶圆封装等半水基型中去除极性/非极性物强中PCB去除助焊材料、先进封装、晶圆封装等环保水基型高去除极性/非极性物强高PCB去除助焊剂、先进封装、晶圆封装等 2.3 清洗设备的设计，根据生产效率要求和清洗对象的数量差别，有两种设备模型可选用批量式和在线式。两者有各自的特点，批量式清洗设备清洗量大、在同一节奏下有较高的清洗效率、受外界影响因素少；而在线式清洗设备，在线一次性完成清洗、漂洗、烘干全部工序，适合中高产量清洗。 2.4 在IPC-CH-65B指南中所述的清洗工艺主要有静态浸泡、超声、喷淋、离心等，工艺设计通常根据清洗力、对清洗件损伤性、清洗精细度要求，适用的清洗对象等考察相应的清洗工艺。表4：清洗工艺方案清洗工艺清洗力对清洗损伤性清洗精细度清洗对象静态浸泡弱弱粗略低清洁度要求的PCB、治具超声清洗强中（与频率有关）高精密PCBA、摄像头模组、LED功率模块、引线框架等喷淋清洗强中（与压力有关）中/高精密PCBA、摄像头模组、LED功率模块等离心清洗中弱高低托高的BGA、孔深径比大的PCB等在设计清洗方案时还需要考虑到清洗剂对工艺的适用性，如部分水基清洗剂含有少量表面活性剂而多泡，则不适合喷淋清洗工艺；更多水基清洗剂是两相体系，易相分离所以不适合静态浸泡和长时间超声。所有涉及水基清洗剂的清洗工艺都需要在清洗后面增加适当次数的纯水漂洗及干燥工序，保证清洗对象的可靠性。3、IPC材料兼容性提示为确保印制电路板组件的可靠性，要求了解制造电子元器件和组件的原材料性能及特点，鉴别清洗工艺对外观质量甚至整个元器件结构潜在的负面影响。清洗工艺中关键性的材料兼容性注意事项有元器件、组装材料、清洗剂、清洗工艺中应用的冲击能量，预计的工艺时间、温度和设备设计。可能受清洗工艺严重影响的组件材料包括板敷铜层、表面镀层、塑胶件、元器件、标签、器件标识、合金金属、涂覆层、非密封元器件、粘合剂等。所以在清洗工艺设计阶段应对印制板组件物料与清洗工艺之间的兼容性进行测试。3.1 物料兼容性测试兼容性测试通常是两个时间周期进行。短时间的测试取决于设备或操作人员的预期清洗周期，可通过升高清洗温度、加大机械力、延长工艺时间（合理的超出预期范围）等方式进行测试；长时间的测试应该由封装者或制造者决定，可通过长时间暴露测试或反复多次暴露等方式，以验证可能出现的膨胀、破裂、老化等不良现象的发生。3.2 不兼容表相：印制板组件物料与清洗工艺不兼容的表相有：尺寸变化、颜色变化或元器件表面变化、周围液体颜色改变或者浑浊等。3.3 兼容性测试方法3.3.1 对于非金属物料和元器件的材料兼容性测试可参考Pratt Whitney 规范：PWA 36604非金属物料的兼容性，B版本，06-08-98修订。3.3.2 对于金属合金物料的兼容性测试可参考ASTMF-483《全浸腐蚀标准测试方法》3.3.3 IPC联合行业标准J-STD-001中对产品硬件的兼容性测试，从测试载体、测试试样、样本数量均有相应要求。4、IPC印制线路板上的污染及影响组件贴片和结构的高密度化、低间隙组件下面会伴有很多助焊剂残留及元器件的微型化组装，使得达到适当的清洁等级变得越来越困难。和污染有关的工艺过程和服务增大了元器件失效的潜在可能。腐蚀问题缩短了产品寿命，同时由于造成导线间离子迁移、元器件引脚间漏电流、电阻耦合和/或者电化学电池的形成等因素也造成了产品功能性下降。由此IPC就PCBA污染物类型及可能造成的危害进行了引导性概述。表5：PCBA污染物分类污染物分类污染来源造成的危害极性污染物PCB蚀刻和电镀残留盐类、焊接残留盐、助焊材料的活化剂及残留、助焊材料的（离子）表面活性剂等及残留、指印汗液盐及环境可溶性尘埃等a.电迁移；b.支晶生长；c.造成PCB线路、元器件引脚腐蚀，电路失效。非极性污染物松香树脂、焊接油或油脂、金属氧化物、粘接剂残留、指纹油防护用品油或油脂等。a.吸附灰尘、静电粒子；b.引起导电不良；c.影响测试及接插件的可靠性。微粒状污染物机械加工时的金属和塑料杂质、松香微粒和玻璃纤维、焊料槽浮渣、微小焊料球锡珠及灰尘等。a.加剧污染危害。5、组装残留物清洗的考虑要点电子组装制程的范围从简单到复杂，所设计材料非常广泛，制程中的每个步骤所使用的每种材料都会对组件产生影响，最大的影响是化学物质残留在组件表面。需要考虑的材料包括助焊剂、清洗溶剂、标签、粘合剂、掩蔽材料、元器件残留物、废气残留等。5.1 助焊剂的种类、形态及经过焊接高温后残留物的可变性，都不同程度的决定了残留物的清洗难度。