半导体清洗封装芯片清洗合明科技分享：电子元器件封装技术讲解

半导体清洗封装芯片清洗合明科技分享：电子元器件封装技术讲解

合明科技专注精密电子清洗技术20多年，是SMT贴装/DIP封装，功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在，在同等的清洗力的情况下，合明科技的兼容性较佳. 先进封装包括倒装芯片、WLCSP晶圆级芯片封装、3D IC集成电路封装、SiP系统级封装、细间距封装等等。

A、封装内涵

封装——Package，使用要求的材料，将设计电路按照特定的输入输出端进行安装、连接、固定、灌封、标识的工艺技术。

B、封装作用

a)保护：保障电路工作环境与外界隔离，具有防潮、防尘；

b)支撑：引出端及壳体在组装和焊接过程保持距离和缓冲应力作用；

c)散热：电路工作时的热量施放；

d)电绝缘：保障不与其他元件或电路单元的电气干涉；

e）过渡：电路物理尺寸的转换；

a）晶圆裸芯片 b）集成电路芯片 c）板级电路模块PCBA  d）板级互连；

e）整机；

f）系统；

电子封装技术发展历程

20世纪50 年代以前是玻璃壳真空电子管；

20世纪60 年代是金属壳封装的半导体三极管；

20世纪70 年代封装是陶瓷扁平、双列直插封装小规模数字逻辑电路器件出现；

20世纪70 年代末表面贴装技术SMT出现，分立元件片式化（玻璃）；

20世纪80 年代 LSI出现，表面贴装器件SMD问世，陶瓷、塑料SOP、PLCC、QFP呈现多样化状况；

20世纪90 年代VLSI出现，MCM技术迅速发展，超高规模路小型化、多引脚封装趋势，塑料封装开始占据主流，片式元件达到0201、BGA、CSP大量应用；

21世纪始，多端子、窄节距、高密度封装成为主流，片式元件达到01005尺寸，三维、光电集成封装技术成为研究开发的重点；

器件封装引线中心间距变化对工艺装备的精度要求。

三维叠层元器件封装

多芯片组件封装与组装工艺技术应用。

C、发展趋势

高密度、细间距、超细间距PCB；

三维立体互连，应用于晶圆级、元件级和板级电路；

光电混和互连。

1）封装材料

A、基本要求

封装材料具有如下特性要求：

热膨胀系数：与衬底、电路芯片的热膨胀性能相匹配；

介电特性（常数及损耗）：快速响应电路工作，电信号传输延迟小；

导热性：利于电路工作的热量施放；

机械特性：具有一定的强度、硬度和韧性；

B、材料应用类别

a)金属：铜、铝、钢、钨、镍、可伐合金等，多用于宇航及军品元器件管壳。

b)陶瓷：氧化铝、碳化硅、氧化铍、玻璃陶瓷、钻石等材料均有应用，具有较好的气密性、电传输、热传导、机械特性，可靠性高。不仅可作为封装材料，也多用于基板，但脆性高易受损。

双列直插（DIP）、扁平（FP）、无引线芯片载体（LCCC）、QFP等器件均可为陶瓷封装。

c)塑料：

通常分为热固性聚合物和热塑性聚合物，如酚醛树脂、环氧树脂、硅胶等，采用一定的成型技术（转移、喷射、预成型）进行封装，当前90%以上元器件均已为塑料封装。

始用于小外形（SOT）三极管、双列直插（DIP），现常见的SOP、PLCC、QFP、BGA等大多为塑料封装的了。器件的引线中心间距从2.54mm(DIP)降至0.4mm(QFP)厚度从3.6  mm(DIP)降至1.0mm(QFP)，引出端数量高达350多。

d)玻璃：

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针对电子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验，对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况，自主开发了较为完整的水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在，在同等的清洗力的情况下，合明科技的兼容性较佳，兼容的材料更为广泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多（测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，离子残留低、干净度更好。

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