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2021-05-10

芯片封装锡膏清洗剂合明科技分享:芯片“战争”之平面晶圆制造工艺介绍

发布者:合明科技Unibright ; 浏览次数:265

芯片封装锡膏清洗剂合明科技分享:芯片“战争”之平面晶圆制造工艺介绍


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本期介绍平面晶圆制造工艺,整套IC芯片制造过程可以被简略地归纳为外延生长、沉积、平板印刷、蚀刻、植入等步骤。每一项步骤都涉及到专业的科学技术,需要专门的设备、材料和仪器才能完成。我们在此处的探讨旨在给一般SMT工程师、电子封装工程师及非专业人员提供介绍性的信息,而并不是像教科书材料那样提供非常复杂深入的内容。


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早期的结 (junction) 是使用mesa工艺制造的,因为结(junction) 的核心基极发射区域位于一个升起的高台(mesa)上,因而更加容易受到污染物和损害物的影响。如果晶体管的几何形状是在一个平坦的表面上制造的,则拥有以下诸多优势:


 ● 结(junction)能够被一个二氧化硅(SiO2)保护层所覆盖。

  ● 减小晶体管对污染物的敏感度,使其变得更稳定,功能更持久。

  ● 晶体管上接触导线的轨迹处于一个扁平的表面上,更容易制造。


上个世纪60年代,仙童(Fairchild)为IC芯片的生产开发了平面晶圆生产工艺。大致分为以下几个步骤:首先将一个导电的薄层沉积在晶圆的表面,然后在薄层上涂敷一层光刻胶,光刻胶随后经过固化显影及蚀刻(平板印刷技术)等过程来形成图案,最终剥离光刻胶层来使得导电的线路和图案曝光出来。

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1967年,RCA(在之前的文章中介绍过的美国广播唱片公司)开发了CMOS(互补的金属氧化物半导体)逻辑电路,而Intel则在上世纪70年代通过将上千个元器件集成在一块芯片上制成了首块LSI(大规模集成电路)微处理器。

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 ● 沉积阶段,由气态硅化合物与气态氧化材料发生反应而形成的氧化绝缘层会沉积下来形成薄膜。

  ● 平面印刷阶段用于定义晶体管的特征组成、间距及金属互连层。

  ● 蚀刻阶段用湿法蚀刻(化学液)或干法蚀刻(等离子气体)移除沉积薄层中不想要的区域。

  ● 扩散阶段(离子注入)在平面工艺中用于添加掺杂物,以制备像PN节这样的半导体基本结构,扩散阶段通常可以精准地控制节深及掺杂剂的分布。


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集成电路芯片的发展从LSI到VLSI和ULSI,发展趋势如下图所示,遵循了摩尔定律(集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月便会增加一倍)。

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文章来源于:CEIA电子智造


以上一文,仅供参考!

 

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以上为合明科技在工业清洗方面的经验的累积,我们是国内自主掌握核心水基清洗技术的先创品牌,合明科技专注精密电子清洗技术20多年,是SMT贴装/DIP封装,功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商,也成为了IPC清洗标准主席单位。但是因为工业清洗问题内容广泛,没办法面面俱到,本文只对常见问题作分析,随着电子产业的不断更新换代,新的工艺问题也不断出现,本公司自成立以来不断追求产品的创新,做到与时俱进,熟悉各种生产复杂工艺,力争能为客户提供全方位的工业清洗解决方案。

 

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