每种助焊剂因其不同的化学组成，在焊接过程中可能发生高温氧化、聚合、分解及与金属盐的结合反应等，导致残留物可能发生固塑性等可变性，增加或改变残留物的可清洗性。5.2 清洗剂效果一种清洗剂的选择应基于清洗效率、材料兼容性、每块产出单板的化学成本以及对环境的影响。5.3 元器件问题和残留物5.3.1 复杂的元器件几何形状、狭小的器件托高高度、非密封封装的元器件可能夹裹的清洗液和湿气，都有可能影响PCBA线路板清洗过程和物料通过率。5.3.2 元器件上的残留物可能以颗粒、油或者膜的形式在组装操作前被发现，这些残留物在焊接后可能会一直存在于清洗的或未清洗（免清洗）的组件中。5.3.3 组装残留物清洗过程的敏感性应该考虑如：金属表面处理、低温塑料、擦拭布或者其他暴露的电器插头及其他材料，能依赖于清洗剂膨胀。如某些特定的元器件，不是为可生产性设计的，不具备可清洗性时，清洗选择会受到限制。5.4 其他要点组装残留物的清洗还应考虑除去助焊剂、清洗剂、及元器件之外的其他要点，如：人工手工作业引入的污染物、可去除的不干胶标签、元器件包装（如以编带卷轴、托盘或者管装形式）、暂时性阻焊材料、润滑油和油脂、粘合剂、工作场所和周围储存条件。结语随着电子行业的迅猛发展，生产商对电子产品中涉及的印制板及组件的可靠性、安全性提出了更高的清洁要求。而IPC-CH-65B作为全球电子行业清洗指南，在全球具有权威的专业指导性及有广泛应用基础，因此了解IPC-CH-65B的主要内容和条款并充分吸收和应用，对印制板及组件的清洗工艺设计、设备选择、材料兼容性的考察等都有很大的帮助。
印刷油墨网版用什么清洗

丝印网版应用领域非常广泛，通过印刷油墨到对应产品包装上提高视觉装饰类和标识等作用，大多制版要求也没有那么的高。但是电子工艺制程上的电子产品网版和光学网版用来印刷油墨要求很高，更精密。丝印网版是丝印过程中最关键、最精密的工件，丝印网版的洁净度、精密度等直接决定印制品的品质、精度和美观。在丝印过程中丝印网版会随着使用次数的增多或保养欠缺会出现孔隙被堵或板面蹭脏出现鬼影等不良现象，从而严重影响印制品的质量和成品率如乱码或印制品不清晰。为了避免因网版洁净度不够导致印制品质量下降等不良现象，丝印网版在使用一定次数之后需要彻底清洗以保证优异的印刷品质。适用行业涵盖：PCB印刷线路板、运动器材行业、家电白电行业、亚克力、汽车玻璃行业、手机显示屏、服饰印染行业、金属、塑料、彩晶玻璃行业、广告印刷、标牌印刷行业等等。为了保障优异的产品印刷品质，推荐水基清洗剂清洗印刷油墨网版。针对印刷油墨网版清洗难和清洗品质要求，自主研发推出油墨丝印网版全自动水基清洗系统。全自动水基清洗系统优势如下：1、油墨丝印网版水基清洗系统，可以实现安全、环保的作业制程；2、全自动清洗流程，提升企业自动自能化生产模式；3、提高生产效率，减少作业人员，降低企业综合成本；4、干净、清洁的作业环境，消除作业人员的健康隐患与伤害；5、废弃物全程可控。油墨丝印网版水基清洗工艺流程示意图全自动通过式油墨丝印网版水基清洗全自动通过式油墨丝印网版水基清洗后丝印油墨清洗剂推荐：半水基清洗剂EC-305半水基清洗剂EC-305介绍：EC-305是一款环保型清洗剂，专用于清洗丝印网板上的丝印油墨、红胶、银浆、银胶。具有使用寿命长、溶解力强、气味小、洗涤去油墨能力强等特点。对丝网上未固化的油墨、红胶、银浆、银胶均具有良好的溶解力，根据需要选择超声、喷淋、浸泡或擦拭清洗工艺，能达到理想的清洗效果，清洗后可以用水漂洗干净。半水基清洗剂EC-305特点：EC-305是一款半水基清洗剂，应用浓度为100%，气味温和，PH值为中性，无卤环保，使用安全，对丝网所用的绷网胶、耐溶剂型感光胶及铝制金属边框等具有良好的材料兼容性。本产品具有挥发性小、对人体及环境危害小、使用安全及清洗寿命长等优点。材料安全环保，满足GB 38508-2020中对VOC排放的要求，创造安全环保的作业环境。本产品满足环保规范标准：ROHS\REACH\HF\索尼SS-00259\GB38508。经第三方权威认证机构--SGS检测验证。
中国泛半导体精密清洗服务行业相关政策汇总

