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SIP系统级芯片封装、PoP堆叠芯片、IGBT功率模块水基清洗工艺

发布日期:2022-11-24 发布者:合明科技 浏览次数:730

  SIP系统级芯片封装、POP堆叠芯片组装、IGBT功率半导体模块在制程工艺中,需要用到焊膏、锡膏进行精密的焊接制程,那么在焊接后自然会留存下锡膏和焊膏的助焊剂残留物,为了保证器件和组件的电器功能和可靠性技术要求,须将这些助焊剂残留彻底清除。因此精密电子封装制程中对污染物的清洗是必须要做的。

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   SIP系统级芯片封装清洗 PoP堆叠芯片清洗

  Sip系统级封装和POP堆叠芯片工艺制程是在毫米级别间距内进行焊接,助焊剂作用后留下的活性剂等吸湿性物质,较小的层间距如存有少量的吸湿性活性剂足以占据相对较大的芯片空间,影响芯片可靠性。要将有限的空间里将残留物带离清除,清洗剂需要具备较低的表面张力渗入层间芯片,达到将残留带离的目的。合明科技研发的 水基清洗剂具有卓越的渗入能力,以确保芯片间残留活性剂被彻底清除。

  IGBT功率模块清洗

  IGBT芯片并联、芯片与DCB基板的连接、绝缘硅胶的灌封、功率模块的整体封装等IGBT制造过程都存在界面结合的问题,结合前需要对界面进行清洗处理是解决IGBT功率模块可靠性低最直接、有效的方法。合明科技提供水基清洗工艺解决方案,100%去除界面残留物为下一道工序提供了理想的界面结合条件;同时水基清洗剂对芯片保护层和基材拥有优良的材料兼容性,显著提高产品的可靠性。

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  水基清洗技术解决方案遵循绿色环保,安全无害、低成本成为电子制造业精密清洗的理想选择,目前在精密电子制造业内得到越来越广泛的应用,取代原来熟知的溶剂型清洗方式,从而获得了安全、环保、清洁的工作环境等等。但与溶剂型清洗剂清洗精密组件和器件不同,水基清洗剂在业内的认知度还不是很高,掌握度还不熟练到位,以下列举水基清洗制程需要考虑的几个影响可靠性的重要因素,供大家参考。


  一、SIP、POP或IGBT精密器件所需要的洁净度技术指标

  首先SIP系统级芯片封装、PoP堆叠芯片、IGBT功率模块精密器件必须设置洁净度技术指标。

  根据洁净度的要求来做清洗的工艺选择。所从事的产品类别不同,应用场景不同,使用条件和环境不同,对器件洁净度的要求也有所不同,

  根据器件的各项技术要求来决定洁净度指标。包括外观污染物残留允许量和表面离子污染度指标水平,才能准确定义器件工艺制程中所要达到的洁净度要求。

  避免可能的电化学腐蚀和化学离子迁移失效现象。

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  二、器件制程工艺所存在的污染物

  既然是要清洗电子制程中的污染物,就需要关注SIP系统级芯片封装、PoP堆叠芯片、IGBT功率模块器件制程工艺中所有存在的污染物,比如:锡膏残留、焊膏残留和其他的污染物。

  评价污染物对器件造成可靠性的影响,比如:电化学腐蚀,化学离子迁移和金属迁移等等,这样就能对所有污染物做一个全面的认知,确定哪些污染物需要通过清洗的方式去除,从而保障器件的最终技术要求。

  污染物可清洗性决定了清洗工艺和设备选择,免洗锡膏还是水溶性锡膏,锡膏的类型不同,残留物的可清洗性特征也不同,清洗的工艺方式和清洗剂的选择也随之不同。

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  这里要提醒一下:在电子制程中识别和确定SIP、PoP、IGBT芯片模块封装工艺制程中存在有哪些污染物是做好清洗的重要前提!!!


【阅读提示】

以上为本公司一些经验的累积,因工艺问题内容广泛,没有面面俱到,只对常见问题作分析,随着电子产业的不断更新换代,新的工艺问题也不断出现,本公司自成立以来不断的追求产品的创新,做到与时俱进,熟悉各种生产复杂工艺,能为各种客户提供全方位的工艺、设备、材料的清洗解决方案支持。

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