中国泛半导体精密清洗服务行业主要法律法规及政策近年，国务院、工信部、发改委等相关部门发布了一系列政策来规范和支持新一代信息技术行业的发展。新一代信息技术产业方面政策的发布和落实，为泛半导体精密清洗服务行业提供了财政、税收、技术和人才等多方面的支持。序号名称相关主要内容发布单位、日期1《国家中长期科学和技术发展规划纲要》（2006-2020年）纲要提出发展信息产业和现代服务业是推进新型工业化的关键，并将“突破制约信息产业发展的核心技术，掌握集成电路及关键元器件、大型软件、高性能计算、宽带无线移动通信、下一代网络等核心技术，提高自主开发能力和整体技术水平”作为信息产业重要的发展思路。纲要还将“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件”（01专项）、及大规模集成电路制造技术及成套工艺（02专项）作为16个重大专项的前两位。国务院（2006 年）2《信息产业科技发展“十一五”规划和2020年中长期规划纲要》纲要的发展目标为，到2020年，我国建立较为完善的科技创新体系。在未来5-15年间，重点发展集成电路、软件技术、新型元器件技术等15个领域的关键技术。工信部（2006 年）3《关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定》提出着力发展集成电路、新型显示、高端软件、高端服务器等核心基础产业。国务院（2010年）4《国家集成电路产业发展推进纲要》提出突出企业主体地位，以需求为导向，以整机和系统为牵引、设计为龙头、制造为基础、装备和材料为支撑，以技术创新、模式创新和机制体制创新为动力，破解产业发展瓶颈，推动集成电路产业中的突破和整体提升，实现跨越发展，为经济发展方式转变、国家安全保障、综合国力提升提供有力支撑。工信部（2014 年）5《关于印发2014-2016年新型显示产业创新发展行动计划的通知》推动高世代线TFT-LCD面板制备所需的高性能混合液晶材料的研发和产业化。发改委、工信部（2014年）6《中国制造 2025》将集成电路及专用装备作为“新一代信息技术产业”纳入大力推动突破发展的重点领域。国务院（2015年）7《国家标准化体系建设发展规划（2016-2020年）》加强集成电路、LED、新型显示等在内的电子信息制造与软件行业的发展。国务院（2015 年 12 月）8《国家信息化发展战略纲要》制定国家信息领域核心技术设备发展战略纲要，以体系化思维弥补单点弱势，打造国际先进、安全可控的核心技术体系，带动集成电路、基础软件、核心元器件等薄弱环节实现根本性突破。中共中央办公厅、国务院（2016年）9《中华人民共和国国民经济和社会发展第十三个五年（2016-2020年）规划纲要》支持新一代信息技术产业创新。培育集成电路产业体系，培育人工智能、智能硬件、新型显示、移动智能终端、第五代移动通信（5G）、先进传感器和可穿戴设备等成为新增长点。全国人民代表大会（2016年）10《产业技术创新能力发展规划（2016-2020年）》电子信息制造业重点发展方向包括“新型显示：有源矩阵有机发光二极管显示器（OLED）背板、蒸镀、印刷、封装等关键工艺技术及设备，全息、激光等显示技术”。工信部（2016 年 10 月）11《国务院关于印发“十三五”国家战略性新兴产业发展规划的通知》实现主动矩阵有机发光二极管（AMOLED）、超高清（4K/8K）量子点液晶显示、柔性显示等技术国产化突破及规模应用。国务院（2016 年 11 月）12《“十三五”国家信息化规划》大力推进集成电路创新突破。加大面向新型计算、5G、智能制造、工业互联网、物联网的芯片设计研发部署，推动32/28纳米、16/14纳米工艺生产线建设，加快10/7纳米工艺技术研发，大力发展芯片级封装、圆片级封装、硅通孔和三维封装等研发和产业化进程，突破电子设计自动化（EDA）软件。国务院（2016年 12 月）13《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》（2016版）明确集成电路、电力电子功率器件等电子核心产业的范围、地位。明确我国战略性新兴产业包括新型显示面板(器件)。主要包括高性能非晶硅/低温多晶硅/氧化物液晶显示器（TFT-LCD）面板产品等。发改委（2017 年）14《信息产业发展指南》（2016年-2020年）拓展新型显示器件规模应用领域，实现液晶显示器超高分辨率产品规模化生产。工信部、国家发改委（2017年1月）15《“十三五”先进制造技术领域科技创新专项规划》面向宽禁带半导体器件、光通讯器件、MEMS（微机电系统）器件、功率电子器件、新型显示、半导体照明、高效光伏等泛半导体产业领域的巨大市场需求，开展关键装备与工艺的研究，重点解决电子器件关键材料装备、器件制造装备等高端装备缺乏关键技术、可靠性低、工艺开发不足等问题，推动新技术研发与关键装备研发的协同发展，构建高端电子制造装备自主创新体系。科技部（2017 年 4 月）16《关于进一步激发民间有效投资活力促进经济持续健康发展的指导意见》发挥财政性资金带动作用，通过投资补助、资本金注入、设立基金等多种方式，广泛吸纳各类社会资本，支持企业加大技术改造力度，加大对集成电路等关键领域和薄弱环节重点项目的投入。国务院（2017 年 9 月）17《中国光电子器件产业技术发展路线图（2018-2022年）》对光通信器件、光显示器件（包括发光二极管显示器件）等光电子器件产业技术现状和趋势进行了梳理和分析，并提出了产业目标、发展思路、结构调整等一系列指导意见。工信部（2018 年 1 月）18《战略性新兴产业分类（2018）》将集成电路制造、新型电子元器件及设备制造中的显示器件制造和半导体分立器件制造列为战略性新兴产业。国家统计局（2018 年 11月）19《关于促进制造业产品和服务质量提升的实施意见》提出“支持集成电路、信息光电子、智能传感器、印刷及柔性显示创新中心建设，加强关键共性技术攻关，积极推进创新成果的商品化、产业化”工信部（2019 年 8 月）20《产业结构调整指导目录（2019年本）》将“薄膜场效应晶体管LCD（TFT-LCD）、有机发光二极管（OLED）、电子纸显示、激光显示、3D显示等新型显示面板器件、液晶面板产业用玻璃基板、电子及信息产业用盖板玻璃等关键部件及关键材料”、“新型电子元器件（片式元器件、频率元器件、混合集成电路、电力电子器件、光电子器件、敏感元器件及传感器、新型机电元件、高密度印刷电路板和柔性电路板等）制造”列入鼓励类国家发改委（2019 年 10月）21《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策》大力支持符合条件的集成电路企业和软件企业在境内外上市融资，加快境内上市审核流程，符合企业会计准则相关条件的研发支出可作资本化处理。鼓励支持符合条件的企业在科创板、创业板上市融资，通畅相关企业原始股东的退出渠道；制程小于28nm集成电路企业，经营期在15年以上，第一年至第十年免征企业所得税等。国务院（2020 年 8 月）22《关于扩大战略性新兴产业投资培育壮大新增长点增长极的指导》要求加快新一代信息技术产业提质增效，聚焦重点产业投资领域包括：加快基础材料、关键芯片、高端元器件、新型显示器件、关键软件等核心技术攻关，大力推动重点工程和重大项目建设，积极扩大合理有效投资。发改委、科技部、工信部（2020年9月）23《中共中央关于制定国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标的建议》强化国家战略科技力量，打好关键核心技术攻坚战，提高创新链整体效能；瞄准人工智能、量子信息、集成电路等前沿领域，实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目；发展战略性新兴产业，加快壮大新一代信息技术等产业，推动互联网、大数据、人工智能等同各产业深度融合。中国共产党第十九届中央委员会第五次全体会议（2020年11月）资料来源：观研天下整理（YYJ）中国泛半导体精密清洗服务行业主管部门和监管体制(1)泛半导体精密清洗服务行业的主管部门是国家发改委和国家工业和信息化部，国家发改委的主要职责是对泛半导体行业进行宏观调控，会同有关部门拟定半导体产业发展、技术进步的战略、规划和重大政策;国家工业和信息化部负责拟定实施泛半导体行业的行业规划、产业政策和相关标准，制定推动行业发展的法规政策和具体的产业发展布局，推动重大技术自主创新。(2)全国半导体设备和材料标准化技术委员会全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)(以下简称标委会)是在国家标准化管理委员会和工业和信息化部的共同领导下，从事全国半导体设备和材料技术领域标准化工作的组织，国际上对口SEMI(国际半导体设备和材料协会)，秘书处设在中国电子技术标准化研究院。标委会下设5个分技术委员会和6个工作组，工作范围涉及半导体材料、光伏材料、显示面板材料、LED照明材料、电子化学品、电子封装材料、电子工业用气体、微光刻、设备等。(3)中国半导体行业协会、中国光学光电子行业协会中国半导体行业协会在工信部的业务指导和监督管理下负责行业的政策导向、信息导向和市场导向工作，向政府业务主管部门提出本行业发展的经济、技术和装备政策的咨询意见和建议。